编辑： LL 18N50-ASEMI 工业自动化专用 18N50 型号： 18N50 品牌： ASEMI 封装： TO-220F 最大漏源电流： 18A 漏源击穿电压 ： 500V 批号：最新 RDS （ ON ） Max ： 0.32 Ω 引脚数量： 3 沟道类型： N 沟道 MOS 管 封装尺寸：如图 特性： MOS 管、 N 沟道 MOS 管 工作结温 ： - 55 ℃~1 50 ℃ 18N50 系列 是专为高压、高可靠性场景设计的 N 沟道场效应管，凭借其 低损耗、高耐压、强驱动能力 ，成为工业电源、新能源设备和智能控制领域的核心元件 。 核心优势 高压大电流特性 漏源电压（ VDS ） 覆盖 500V 至 650V ，支持高压电源模块及逆变器设计。 漏极电流（ ID ） 达 18A-20A ，满足大功率负载需求，适用于电机驱动和开关电源。 高效能技术 超低导通电阻 ：典型值 0.22Ω-0.32Ω@VGS=10V ，减少导通损耗，提升系统效率。 快速切换能力 ：低栅极电荷（ 42nC-50nC ） ，优化开关频率，适用于高频电路设计。 工业级可靠性 增强型雪崩耐量 ：通过 100% 雪崩测试 ，确保极端电压下的稳定性。 宽温域支持 ：工作温度范围可达 -55℃ 至 150℃ ，适配严苛环境。 应用场景 电源模块 ：适配开关电源、 DC-DC 转换器，优化能量转换效率 。 新能源设备 ：用于光伏逆变器、电动车控制器，实现高压电能管理 。 工业自动化 ：驱动电机、紫外线灯镇流器，提升设备响应速度 。 LED 照明 ：集成于高亮度驱动电路，降低温升并延长 使用 寿命 。
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