引言 在半导体器件制造工艺中,硅基 MICRO OLED 的制作工艺尤为关键,其中阳极像素光刻内切结构的精确制作对于提升 OLED 性能起着重要作用。同时,在光刻工艺中,对光刻图形的精准测量是确保产品质量与性能的必要环节,白光干涉仪在此方面展现出独特优势。 硅基 MICRO OLED 阳极像素光刻内切结构 传统光刻工艺在制作硅基 OLED 阳极像素光刻内切结构时,通常在硅片底部涂覆剥离胶,再涂光刻胶,经曝光、显影来形成结构。然而,此方法受温度等因素影响大,内切结构稳定性差、精度低,显影后易出现底部外延及阳极金属粘连问题。为解决这些问题,新型的硅基 OLED 阳极像素光刻内切结构被提出。该结构一般由硅片、正性光刻胶 B - PR、正性光刻胶 T - PR 和金属阳极组成。在制作时,先在硅片上涂覆正性光刻胶 B - PR,使用特定线宽掩模版(如 0.5 - 1.0 微米线宽)通过 i 线光刻机进行第一次曝光。接着,在正性光刻胶 B - PR 上旋涂正性光刻胶 T - PR,更换为 0.5 - 1.5 微米线宽掩模版后,再次用 i 线光刻机曝光。最后进行显影,得到理想型内切结构形貌。正性光刻胶 B - PR 分辨率 i - line 极限线宽可达 0.3 - 1 微米,正性光刻胶 T - PR i - line 线宽可达 0.5 - 1.5 微米,能够精确控制内切结构的尺寸和深度,有效消除底部外延,为制作高分辨率 OLED 理想阳极像素奠定良好基础。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪利用白光干涉原理工作。其通过测量反射光与参考光之间的光程差,来精确获取待测表面的高度信息。在测量光刻图形时,将待测样品放置在载物台上,调整位置使测量区域位于干涉仪头视场范围内。仪器发出的白光经分光镜分为两束,一束照射到样品表面反射回来,另一束作为参考光,两束光相遇产生干涉图样。通过分析干涉图样,就能得到光刻图形的相关参数。 测量优势 白光干涉仪具有诸多优势。首先是高精度,其测量精度通常可达纳米级别,对于微小的光刻图形深度、凹槽深度和宽度测量具有极高准确性,这是许多其他测量方法难以企及的。其次,它属于非接触式测量,避免了传统接触式测量可能对光刻图形造成的损伤,保证了样品的完整性与原有性能。再者,测量速度快,可实现在线测量和实时监控,极大提高了生产检测效率。而且,测量数据能通过专业软件进行可视化处理,以直观的图像和清晰的数据展示测量结果,便于分析与评估光刻图形质量。 实际应用 在光刻工艺中,白光干涉仪可用于测量光刻胶薄膜表面形貌、光刻深度、凹槽深度和宽度等关键参数。例如,在半导体制造中,对于硅基 MICRO OLED 的光刻图形,能精确测量其阳极像素光刻内切结构的深度和宽度,判断是否符合设计要求,确保器件性能。在光学元件制造领域,也可用于检测微纳结构的光刻图形质量,保障光学元件的光学性能。 TopMap Micro View白光干涉3D轮廓仪 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题,实现一键智能聚焦扫描,亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术,Z向测量范围高达100mm,不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率,为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3)可搭载多普勒激光测振系统,实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 1,优于1nm分辨率,轻松测量硅片表面粗糙度测量,Ra=0.7nm 2,毫米级视野,实现5nm-有机油膜厚度扫描 3,卓越的“高深宽比”测量能力,实现光刻图形凹槽深度和开口宽度测量。