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编辑： ll ASE20N45-ASEMI 智能照明专用 ASE20N45 型号： ASE20N45 品牌： ASEMI 封装： TO-220F 批号：最新 最大漏源电流： 20A 漏源击穿电压： 450V RDS （ ON ） Max ： 0.30 Ω 引脚数量： 3 沟道类型： N 沟道 MOS 管、中低压 MOS 管 漏电流： ua 特性： N 沟道 MOS 管、场效应管 工作温度： -55 ℃ ~150 ℃ 在电力电子系统不断追求小型化与高效化的今天，工程师们面临的核心挑战是如何在有限的空间内实现更高的功率输出，同时降低能耗与温升。 ASE ‌ 20N45 MOS管 ‌作为新一代高压MOSFET的标杆产品，凭借其‌ 20A大电流承载能力 ‌、‌ 450V超高耐压 ‌和‌ 创新封装技术 ‌，正在为工业电源、新能源设备及智能硬件领域注入强劲动力。‌ 在电动汽车快充桩、 5G基站电源、储能变流器等场景中，功率密度与能效的平衡直接决定设备竞争力。传统MOS管受限于电流容量和散热性能，难以满足紧凑型设计需求，而‌20N45 MOS管 ‌通过三大技术突破打破僵局： ‌ 20A持续电流+50A脉冲电流，功率承载跃升30% ‌ 相较于前代产品， ASE 20N45的连续漏极电流（ID）提升至20A，脉冲电流（IDM）高达50A，可轻松应对瞬时过载和浪涌冲击。结合其450V漏源击穿电压（VDS），完美适配380V工业电网及600V以下直流母线系统。 ‌ 0.15Ω超低导通电阻，损耗再降新高度 ‌ 通过优化芯片结构与沟槽工艺， ASE 20N45的导通电阻（RDS(on)）降至0.15Ω（@VGS=10V），较同类450V MOSFET降低25%。在15A工作电流下，其导通损耗仅3.375W，显著减少散热需求，助力无风扇静音设计。 ‌ TO-220FN创新封装，热阻降低18% ‌ 采用全塑封绝缘封装与内部铜夹片连接技术，热阻（ RθJC）低至1.5℃/W，搭配PCB散热铺铜可实现100W+功率耗散。封装体积与传统TO-220兼容，却无需额外绝缘垫片，简化装配流程。‌ ‌ 工业电源与数据中心 ‌ 在 3kW以上服务器电源和模块化UPS中， ASE 20N45可替代多颗并联的低电流MOS管，单管实现千瓦级输出，减少PCB面积占用30%，同时支持100kHz以上高频开关，提升电源功率密度。 ‌ 新能源与电动汽车 ‌ 作为光伏逆变器 DC-AC模块的“心脏”，其450V耐压可直接适配1000V光伏组串输入，降低Boost电路复杂度；在车载OBC（充电机）中，支持11kW快充架构，温升较IGBT方案降低40%。 ‌ 高端消费电子与机器人 ‌ 面向 200W PD3.1快充、智能家储系统及协作机器人关节驱动， ASE 20N50的高频特性（开关时间35ns）可减少电磁干扰，结合SiC二极管实现98%以上能效，延长电池续航。 ‌ 智能照明与电机控制 ‌ 在剧院级 LED舞台灯驱动或AGV无人车电机控制器中，其低导通损耗与快速反向恢复特性，可消除PWM调光频闪，支持电机0-20kHz精准调速，噪音降低50%。