编辑： LL ASE13N45-ASEMI 照明驱动专用 ASE13N45 型号： ASE13N45 品牌： ASEMI 封装： TO-220F 最大漏源电流： 13A 漏源击穿电压 ： 450V 批号：最新 RDS （ ON ） Max ： 0.45 Ω 引脚数量： 3 沟道类型： N 沟道 MOS 管 封装尺寸：如图 特性： MOS 管、 N 沟道 MOS 管 工作结温 ： - 55 ℃~1 50 ℃ ASE 13N45 MOS管是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，专为高电压、大电流场景设计。其关键参数包括： 漏源电压（ VDS） ： 450V ，适用于高压电路环境 。 连续漏极电流（ ID） ： 13A ，满足大功率负载需求 。 导通电阻（ RDS(ON)） ： 450mΩ （ VGS=10V ），有效降低导通损耗，提升效率 。 阈值电压（ Vth） ： 3.5V ，兼容主流驱动芯片，简化电路设计 。 得益于 超结多外延技术 ， ASE 13N45在高压下仍保持低损耗，同时具备优异的热稳定性和抗冲击能力。 工业电源与逆变器 在 AC-DC电源模块和逆变器中， ASE 13N45的高耐压特性可稳定处理交流整流后的高压直流信号，适用于光伏逆变器和UPS系统。 电动车电机驱动 作为电机控制器中的功率开关元件， ASE 13N45的低导通电阻显著降低发热，延长电动车续航里程。 LED照明驱动 结合 PWM调光电路， ASE 13N45可精准控制大功率LED灯组的亮度与电流，提升整体能效。 防反接与预充保护电路 通过搭配 PMOS或继电器， ASE 13N45可设计为防电源反接模块或容性负载缓启动电路，保护后端设备安全 。
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