标签: SIR422DPT1GE3VB

SIR422DP-T1-GE详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：40V-额定电流：75A-导通电阻：4.7mΩ@10V,6mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.9Vth(V)-封装类型：DFN8(5X6)应用简介：SIR422DP-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有较高的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。SIR422DP-T1-GE3采用DFN8(5X6)封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其较高的额定电压和额定电流特性，SIR422DP-T1-GE3特别适用于需要高功率和高电流传输的应用领域。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和电流传输。总之，SIR422DP-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块。特别适用于需要高功率和高电流传输的领域，如电源开关、电机驱动器等。