编辑： ll ASE50N30-ASEMI 智能家居专用 ASE50N30 型号： ASE50N30 品牌： ASEMI 封装： TO-247 批号：最新 最大漏源电流： 50A 漏源击穿电压： 300V RDS （ ON ） Max ： 68m Ω 引脚数量： 3 沟道类型： N 沟道 MOS 管、中低压 MOS 管 漏电流： ua 特性： N 沟道 MOS 管、场效应管 工作温度： -55 ℃ ~150 ℃ 一、硬核参数：重新定义高功率 MOS管标准 作为 N沟道增强型MOSFET，50N30专为极端工况下的稳定运行而设计，核心性能全面升级： 超高电流能力 ：连续漏极电流（ID） 50A ，脉冲电流可达 200A ，轻松应对电机启动、电源浪涌等瞬时过载； 耐压与可靠性 ：漏源电压（VDS）30V，结合先进雪崩耐量设计，保障工业级设备在电压波动下的安全运行； 能效革命性突破 ：导通电阻（RDS(on)）低至 6mΩ （@VGS=10V），较同类产品降低20%以上，显著减少热损耗，提升系统整体效率。 二、五大核心技术，解锁极致性能 沟槽工艺升级：更低阻抗，更高电流 采用第四代沟槽栅极技术，优化载流子迁移路径，在同等封装尺寸下实现 50A电流承载，为高密度电源设计提供可能。 智能热管理：封装与散热的双重革新 TO-247 Plus或D2PAK封装搭配铜夹键合技术，热阻（RθJA）降低至 0.5℃/W ，支持无散热片下的长时间满载运行，适用于空间受限的便携设备。 超快动态响应： MHz级开关频率 栅极电荷（ Qg）仅 80nC ，反向恢复时间（trr）＜ 100ns ，完美适配高频LLC谐振拓扑、无线充电等前沿应用，减少开关损耗高达30%。 工业级鲁棒性：无惧极端环境挑战 通过 AEC-Q101车规认证及100% UIS（雪崩能量）测试，工作温度范围覆盖 -55℃~175℃ ，适用于户外能源设备、车载电子等恶劣环境。 环保与寿命保障：符合绿色能源趋势 支持无铅焊接与 RoHS标准，MTBF（平均无故障时间）超 10万小时 ，契合碳中和背景下的可持续设计需求。 三、全场景覆盖：从工业到消费电子的性能引擎 工业自动化 ：伺服驱动器、PLC控制模块的功率开关核心； 新能源系统 ：光伏MPPT控制器、储能PCS逆变器的关键组件； 电动交通 ：电动两轮车、AGV小车电机控制的理想选择； 智能家居 ：超薄TV电源、高端家电变频电路的“隐形心脏”； 数据中心 ：48V服务器电源、GPU供电模组的高效解决方案； 快充革命 ：100W+氮化镓快充的同步整流MOS管升级之选。 四、设计实战指南：释放 50N30的极限潜力 驱动优化 ：推荐栅极驱动电压 10-15V ，搭配低阻抗驱动电路以降低开关振铃； 热设计策略 ：多并联应用时采用对称布局+均流设计，避免局部过热； EMI抑制 ：在漏极串联RC吸收电路，平衡高频应用下的电磁干扰； 成本与性能平衡 ：利用其低RDS(on)特性，可减少并联器件数量，降低BOM成本。
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