标签: SI4532ADYT1E3VB

型号：SI4532ADY-T1-E3-VB丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：-类型：N+P沟道-额定电压（Vds）：±30V-最大持续电流（Id）：9A（N沟道）/-6A（P沟道）-导通电阻（RDS(ON)）：15mΩ@10V(N沟道)/42mΩ@10V(P沟道)-门源电压范围（Vgs）：20V（正负）-阈值电压（Vth）：±1.65V-封装：SOP8应用简介：SI4532ADY-T1-E3-VB是一款N+P沟道MOSFET，同时包含N沟道和P沟道MOSFET。它适用于需要同时控制正向和负向电压的电子应用，如电源开关和电流控制。详细参数说明：1.**类型**：这是一款N+P沟道MOSFET，包含N沟道和P沟道两种类型的MOSFET。N沟道MOSFET用于正向电压操作，P沟道MOSFET用于负向电压操作。2.**额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为±30V。这表示它可以同时处理正向和负向电压。3.**最大持续电流（Id）**：N沟道MOSFET的最大电流承受能力为9A，而P沟道MOSFET为-6A。这表示N沟道MOSFET可用于正向电流，而P沟道MOSFET可用于负向电流。4.**导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，N沟道MOSFET的RDS(ON)为15mΩ，P沟道MOSFET为42mΩ。低导通电阻表示它可以在导通状态下产生较少的功耗。5.**门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。6.**阈值电压（Vth）**：N沟道MOSFET的阈值电压为正向1.65V，P沟道MOSFET的阈值电压为负向1.65V。这是启动MOSFET导通的门源电压。7.**封装**：这款MOSFET采用SOP8封装，这是一种常见的封装类型，适用于多种电路应用。应用领域：SI4532ADY-T1-E3-VB这款N+P沟道MOSFET适用于多种需要同时控制正向和负向电压的电子应用，包括但不限于以下领域模块：1.**电源开关**：可用于电源开关电路，同时控制正向和负向电压，如电压转换和电流控制。2.**电池管理**：用于电池充电和放电管理，以确保安全和高效的电池使用。3.**电流控制**：可用于电流控制电路，如电机控制和电流放大器。4.**逆变器**：用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，如太阳能逆变器和电力逆变器。总之，这款N+P沟道MOSFET适用于需要同时处理正向和负向电压的电子模块和设备，提供电源控制和电流管理的功能。