标签: 白光干涉仪

引言 在半导体制造与微纳加工行业，光刻胶剥离液的使用量庞大。传统剥离液存在环境污染、资源消耗等问题，可再生光刻胶剥离液凭借环保与可持续优势成为研究热点。同时，白光干涉仪在光刻图形测量中的应用，为保障工艺质量提供了关键技术支撑。 可再生光刻胶剥离液及其制备方法 常见可再生光刻胶剥离液类型 生物基剥离液 生物基剥离液以生物质为原料，如植物提取物、发酵产物等。其主要成分包含有机酸、醇类等天然物质，这些物质能够与光刻胶发生物理或化学反应，实现光刻胶的有效剥离。例如，利用柠檬酸等有机酸的络合能力，破坏光刻胶分子结构；以生物乙醇作为溶剂，增强对光刻胶的溶解性能。生物基剥离液具有来源广泛、可生物降解的特点，极大降低了对环境的污染 。 可回收型剥离液 可回收型剥离液通过特殊的分离技术，在使用后能够将其中的有效成分回收再利用。常见的回收方法包括蒸馏、萃取等。以含有特定有机溶剂的剥离液为例，使用后可通过蒸馏的方式，依据各成分沸点差异，将有机溶剂分离提纯，重新用于剥离液的配制。这种剥离液减少了原材料的消耗，降低了生产成本，同时也减少了废弃物的产生。 可再生光刻胶剥离液制备要点 制备生物基剥离液时，需对生物质原料进行预处理，如提取、发酵优化等，以提高有效成分的含量和活性。在成分复配阶段，要精确控制有机酸、溶剂、助剂等的比例，确保剥离液对不同类型光刻胶的剥离效果。对于可回收型剥离液，制备过程中需考虑后续回收工艺的适配性，选择合适的溶剂和添加剂，保证回收过程简单高效且不影响剥离液性能。此外，无论哪种类型，都要对剥离液的稳定性、腐蚀性等性能进行严格测试和优化，通过调整配方和工艺参数，使剥离液满足工业生产需求。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于光的干涉特性，将白光光源发出的光经分光镜分为测量光和参考光。测量光照射到待测光刻图形表面反射回来，与参考光相遇产生干涉条纹。由于光刻图形不同位置的高度差异，导致反射光的光程差不同，进而形成不同的干涉条纹图案。通过分析干涉条纹的形状、间距和强度等信息，结合光程差与表面高度的对应关系，可精确计算出光刻图形的高度、深度、线宽等参数。 测量优势 白光干涉仪具备高精度、非接触式测量的特点，其测量精度可达纳米级别，能够精准捕捉光刻图形细微的尺寸变化。非接触测量避免了对脆弱光刻图形的物理损伤，保证了样品的完整性。同时，测量速度快，可实现实时在线检测，并能通过专业软件对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形的形貌特征，便于工艺优化和质量控制。 实际应用 在使用可再生光刻胶剥离液的工艺中，白光干涉仪发挥着重要作用。剥离前，可测量光刻胶的厚度、光刻图形的初始形貌，评估光刻工艺的质量；剥离过程中，实时监测光刻胶的去除情况，判断剥离进程是否正常；剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为优化可再生剥离液配方和剥离工艺提供准确的数据支持，确保产品符合设计要求 。 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题，实现一键智能聚焦扫描，亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术，Z向测量范围高达100mm，不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率，为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3）可搭载多普勒激光测振系统，实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 （以上为新启航实测样品数据结果） 1，优于1nm分辨率，轻松测量硅片表面粗糙度测量，Ra=0.7nm （以上为新启航实测样品数据结果） 2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描 （以上为新启航实测样品数据结果） 3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现深蚀刻槽深槽宽测量。

引言 在半导体制造和微纳加工领域，光刻胶剥离是光刻工艺的重要环节。水平式光刻胶剥离工艺凭借其独特优势在工业生产中占据一席之地，而准确测量光刻图形对保障工艺质量、提升产品性能至关重要，白光干涉仪为此提供了可靠的技术手段。 水平式光刻胶剥离工艺 工艺特点与原理 水平式光刻胶剥离工艺将基片水平放置，通过特定的剥离设备使剥离液均匀覆盖基片表面，与光刻胶发生化学反应或物理作用，实现光刻胶的去除。该工艺相比传统垂直式工艺，剥离液在基片表面分布更均匀，能够有效避免因液体重力导致的剥离液分布不均问题，减少光刻胶残留和基片表面损伤风险。其原理主要基于剥离液对光刻胶的溶解、溶胀或化学反应，破坏光刻胶与基片之间的结合力，促使光刻胶从基片表面脱落。 工艺流程 首先，将完成光刻工艺的基片平稳放置于水平式剥离设备的载片台上，确保基片表面水平。随后，通过泵体将剥离液输送至基片表面，采用喷淋或旋转涂覆等方式，使剥离液快速且均匀地覆盖基片。在剥离液与光刻胶充分接触反应的过程中，依据光刻胶类型和剥离液特性，控制反应时间和温度。反应结束后，利用去离子水对基片进行冲洗，去除残留的剥离液和光刻胶碎屑，最后通过氮气吹干或热风干燥等方式使基片干燥，完成光刻胶剥离流程。 工艺优势与挑战 水平式光刻胶剥离工艺的优势显著，它能有效提高光刻胶剥离的均匀性和一致性，适用于大尺寸基片的剥离处理，在大规模生产中可提升产品良率。同时，水平放置的基片便于观察和检测剥离过程。然而，该工艺也面临一些挑战，如对设备的密封性和液体输送系统要求较高，以防止剥离液泄漏和挥发；并且需要精确控制剥离液的流量和覆盖时间，否则可能影响剥离效果，导致光刻胶残留或过度剥离。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于光的干涉原理，将白光光源发出的光经分光镜分为测量光和参考光。测量光照射到待测光刻图形表面反射回来，与参考光相遇产生干涉条纹。由于光刻图形不同位置的高度差异，致使反射光的光程差不同，进而形成不同的干涉条纹图案。通过分析干涉条纹的形状、间距和强度等信息，结合光程差与表面高度的对应关系，可精确计算出光刻图形的高度、深度、线宽等参数。 测量优势 白光干涉仪具备高精度、非接触式测量的特点，其测量精度可达纳米级别，能够精准捕捉光刻图形细微的尺寸变化。非接触测量避免了对脆弱光刻图形的物理损伤，保证了样品的完整性。此外，该仪器测量速度快，可实现实时在线检测，并能通过专业软件对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形的形貌特征，便于工艺优化和质量控制。 实际应用 在水平式光刻胶剥离工艺中，白光干涉仪在多个环节发挥重要作用。剥离前，可测量光刻胶的厚度、光刻图形的初始形貌，评估光刻工艺的质量；剥离过程中，实时监测光刻胶的去除情况，判断剥离进程是否正常；剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为后续工艺提供准确的数据支持，确保产品符合设计要求 。 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题，实现一键智能聚焦扫描，亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术，Z向测量范围高达100mm，不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率，为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3）可搭载多普勒激光测振系统，实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 （以上为新启航实测样品数据结果） 1，优于1nm分辨率，轻松测量硅片表面粗糙度测量，Ra=0.7nm （以上为新启航实测样品数据结果） 2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描 （以上为新启航实测样品数据结果） 3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现深蚀刻槽深槽宽测量。

引言 在半导体制造、微纳加工等领域，光刻胶剥离是光刻工艺的关键步骤。选择合适的剥离工具对高效去除光刻胶、保障基片质量至关重要。同时，精确测量光刻图形是确保工艺精度和产品性能的重要手段，白光干涉仪在其中发挥着不可替代的作用。 光刻胶剥离工具 湿法剥离设备 湿法剥离主要借助化学溶液与光刻胶发生反应实现剥离，常用设备包括浸泡槽、喷淋清洗机等。浸泡槽是最简单的湿法剥离工具，将带有光刻胶的基片浸入盛有剥离液的槽体中，通过剥离液与光刻胶的化学反应，使其溶解或溶胀后从基片表面脱落。为加快反应速度，常配备超声装置，利用超声波的空化效应，增强剥离液对光刻胶的渗透和剥离效果 。喷淋清洗机则通过高压喷头将剥离液均匀喷洒在基片表面，使剥离液与光刻胶充分接触，相比浸泡槽，其剥离效率更高，且能减少基片之间的交叉污染，适用于大规模生产。 干法剥离设备 干法剥离设备以等离子体刻蚀机为代表。在真空环境下，等离子体刻蚀机通过射频电源激发气体（如氧气、氟基气体等）产生等离子体。等离子体中的活性粒子与光刻胶发生物理轰击或化学反应，将光刻胶分解为挥发性气体排出。物理轰击主要依靠离子的动能破坏光刻胶分子结构；化学反应则通过活性粒子与光刻胶成分发生氧化、还原等反应实现剥离。干法剥离具有刻蚀选择性好、对基片损伤小、无污染残留等优势，尤其适用于对精度要求高的微纳结构光刻胶剥离，但设备成本较高，操作也相对复杂。 新兴剥离工具 随着技术发展，一些新兴的光刻胶剥离工具逐渐兴起。例如，激光剥离设备利用高能量激光束照射光刻胶，使其瞬间气化或分解，从而实现快速剥离。这种方法具有剥离速度快、精度高、对基片热影响小等特点，适用于去除特定材料或微小区域的光刻胶。此外，还有热剥离设备，通过加热基片使光刻胶因热分解或热膨胀而脱离基片表面，该方法操作简单，但对温度控制要求严格，否则可能损伤基片。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于光的干涉特性，将白光光源发出的光经分光镜分为测量光和参考光。测量光照射到待测光刻图形表面反射回来，与参考光相遇产生干涉条纹。由于光刻图形不同位置的高度差异，导致反射光的光程差不同，进而形成不同的干涉条纹图案。通过分析干涉条纹的形状、间距和强度等信息，结合光程差与表面高度的关系，可精确计算出光刻图形的高度、深度、线宽等参数。 测量优势 白光干涉仪具有高精度、非接触式测量的特点，其测量精度可达纳米级别，能够准确捕捉光刻图形细微的尺寸变化。非接触测量方式避免了对脆弱光刻图形的物理损伤，保证了样品的完整性。同时，测量速度快，可实现实时在线检测，并能通过专业软件对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形的形貌特征，便于工艺优化和质量控制。 实际应用 在光刻胶剥离前后，白光干涉仪均能发挥重要作用。剥离前，可测量光刻胶的厚度、光刻图形的初始形貌，评估光刻工艺的质量；剥离过程中，实时监测光刻胶的去除情况，判断剥离是否完全；剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为后续工艺提供准确的数据支持，确保产品符合设计要求。 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题，实现一键智能聚焦扫描，亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术，Z向测量范围高达100mm，不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率，为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3）可搭载多普勒激光测振系统，实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 （以上为新启航实测样品数据结果） 1，优于1nm分辨率，轻松测量硅片表面粗糙度测量，Ra=0.7nm （以上为新启航实测样品数据结果） 2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描 （以上为新启航实测样品数据结果） 3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现深蚀刻槽深槽宽测量。

引言 在半导体制造与微纳加工领域，光刻胶剥离液是光刻胶剥离环节的核心材料，其性能优劣直接影响光刻胶去除效果与基片质量。同时，精准测量光刻图形对把控工艺质量意义重大，白光干涉仪为此提供了有力的技术保障。 光刻胶剥离液及其制备方法 常见光刻胶剥离液类型 有机溶剂型剥离液 有机溶剂型剥离液以丙酮、N - 甲基吡咯烷酮（NMP）等有机溶剂为主体成分。丙酮对普通光刻胶的溶解能力强，能够快速渗透光刻胶内部，破坏其分子间作用力，使其溶解剥离 。NMP 则对多种光刻胶树脂具有良好的溶解性，且沸点较高，挥发性较低，在剥离过程中能保持稳定的性能。此类剥离液的优势在于剥离效率高、对基片损伤小，但有机溶剂多具有挥发性和毒性，使用过程中需做好防护，且易造成环境污染。 碱性剥离液 碱性剥离液通常以氢氧化钾、氢氧化钠等强碱为主要成分。其作用原理是通过与光刻胶中的酸性基团发生中和反应，破坏光刻胶的分子结构，使其从基片上脱落。为改善剥离效果，常添加表面活性剂、络合剂等助剂。表面活性剂可降低溶液表面张力，增强碱性溶液对光刻胶的浸润性；络合剂能与金属离子结合，防止其在基片表面残留，避免对基片造成腐蚀。碱性剥离液适用于多种光刻胶，且成本相对较低，但对某些金属基片可能存在腐蚀性。 光刻胶剥离液制备要点 在制备光刻胶剥离液时，需精准控制各成分比例。对于有机溶剂型剥离液，要根据光刻胶种类和性质，合理调配不同有机溶剂的混合比例，以达到最佳溶解效果。例如，在去除含特殊树脂成分的光刻胶时，可将 NMP 与少量其他极性溶剂混合，增强对光刻胶的溶解能力。制备碱性剥离液时，需严格控制碱的浓度，浓度过高可能腐蚀基片，过低则影响剥离效率；同时，助剂的添加量也需精确把控，以保证剥离液性能稳定。此外，制备过程中应采用适当的搅拌方式和时间，确保各成分充分混合均匀，提高剥离液的一致性和稳定性。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于光的干涉原理，将白光光源发出的光经分光镜分为两束，一束照射待测光刻图形表面反射回来，另一束作为参考光，两束光相遇产生干涉条纹。由于光刻图形不同位置高度存在差异，导致反射光光程差不同，干涉条纹的形状、间距和强度也随之变化。通过分析干涉条纹特征，结合光程差与表面高度的对应关系，能够精确获取光刻图形的高度、深度、线宽等参数。 测量优势 白光干涉仪具备高精度、非接触式测量特性，测量精度可达纳米级，能够准确捕捉光刻图形细微的尺寸变化。非接触测量避免了对脆弱光刻图形的物理损伤，保证样品完整性。同时，测量速度快，可实现实时在线检测，并通过专业软件对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形形貌，为工艺优化和质量控制提供有力支持。 实际应用 在光刻胶剥离前后，白光干涉仪均发挥重要作用。剥离前，可测量光刻胶厚度、光刻图形初始形貌，评估光刻工艺质量；剥离过程中，实时监测光刻胶去除情况，判断剥离进程；剥离完成后，精确测量残留光刻胶厚度、基片表面粗糙度以及光刻图形最终尺寸，为后续工艺提供数据依据，确保产品符合设计要求 。 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题，实现一键智能聚焦扫描，亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术，Z向测量范围高达100mm，不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率，为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3）可搭载多普勒激光测振系统，实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 （以上为新启航实测样品数据结果） 1，优于1nm分辨率，轻松测量硅片表面粗糙度测量，Ra=0.7nm （以上为新启航实测样品数据结果） 2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描 （以上为新启航实测样品数据结果） 3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现深蚀刻槽深槽宽测量。

引言 在半导体制造、微纳加工等领域，光刻胶剥离是光刻工艺的关键环节之一，直接影响后续工艺的进行和最终产品的质量。而对光刻图形的精确测量，能够有效监控光刻工艺和光刻胶剥离效果，白光干涉仪为此提供了可靠的技术手段。 光刻胶剥离方法 湿法剥离 湿法剥离是目前应用较为广泛的方法，其原理是利用化学试剂与光刻胶发生化学反应，使光刻胶溶解或溶胀，从而实现剥离。常用的剥离液包含有机溶剂、碱性溶液等。有机溶剂如丙酮、N - 甲基吡咯烷酮（NMP），能溶解光刻胶中的树脂成分；碱性溶液则通过与光刻胶中的酸性基团反应，破坏光刻胶的分子结构 。在实际操作中，将带有光刻胶的基片浸入剥离液中，经过一定时间的浸泡和超声辅助，可加速剥离过程。湿法剥离具有设备简单、成本低、处理效率高的优点，但存在环境污染、对某些敏感材料可能造成腐蚀等问题。 干法剥离 干法剥离主要借助等离子体技术，在真空环境下，通过射频电源激发气体产生等离子体。等离子体中的活性粒子（离子、原子、自由基等）与光刻胶发生物理或化学反应，将光刻胶分解为挥发性气体排出。常见的气体有氧气、氟基气体等，氧气等离子体常用于去除有机光刻胶，通过氧化反应将光刻胶转化为二氧化碳和水等挥发性物质；氟基气体则适用于去除含硅光刻胶。干法剥离具有刻蚀选择性好、对基片损伤小、环境友好等优势，但设备成本较高，且可能产生等离子体诱导损伤。 其他新兴方法 随着技术发展，一些新兴的光刻胶剥离方法也逐渐受到关注。例如，激光剥离利用高能量激光束照射光刻胶，使其瞬间气化或分解实现剥离；热剥离则通过加热基片，使光刻胶因热分解或热膨胀而脱离基片。这些方法在特定场景下展现出独特优势，为光刻胶剥离提供了更多选择。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于白光干涉的基本原理，将白光光源发出的光经分光镜分为两束，一束投射到待测光刻图形表面反射回来，另一束作为参考光，两束光相遇产生干涉。由于不同位置的光刻图形高度不同，导致反射光的光程差存在差异，进而形成不同的干涉条纹。通过分析干涉条纹的形状、间距和强度等信息，结合光程差与表面高度的关系，能够精确计算出光刻图形的高度、深度、线宽等参数。 测量优势 白光干涉仪具有高精度、非接触、快速测量等显著优势。其测量精度可达纳米级别，能够准确捕捉光刻图形细微的尺寸变化；非接触式测量避免了对光刻图形的物理损伤，尤其适用于脆弱或精细的光刻结构；同时，测量过程快速高效，可实现实时在线检测，并通过专业软件对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形的形貌特征，便于工艺优化和质量控制。 实际应用 在光刻胶剥离前后，白光干涉仪都发挥着重要作用。剥离前，可用于测量光刻胶的厚度、光刻图形的初始形貌，评估光刻工艺的质量；剥离过程中，能够实时监测光刻胶的去除情况，判断剥离是否完全；剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为后续工艺提供准确的数据支持，确保产品符合设计要求。 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题，实现一键智能聚焦扫描，亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术，Z向测量范围高达100mm，不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率，为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3）可搭载多普勒激光测振系统，实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 （以上为新启航实测样品数据结果） 1，优于1nm分辨率，轻松测量硅片表面粗糙度测量，Ra=0.7nm （以上为新启航实测样品数据结果） 2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描 （以上为新启航实测样品数据结果） 3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现深蚀刻槽深槽宽测量。