标签: 高边开关BMS

在智能BMS应用中，客户往往面临比较多的痛点，其一是低边MOSFET作开关时会将GND分开，做不到连续性；其二是在使用高边MOSFET作开关时其驱动变得较为复杂。 传统的设计方案有以下几种： 1. 使用PMOSFET作为功率开关，优点是易于驱动，缺点是成本较高； 2. 使用专用的高边开关驱动，此种方式应用较为广泛，且比较成熟，但是限于半导体的工艺设计，在高压电池包中应用受限； 3. 隔离驱动，优点是兼容高低压的电池包，并且可以阻断电机刹车时的反电势。 下面首先介绍基于无锡明芯微电子MX6501T的推挽隔离电源驱动方案 如上图所示，QC和QD分别是BMS在高侧应用的充电管和放电管，其驱动电压分别由两路来自于MX6501T的隔离电源产生。而充电管和放电管的驱动信号分别来自于AFE产生的充放电开关信号CHA-DRV和DIS-DRV，二者在经过光耦隔离后利用MX6501T产生的隔离电源进行充放电的开关动作。 MX6501T除了应用于BMS以外，还可以用于光伏逆变、隔离通信、电动工具、汽车电子等领域。 另外，若用户需要的MOSFET的驱动能力较小，且对驱动电压要求精度不高，可以采用无锡明芯微MX6501T+MXPP8-30-1103套片实现一拖二的12V转12V隔离驱动方案或者MX6501T+MXPP8-30-1250套片实现一拖二的5V转12V隔离驱动方案，原理图如下所示： 由于MX6501T的输入电压极限值为7V，对于12V输入的系统，建议使用分压电阻实现对MX6501T的VCC引脚的供电，而变压器驱动电压仍然选择12V供电，MX6501T内部的驱动MOS耐压36V，完全可以满足12V系统耐压24V的要求，且效率可以达到90%，比5V转12V更高。系统的原理图如下所示：