标签: IRF840APBFVB

详细参数说明：-型号：FDV303N-NL-VB-丝印：VB1240-品牌：VBsemi-参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-静态电阻：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压：8Vgs(±V)-阈值电压：0.45~1Vth(V)-封装：SOT23应用简介：FDV303N-NL-VB是一款N沟道MOSFET晶体管，适用于各种领域的电子电路设计。它具有20V的额定电压和6A的额定电流，适用于工业控制、通信设备、汽车电子以及消费类电子产品等领域的模块设计。这些产品主要用于以下领域模块：1.工业控制模块：FDV303N-NL-VB具有较高的额定电流和低的静态电阻，可用于工业控制模块中的电源开关、驱动器以及电机控制等应用。2.通信设备模块：该MOSFET晶体管适用于通信设备模块中的电源管理、功率放大和信号传输等应用，以提供更好的功率和性能。3.汽车电子模块：FDV303N-NL-VB能够承受较高的额定电流和电压，适用于汽车电子模块中的电动车控制、照明系统以及电池管理等应用。4.消费类电子产品模块：由于其封装为SOT23，FDV303N-NL-VB适合用于占用空间较小的消费类电子产品模块，如手机、平板电脑和便携式音频设备等。总之，FDV303N-NL-VB可广泛应用于各种领域的模块设计中，其具有较低的静态电阻和高的额定电流，可提供可靠的功率和性能。