tag 标签: 白光干涉仪

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  • 2025-6-5 09:48
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    可再生光刻胶剥离液及其制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
    引言 在半导体制造与微纳加工行业,光刻胶剥离液的使用量庞大。传统剥离液存在环境污染、资源消耗等问题,可再生光刻胶剥离液凭借环保与可持续优势成为研究热点。同时,白光干涉仪在光刻图形测量中的应用,为保障工艺质量提供了关键技术支撑。 可再生光刻胶剥离液及其制备方法 常见可再生光刻胶剥离液类型 生物基剥离液 生物基剥离液以生物质为原料,如植物提取物、发酵产物等。其主要成分包含有机酸、醇类等天然物质,这些物质能够与光刻胶发生物理或化学反应,实现光刻胶的有效剥离。例如,利用柠檬酸等有机酸的络合能力,破坏光刻胶分子结构;以生物乙醇作为溶剂,增强对光刻胶的溶解性能。生物基剥离液具有来源广泛、可生物降解的特点,极大降低了对环境的污染 。 可回收型剥离液 可回收型剥离液通过特殊的分离技术,在使用后能够将其中的有效成分回收再利用。常见的回收方法包括蒸馏、萃取等。以含有特定有机溶剂的剥离液为例,使用后可通过蒸馏的方式,依据各成分沸点差异,将有机溶剂分离提纯,重新用于剥离液的配制。这种剥离液减少了原材料的消耗,降低了生产成本,同时也减少了废弃物的产生。 可再生光刻胶剥离液制备要点 制备生物基剥离液时,需对生物质原料进行预处理,如提取、发酵优化等,以提高有效成分的含量和活性。在成分复配阶段,要精确控制有机酸、溶剂、助剂等的比例,确保剥离液对不同类型光刻胶的剥离效果。对于可回收型剥离液,制备过程中需考虑后续回收工艺的适配性,选择合适的溶剂和添加剂,保证回收过程简单高效且不影响剥离液性能。此外,无论哪种类型,都要对剥离液的稳定性、腐蚀性等性能进行严格测试和优化,通过调整配方和工艺参数,使剥离液满足工业生产需求。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于光的干涉特性,将白光光源发出的光经分光镜分为测量光和参考光。测量光照射到待测光刻图形表面反射回来,与参考光相遇产生干涉条纹。由于光刻图形不同位置的高度差异,导致反射光的光程差不同,进而形成不同的干涉条纹图案。通过分析干涉条纹的形状、间距和强度等信息,结合光程差与表面高度的对应关系,可精确计算出光刻图形的高度、深度、线宽等参数。 测量优势 白光干涉仪具备高精度、非接触式测量的特点,其测量精度可达纳米级别,能够精准捕捉光刻图形细微的尺寸变化。非接触测量避免了对脆弱光刻图形的物理损伤,保证了样品的完整性。同时,测量速度快,可实现实时在线检测,并能通过专业软件对测量数据进行可视化处理,直观呈现光刻图形的形貌特征,便于工艺优化和质量控制。 实际应用 在使用可再生光刻胶剥离液的工艺中,白光干涉仪发挥着重要作用。剥离前,可测量光刻胶的厚度、光刻图形的初始形貌,评估光刻工艺的质量;剥离过程中,实时监测光刻胶的去除情况,判断剥离进程是否正常;剥离完成后,精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸,为优化可再生剥离液配方和剥离工艺提供准确的数据支持,确保产品符合设计要求 。 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题,实现一键智能聚焦扫描,亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术,Z向测量范围高达100mm,不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率,为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3)可搭载多普勒激光测振系统,实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 (以上为新启航实测样品数据结果) 1,优于1nm分辨率,轻松测量硅片表面粗糙度测量,Ra=0.7nm (以上为新启航实测样品数据结果) 2,毫米级视野,实现5nm-有机油膜厚度扫描 (以上为新启航实测样品数据结果) 3,卓越的“高深宽比”测量能力,实现深蚀刻槽深槽宽测量。
  • 2025-6-4 09:39
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    水平式光刻胶剥离工艺及白光干涉仪在光刻图形的测量
    引言 在半导体制造和微纳加工领域,光刻胶剥离是光刻工艺的重要环节。水平式光刻胶剥离工艺凭借其独特优势在工业生产中占据一席之地,而准确测量光刻图形对保障工艺质量、提升产品性能至关重要,白光干涉仪为此提供了可靠的技术手段。 水平式光刻胶剥离工艺 工艺特点与原理 水平式光刻胶剥离工艺将基片水平放置,通过特定的剥离设备使剥离液均匀覆盖基片表面,与光刻胶发生化学反应或物理作用,实现光刻胶的去除。该工艺相比传统垂直式工艺,剥离液在基片表面分布更均匀,能够有效避免因液体重力导致的剥离液分布不均问题,减少光刻胶残留和基片表面损伤风险。其原理主要基于剥离液对光刻胶的溶解、溶胀或化学反应,破坏光刻胶与基片之间的结合力,促使光刻胶从基片表面脱落。 工艺流程 首先,将完成光刻工艺的基片平稳放置于水平式剥离设备的载片台上,确保基片表面水平。随后,通过泵体将剥离液输送至基片表面,采用喷淋或旋转涂覆等方式,使剥离液快速且均匀地覆盖基片。在剥离液与光刻胶充分接触反应的过程中,依据光刻胶类型和剥离液特性,控制反应时间和温度。反应结束后,利用去离子水对基片进行冲洗,去除残留的剥离液和光刻胶碎屑,最后通过氮气吹干或热风干燥等方式使基片干燥,完成光刻胶剥离流程。 工艺优势与挑战 水平式光刻胶剥离工艺的优势显著,它能有效提高光刻胶剥离的均匀性和一致性,适用于大尺寸基片的剥离处理,在大规模生产中可提升产品良率。同时,水平放置的基片便于观察和检测剥离过程。然而,该工艺也面临一些挑战,如对设备的密封性和液体输送系统要求较高,以防止剥离液泄漏和挥发;并且需要精确控制剥离液的流量和覆盖时间,否则可能影响剥离效果,导致光刻胶残留或过度剥离。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于光的干涉原理,将白光光源发出的光经分光镜分为测量光和参考光。测量光照射到待测光刻图形表面反射回来,与参考光相遇产生干涉条纹。由于光刻图形不同位置的高度差异,致使反射光的光程差不同,进而形成不同的干涉条纹图案。通过分析干涉条纹的形状、间距和强度等信息,结合光程差与表面高度的对应关系,可精确计算出光刻图形的高度、深度、线宽等参数。 测量优势 白光干涉仪具备高精度、非接触式测量的特点,其测量精度可达纳米级别,能够精准捕捉光刻图形细微的尺寸变化。非接触测量避免了对脆弱光刻图形的物理损伤,保证了样品的完整性。此外,该仪器测量速度快,可实现实时在线检测,并能通过专业软件对测量数据进行可视化处理,直观呈现光刻图形的形貌特征,便于工艺优化和质量控制。 实际应用 在水平式光刻胶剥离工艺中,白光干涉仪在多个环节发挥重要作用。剥离前,可测量光刻胶的厚度、光刻图形的初始形貌,评估光刻工艺的质量;剥离过程中,实时监测光刻胶的去除情况,判断剥离进程是否正常;剥离完成后,精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸,为后续工艺提供准确的数据支持,确保产品符合设计要求 。 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题,实现一键智能聚焦扫描,亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术,Z向测量范围高达100mm,不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率,为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3)可搭载多普勒激光测振系统,实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 (以上为新启航实测样品数据结果) 1,优于1nm分辨率,轻松测量硅片表面粗糙度测量,Ra=0.7nm (以上为新启航实测样品数据结果) 2,毫米级视野,实现5nm-有机油膜厚度扫描 (以上为新启航实测样品数据结果) 3,卓越的“高深宽比”测量能力,实现深蚀刻槽深槽宽测量。
  • 2025-5-30 09:39
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    光刻胶剥离工具都有哪些及白光干涉仪在光刻图形的测量
    引言 在半导体制造、微纳加工等领域,光刻胶剥离是光刻工艺的关键步骤。选择合适的剥离工具对高效去除光刻胶、保障基片质量至关重要。同时,精确测量光刻图形是确保工艺精度和产品性能的重要手段,白光干涉仪在其中发挥着不可替代的作用。 光刻胶剥离工具 湿法剥离设备 湿法剥离主要借助化学溶液与光刻胶发生反应实现剥离,常用设备包括浸泡槽、喷淋清洗机等。浸泡槽是最简单的湿法剥离工具,将带有光刻胶的基片浸入盛有剥离液的槽体中,通过剥离液与光刻胶的化学反应,使其溶解或溶胀后从基片表面脱落。为加快反应速度,常配备超声装置,利用超声波的空化效应,增强剥离液对光刻胶的渗透和剥离效果 。喷淋清洗机则通过高压喷头将剥离液均匀喷洒在基片表面,使剥离液与光刻胶充分接触,相比浸泡槽,其剥离效率更高,且能减少基片之间的交叉污染,适用于大规模生产。 干法剥离设备 干法剥离设备以等离子体刻蚀机为代表。在真空环境下,等离子体刻蚀机通过射频电源激发气体(如氧气、氟基气体等)产生等离子体。等离子体中的活性粒子与光刻胶发生物理轰击或化学反应,将光刻胶分解为挥发性气体排出。物理轰击主要依靠离子的动能破坏光刻胶分子结构;化学反应则通过活性粒子与光刻胶成分发生氧化、还原等反应实现剥离。干法剥离具有刻蚀选择性好、对基片损伤小、无污染残留等优势,尤其适用于对精度要求高的微纳结构光刻胶剥离,但设备成本较高,操作也相对复杂。 新兴剥离工具 随着技术发展,一些新兴的光刻胶剥离工具逐渐兴起。例如,激光剥离设备利用高能量激光束照射光刻胶,使其瞬间气化或分解,从而实现快速剥离。这种方法具有剥离速度快、精度高、对基片热影响小等特点,适用于去除特定材料或微小区域的光刻胶。此外,还有热剥离设备,通过加热基片使光刻胶因热分解或热膨胀而脱离基片表面,该方法操作简单,但对温度控制要求严格,否则可能损伤基片。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于光的干涉特性,将白光光源发出的光经分光镜分为测量光和参考光。测量光照射到待测光刻图形表面反射回来,与参考光相遇产生干涉条纹。由于光刻图形不同位置的高度差异,导致反射光的光程差不同,进而形成不同的干涉条纹图案。通过分析干涉条纹的形状、间距和强度等信息,结合光程差与表面高度的关系,可精确计算出光刻图形的高度、深度、线宽等参数。 测量优势 白光干涉仪具有高精度、非接触式测量的特点,其测量精度可达纳米级别,能够准确捕捉光刻图形细微的尺寸变化。非接触测量方式避免了对脆弱光刻图形的物理损伤,保证了样品的完整性。同时,测量速度快,可实现实时在线检测,并能通过专业软件对测量数据进行可视化处理,直观呈现光刻图形的形貌特征,便于工艺优化和质量控制。 实际应用 在光刻胶剥离前后,白光干涉仪均能发挥重要作用。剥离前,可测量光刻胶的厚度、光刻图形的初始形貌,评估光刻工艺的质量;剥离过程中,实时监测光刻胶的去除情况,判断剥离是否完全;剥离完成后,精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸,为后续工艺提供准确的数据支持,确保产品符合设计要求。 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题,实现一键智能聚焦扫描,亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术,Z向测量范围高达100mm,不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率,为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3)可搭载多普勒激光测振系统,实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 (以上为新启航实测样品数据结果) 1,优于1nm分辨率,轻松测量硅片表面粗糙度测量,Ra=0.7nm (以上为新启航实测样品数据结果) 2,毫米级视野,实现5nm-有机油膜厚度扫描 (以上为新启航实测样品数据结果) 3,卓越的“高深宽比”测量能力,实现深蚀刻槽深槽宽测量。
  • 2025-5-29 09:45
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    光刻胶剥离液及其制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
    引言 在半导体制造与微纳加工领域,光刻胶剥离液是光刻胶剥离环节的核心材料,其性能优劣直接影响光刻胶去除效果与基片质量。同时,精准测量光刻图形对把控工艺质量意义重大,白光干涉仪为此提供了有力的技术保障。 光刻胶剥离液及其制备方法 常见光刻胶剥离液类型 有机溶剂型剥离液 有机溶剂型剥离液以丙酮、N - 甲基吡咯烷酮(NMP)等有机溶剂为主体成分。丙酮对普通光刻胶的溶解能力强,能够快速渗透光刻胶内部,破坏其分子间作用力,使其溶解剥离 。NMP 则对多种光刻胶树脂具有良好的溶解性,且沸点较高,挥发性较低,在剥离过程中能保持稳定的性能。此类剥离液的优势在于剥离效率高、对基片损伤小,但有机溶剂多具有挥发性和毒性,使用过程中需做好防护,且易造成环境污染。 碱性剥离液 碱性剥离液通常以氢氧化钾、氢氧化钠等强碱为主要成分。其作用原理是通过与光刻胶中的酸性基团发生中和反应,破坏光刻胶的分子结构,使其从基片上脱落。为改善剥离效果,常添加表面活性剂、络合剂等助剂。表面活性剂可降低溶液表面张力,增强碱性溶液对光刻胶的浸润性;络合剂能与金属离子结合,防止其在基片表面残留,避免对基片造成腐蚀。碱性剥离液适用于多种光刻胶,且成本相对较低,但对某些金属基片可能存在腐蚀性。 光刻胶剥离液制备要点 在制备光刻胶剥离液时,需精准控制各成分比例。对于有机溶剂型剥离液,要根据光刻胶种类和性质,合理调配不同有机溶剂的混合比例,以达到最佳溶解效果。例如,在去除含特殊树脂成分的光刻胶时,可将 NMP 与少量其他极性溶剂混合,增强对光刻胶的溶解能力。制备碱性剥离液时,需严格控制碱的浓度,浓度过高可能腐蚀基片,过低则影响剥离效率;同时,助剂的添加量也需精确把控,以保证剥离液性能稳定。此外,制备过程中应采用适当的搅拌方式和时间,确保各成分充分混合均匀,提高剥离液的一致性和稳定性。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于光的干涉原理,将白光光源发出的光经分光镜分为两束,一束照射待测光刻图形表面反射回来,另一束作为参考光,两束光相遇产生干涉条纹。由于光刻图形不同位置高度存在差异,导致反射光光程差不同,干涉条纹的形状、间距和强度也随之变化。通过分析干涉条纹特征,结合光程差与表面高度的对应关系,能够精确获取光刻图形的高度、深度、线宽等参数。 测量优势 白光干涉仪具备高精度、非接触式测量特性,测量精度可达纳米级,能够准确捕捉光刻图形细微的尺寸变化。非接触测量避免了对脆弱光刻图形的物理损伤,保证样品完整性。同时,测量速度快,可实现实时在线检测,并通过专业软件对测量数据进行可视化处理,直观呈现光刻图形形貌,为工艺优化和质量控制提供有力支持。 实际应用 在光刻胶剥离前后,白光干涉仪均发挥重要作用。剥离前,可测量光刻胶厚度、光刻图形初始形貌,评估光刻工艺质量;剥离过程中,实时监测光刻胶去除情况,判断剥离进程;剥离完成后,精确测量残留光刻胶厚度、基片表面粗糙度以及光刻图形最终尺寸,为后续工艺提供数据依据,确保产品符合设计要求 。 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题,实现一键智能聚焦扫描,亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术,Z向测量范围高达100mm,不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率,为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3)可搭载多普勒激光测振系统,实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 (以上为新启航实测样品数据结果) 1,优于1nm分辨率,轻松测量硅片表面粗糙度测量,Ra=0.7nm (以上为新启航实测样品数据结果) 2,毫米级视野,实现5nm-有机油膜厚度扫描 (以上为新启航实测样品数据结果) 3,卓越的“高深宽比”测量能力,实现深蚀刻槽深槽宽测量。
  • 2025-5-28 09:41
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    光刻胶剥离方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
    引言 在半导体制造、微纳加工等领域,光刻胶剥离是光刻工艺的关键环节之一,直接影响后续工艺的进行和最终产品的质量。而对光刻图形的精确测量,能够有效监控光刻工艺和光刻胶剥离效果,白光干涉仪为此提供了可靠的技术手段。 光刻胶剥离方法 湿法剥离 湿法剥离是目前应用较为广泛的方法,其原理是利用化学试剂与光刻胶发生化学反应,使光刻胶溶解或溶胀,从而实现剥离。常用的剥离液包含有机溶剂、碱性溶液等。有机溶剂如丙酮、N - 甲基吡咯烷酮(NMP),能溶解光刻胶中的树脂成分;碱性溶液则通过与光刻胶中的酸性基团反应,破坏光刻胶的分子结构 。在实际操作中,将带有光刻胶的基片浸入剥离液中,经过一定时间的浸泡和超声辅助,可加速剥离过程。湿法剥离具有设备简单、成本低、处理效率高的优点,但存在环境污染、对某些敏感材料可能造成腐蚀等问题。 干法剥离 干法剥离主要借助等离子体技术,在真空环境下,通过射频电源激发气体产生等离子体。等离子体中的活性粒子(离子、原子、自由基等)与光刻胶发生物理或化学反应,将光刻胶分解为挥发性气体排出。常见的气体有氧气、氟基气体等,氧气等离子体常用于去除有机光刻胶,通过氧化反应将光刻胶转化为二氧化碳和水等挥发性物质;氟基气体则适用于去除含硅光刻胶。干法剥离具有刻蚀选择性好、对基片损伤小、环境友好等优势,但设备成本较高,且可能产生等离子体诱导损伤。 其他新兴方法 随着技术发展,一些新兴的光刻胶剥离方法也逐渐受到关注。例如,激光剥离利用高能量激光束照射光刻胶,使其瞬间气化或分解实现剥离;热剥离则通过加热基片,使光刻胶因热分解或热膨胀而脱离基片。这些方法在特定场景下展现出独特优势,为光刻胶剥离提供了更多选择。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于白光干涉的基本原理,将白光光源发出的光经分光镜分为两束,一束投射到待测光刻图形表面反射回来,另一束作为参考光,两束光相遇产生干涉。由于不同位置的光刻图形高度不同,导致反射光的光程差存在差异,进而形成不同的干涉条纹。通过分析干涉条纹的形状、间距和强度等信息,结合光程差与表面高度的关系,能够精确计算出光刻图形的高度、深度、线宽等参数。 测量优势 白光干涉仪具有高精度、非接触、快速测量等显著优势。其测量精度可达纳米级别,能够准确捕捉光刻图形细微的尺寸变化;非接触式测量避免了对光刻图形的物理损伤,尤其适用于脆弱或精细的光刻结构;同时,测量过程快速高效,可实现实时在线检测,并通过专业软件对测量数据进行可视化处理,直观呈现光刻图形的形貌特征,便于工艺优化和质量控制。 实际应用 在光刻胶剥离前后,白光干涉仪都发挥着重要作用。剥离前,可用于测量光刻胶的厚度、光刻图形的初始形貌,评估光刻工艺的质量;剥离过程中,能够实时监测光刻胶的去除情况,判断剥离是否完全;剥离完成后,精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸,为后续工艺提供准确的数据支持,确保产品符合设计要求。 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题,实现一键智能聚焦扫描,亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术,Z向测量范围高达100mm,不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率,为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3)可搭载多普勒激光测振系统,实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 (以上为新启航实测样品数据结果) 1,优于1nm分辨率,轻松测量硅片表面粗糙度测量,Ra=0.7nm (以上为新启航实测样品数据结果) 2,毫米级视野,实现5nm-有机油膜厚度扫描 (以上为新启航实测样品数据结果) 3,卓越的“高深宽比”测量能力,实现深蚀刻槽深槽宽测量。