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TSS Thyristor Surge Suppresser，是电压开关型瞬态抑制二极管，或者叫半导体放电管、固体放电管等。TSS管是利用半导体工艺制成的保护器件，主要用于信号电路的防雷，不能用于电源端口。 TSS反应速度快，残压低，结电容小（几十pf），可靠性好，一致性好，使用寿命长。在信号电平较高的线路保护时，通流量比TVS大，保护效果也比TVS好。 TSS参数 Vdrm & Idrm 断态电压与漏电流：Vdrm表示TSS不导通的最高电压，在这个电压下，只有很小的漏电流Idrm。 Vs & Is 转折电压与转折电流：TSS开始导通的的标志电压，通过规定的测试电流Is（一般为800mA）时的电压。 Vt & It 通态电压与通态电流：当电压升高达到转折电压Vs时，TSS完全导通，呈现很小的阻抗，器件两端电压立即下降到一个很低的数值（一般为4V@2.2A）。 Ipp 脉冲峰值电流：TSS能够承受的最大脉冲电流。 Ih 维持电流：TSS继续保持导通状态的最小电流，一旦小于维持电流，TSS就恢复到截止状态。 Co 结电容：TSS在静态时的电容值。 选型参数： Vdrm：截止电压必须大于被保护电路的最大工作电压； Vs：转折电压必须小于设备能承受的最大瞬态峰值电压； Ih：维持电流必须大于设备的工作电流和短路电流； Co：寄生电容根据电路需求选择； Ipp：根据电路后浪涌测试标准要求来选择。 浪涌计算 以下面器件参数为例： TSS一般放置在信号端口，常用波形为10/700us，浪涌发生器内阻为42欧姆，TSS的最大通流能力是150A，那么TSS在10/700us波形下，能够承受的最大电压为 42Ω * 150A = 6300V，即为6KV，满足绝大多数情况的需求。 小贴士：RS485信号的工作电压可达12V，但业内常用Vdrm为6V的TSS，不符合上面的选型标准。据称是Idrm随着电压升高，其变化是uA级的，只有升高到Vs附近时，才打到mA级，这不是线性增长关系，故可以使用6V的TSS。 这也应该可以应用在其他信号电路上，只要工作电压远小于Vs，就可以选择工作电压大于Vdrm的TSS，这个可以降低Vs，更加有利于保护后级电路。

    硕凯电子SOCAY半导体放电管工作原理及选型应用                                          Socay （Sylvia）   1、产品简述 半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管使用。但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流元件，使其续流小于最小维持电流。半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。           2、工作原理 •反向工作状态（K端接正、A端接负） •正向工作状态（A端接正、K端接负） ①阻断区：此时器件两端所加电压低于击穿电压，J1正偏，J2为反偏，电流很小，起了阻挡电流的作用，外加电压几乎都加在了J2上。 ②雪崩区：当外加电压上升接近J2结的雪崩击穿电压时，反偏J2结空间电荷区宽度扩展的同时，结区内电场大大增强，从而引起倍增效应加强。于是，通过J2结的电流突然增大，并使流过器件的电流也增大，这就是电压增加，电流急剧增加的雪崩区。 ③负阻区：当外加电压增加到大于VBO时，由于雪崩倍增效应而产生了大量的电子空穴对，此时这些载流子在强场的作用下，电子进入n2区，空穴进入p1区，由于不能很快复合而分别堆积起来，使J2空间电荷区变窄。由此使p1区电位升高、n2区电位下降，起了抵消外电压的作用。随着J2结区电场的减弱，降落在J2结上的外电压将下降，雪崩效应也随之减弱。另一方面，J1、J3结的正向电压却有所增加，注入增强，造成通过J2结的电流增大，于是出现了电流增加电压减小的负阻现象。 ④低阻通态区：如上所述，雪崩效应使J2结两侧形成空穴和电子的积累，造成J2结反偏电压减小；同时又使J1、J3结注入增强，电流增大，因而J2结两侧继续有电荷积累，结电压不断下降。当电压下降到雪崩倍增完全停止，结电压全部被抵消后，J2结两侧仍有空穴和电子积累时，J2结变为正偏。此时，J1、J2和J3全部为正偏，器件可以通过大电流，因而处于低阻通态区。完全导通时，其伏安特性曲线与整流元件相似。   3、特性曲线     4、主要特性参数 ①断态电压VRM与漏电流IRM：断态电压VRM表示半导体过压保护器不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的漏电流IRM。 ②击穿电压VBR：通过规定的测试电流IR（一般为1mA）时的电压，这是表示半导体过压保护器开始导通的标志电压。 ③转折电压VBO与转折电流IBO：当电压升高达到转折电压VBO（对应的电流为转折电流IBO）时，半导体过压保护器完全导通，呈现很小的阻抗，两端电压VT立即下降到一个很低的数值（一般为5V左右）。 ④峰值脉冲电流IPP：半导体过压保护器能承受的最大脉冲电流。 ⑤维持电流IH：半导体过压保护器继续保持导通状态的最小电流。一旦流过它的电流小于维持电流IH，它就恢复到截止状态。 ⑥静态电容C：半导体过压保护器在静态时的电容值。    5、命名规则     6、封装及分类      半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。     7、产品特点 优点： ①击穿（导通）前相当于开路，电阻很大，没有漏电流或漏电流很小； ②击穿（导通）后相当于短路，可通过很大的电流，压降很小； ③具有双向对称特性。 ④响应速度都很快，ns级。 ⑤击穿电压一致性好。 缺点： ①通流量较小，只有几百A。 ②击穿电压只有若干特定值。 ③电容较大，有几十至几百pF 。    8、选型及应用 使用指导： 参照瞬态抑制二极管（TVS管）。与TVS管不同的是它导通后电压很低，要特别注意防止过大的续流损坏电路元件，包括半导体过压保护器本身，因此所用的限流电阻应选得更大些。    （a）变压器与Tip和Ring连接界面       （b）CDSL 保护电路