tag 标签: 芯片

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  • 2021-1-11 14:34
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    RGBW舞台灯降压恒流led驱动芯片方案分析H6228E
    H6228E 是一款连续电感电流导通模式的降压恒流源,用于驱动一颗或多颗串联 LED 。 H6228E 输入电压范围从 4 伏到 60 伏,具有 200mV±3 基准电压,输出电流通过一个外部电阻设定,可达 1. 5 安培。根据不同的输入电压和外部器件, H6228E 可以驱动高达数十瓦的 LED 。 H6228E 内置功率开关,采用高端电流采样设置 LED 平均电流,专用调光端 DIM 引脚可以接受模拟调光和宽范围的 PWM 调光。内置过温软保护功能,当温度过高时自动降低 LED 电流,提高系统可靠性并避免高温运行可能的闪烁问题。 H6228E 采用 SOT89-5 封装和 ESOP8 封装。 DEMO演示图: 外部元器件 少 输入电压范围 4 V 到 60 V 输出 1. 5 A 的电流 200mV±3% 的电流基准 复用 DIM 引脚进行 LED 开关、模拟调光和 PWM 调光 LED 开路自然保护 峰值效率高达 9 8 % 过温软保护减少闪烁 增强散热能力的 ESOP8 封装可用于大功率驱动 调光深度 0.1% PWM 调光 支持多路共阳极 压差 5-10V 调光曲线图:
  • 2021-1-6 10:51
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    LED背光升压恒流驱动芯片方案 性能稳定待机功耗低高效率H6911
    ● 概述 H6911 是一款 外 置 NMOS 高效率、高精度的升压型大功率 LED 恒流驱动芯片。 H6911 内置高精度误差放大器,固定关断时间控制电路,恒流驱动电路等,适合大功率、多个高亮度 LED 灯串恒流驱动。 H6911 采用固定关断时间的控制方式,关断时间可通过外部电容进行调节,工作频率可根据用户要求而改变。 H6911 通过调节外置的电流采样电阻,能控制高亮度 LED 灯的驱动电流,使 LED 灯亮度达到预期恒定亮度。在 EN 端加 PWM 信号,还可以进行 LED 灯调光。 H6911 内部集成了 VDD 稳压管,软启动以及过温保护电路,减少外围元件并提高系统可靠性。 H6911 采用 ESOP8 封装。 ● 特点 宽输入电压范围: 2.5 V~ 24 V 外置 MOS 高效率:可高达 95% 输出电压: Vin*5 FB 电流采样电压: 250mV 芯片供电欠压保护: 3.2V 关断时间可调 外置频率补偿脚 智能过温保护 短路保护 调光深度 0.1% 调光辉度 65536 级 调光频率 25K 静态电流 3uA 软启动 内置 VDD 稳压管 ● 应用领域 LED 灯杯 电池供电的 LED 灯串 平板显示 LED 背光 大功率 LED 照明 典型原理图:
  • 热度 8
    2020-11-9 09:51
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    这品牌的芯片价格一夜之间上涨了几倍?!
    2020年11月2号,公布的10月财新中国制造采购经理人指数PMI以上涨到53.6,为2011年2月以来最高值,说明制造业景气已经显著提升。 随着经济的逐步回暖,制造业的复苏,电子元器件的需求自然跟着上涨。而需求量一旦上来,随之而来的就是现货供应的哄抬涨价,今日在众多的上涨浪潮中感受最深刻的品牌就是ST的MCU了。 像STM32F107VCT6这颗料,杭州一数字设备采购经理——杨经理在8月份做物料价格梳理的时候,当时STM32F107VCT6的进价为:¥13.9,价格与之前的进价差异不大; 此时,杨经理将采购计划制定为需求进行采购。而到了10月份,突接到客户订单,线路板需要在10天内贴片完成进入半成品组装。然而,杨经理接到的几家供应商的报价使他闷闷不乐,因为此时的价格已经上涨到30元一颗;按照一批需求量为3000个,那么,杨经理此订单的采购总成本是上涨了48300元。这还不包括其他物料的价格上涨。 杨经理没有提前把握住市场的变化,导致现如今需要花更多的金钱去采购,成本直线攀升。由此可见,此次上涨的趋势迅猛,并且对总成本的影响剧烈。 产品上涨数据分析 根据各大电子平台数据显示,自9月份以来ST品牌的STM32H7、STM321、STM32F1、STM32F4等已逐渐登上热搜榜,成为热门涨价型号。 2020年10月STM价格涨幅榜 2020年10月STM价格涨幅榜—柱形图 由上图可得,STM32F103VCT6+的价格涨幅最高达119%,而STM32F103C6T6A、STM32F103C8T6两个的价格涨幅紧随其后,均为103%,其余颗料也均呈上涨趋势。另外,价格的疯狂上涨,需求热度的高居不下,交付的货期之长,对于元件采购人来说,都是令人头痛的一大事。 芯仔分析小结 目前,ST的MCU价格上涨速度过快,且价格波动较大的原因,与ST在全球通用MCU市场处于领先地位有很大的关联。 其STM系列的8位以及32位MUC,在2017年就已占全球20%份额。ST公司的MCU(微控制器)在10年间增长了12倍,单STM8系列11年间就出了40亿片。 最重要的是,MCU的通用市场巨大,而商家总是善于在需求旺盛的地方制造商机。在ST的MCU通用领域里,出现了大量投机现货商也不足以为奇;在市场的需求下,任何一丝的风吹草动都可能激起涨价的涟漪。毕竟,谁叫货在他手,在你这则是产线出货为首,自然形成了一个被动的采购状态。 因此,作为精明的元件采购人,应当对每个品牌的市场逻辑都能够形成一定程度的理解,这会更加有利于自己制定采购计划的时候,能有更加智慧的决策。就比如说,上文提到的杨经理,要是在8月份提前做好库存的储备,也就不会导致在10月份的时候,需要白白多花四万多人民币,去采购一颗元件的倒悬之急的场面发生了。 * *有采购芯片需求(样板可售),详情联系芯广场公众号。
  • 热度 4
    2020-11-3 10:32
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    配图来自Canva可画 伴随着智能手机革命而兴起的移动互联网时代,为我国经济社会发展注入了巨大的活力,同时也使得全国上下对互联网、半导体、集成电路(芯片)等产业的重视程度不断提高。而集成电路是半导体产业的重要组成部分,也是我国半导体产业发展最受关注的焦点。 从2014年印发《国家集成电路产业发展推进纲要》开始,政府对集成电路产业的扶持政策提升至国家战略层面,并设立国家产业投资基金。尤其在2017年-2018年之后,我国几乎开始以破釜沉舟的决心推动集成电路产业的发展,各级政府纷纷出台扶持政策,一时间全国上下掀起了一阵造芯热潮。 前赴后继的造芯梦想家们 在这波造芯热潮中,成功崛起的企业屈指可数,相比庞大的芯片企业基数微不足道,堪称是“一将成名万骨枯”。而在那些被淘汰的企业中,有一些甚至造成了百亿规模的严重损失。 首先是抵押了7nm光刻机的武汉弘芯。 2017年11月,弘芯半导体项目在武汉成立,号称拥有14纳米工艺自主研发技术,要攻克7nm,还拥有大陆唯一一台7nm光刻机,请来业界大佬台积电前任CTO蒋尚义担任CEO。然而,三年之后,项目被曝烂尾,弘芯被多个分包公司告上法庭。 根据相关信息披露,武汉弘芯项目投资总额1280亿元,截至 2019 年底已完成投资153 亿元,2020年计划投资87亿元。如今项目烂尾,7nm光刻机被拿去抵押,造成的经济损失高达上百亿元。 其次是牵手格罗方德的成都格芯。 成都格芯于2017年5月份启动,由全球第三大晶圆代工厂格罗方德和成都市政府合作组建,规划投资 90.53 亿美元,当时被称为格罗方德在全球投资规模最大、技术最先进的生产基地。 成都政府为格芯建厂投入70亿元,负责厂房、配套的建设和研发、运营、后勤团队的组建。然而,没能等到正式投产的日子,建厂两年不到格芯就停摆了,于2019年5月下发停工、停业通知,造成的经济损失接近百亿。 还有想做IDM晶圆厂的南京德科码。 德科码(南京)半导体成立于2015年11月,总投资约25亿美元,规划生产电源管理芯片、微机电系统芯片等。此外,该项目还将建设8英寸/12英寸晶圆制造厂、封装测试厂、设备再制造厂、科研设计中心、IC设计企业和配套生活区。 德科码曾被寄予厚望,然而因为缺乏融资能力,最终还是迅速烂尾,2019年11月5日被南京当地政府公布为失信被执行人。 这些在不同地区创立的造芯项目在启动之初都声势浩大,同样都在短短几年之内先后陷入烂尾、停产、劳务纠纷,造成严重的经济损失,也让众多参与者的造芯梦碎了一地。 这些企业起初都是打着“国产芯”的旗号,大肆宣传“芯片自主”,然后仓促上马,转瞬之间铩羽而归,最终留下一地鸡毛。令人不安的是,在一众芯片企业中,很可能这样急功近利搞“造芯运动”的并不在少数。 造芯考验芯片企业的长期耐力 在当前愈演愈烈的造芯热潮中,尽管我们已经看到中芯国际、长江存储、寒武纪等一批初具规模的企业成长起来。但更多的是在“政策补贴”的带动效应以及“国产替代”的呐喊声中旋生旋灭的泡沫。 或许这种“沙里淘金”的经历,也是产业发展无法逃掉的“必修课”,但当前有些地区和企业交出的“学费”实在是有些太高了。 在政策和资本的加持下,如今席卷全国的“造芯热”仍在不断被推向一波又一波的新高潮。企查查数据显示,目前我国共有4.63万家芯片相关企业,2019年相关企业新增0.58万家,今年前三季度新增企业1.28万家,其中三季度新注册0.62万家,同比增长288.4%,环比增长34.8%。 但集成电路是资本、技术密集型产业,能够脱颖而出的企业终究属于少数。如今国内声势浩大的造芯运动,最终能够有所成就的也只会是少数参与者,其中大多数地区和企业的努力,注定难以获得预期中的回报。 毕竟回顾数十年的行业发展史,全球范围内最终也只有台积电、英特尔、镁光等少数巨头能够幸存至今。国内集成电路发展,同样脱离不了行业的客观规律。 芯片自主更需要集中化布局 国产集成电路产业发展面临着非常复杂的内外环境。从外部环境综合来看,就是必须加快实现芯片自主;而从内部环境来说,各地区都想自己把半导体新兴产业搞出成绩。在这样的环境中,出现“造芯热”有着一定的必然性。 不过事实上很多损失都可以避免,集成电路产业本身在技术和人才方面就业很高的门槛,在脱离“浮躁”、“侥幸”心态之后,不难认识到,要想真正加速推进集成电路发展,与其任由各地遍地开花的建设产业园,不如集中资源重点发展几家企业,而当前国家已经表示将进一步加强规划布局。 另外,在集成电路产业方面,我国只是在少数几个领域有明显短板,并非全面落后于国际先进水平。 在IC设计领域,除了华为海思,紫光展锐、中兴等企业同样具备7nm以下的先进制程芯片设计能力;在封装测试领域,国内的长电科技是全球排名前三的封测龙头。 IC制造领域算是我国集成电路产业的短板,而更底层的半导体设备和半导体材料领域,同样较国际先进水平存在显著差距。 更具体地进行分析,我国晶圆制造的先进制程工艺是最大的短板,而关键的难点是国产光刻机相比阿斯麦落后太多。阿斯麦已经量产的EUV光刻机可以应用于5nm以下的晶圆制造,据传2021年将推出面向3nm以下的下一代EUV光刻机。 想要加快推进我国集成电路产业的发展,实现芯片自主,扩展规模固然很重要,但更关键的是要尽快解决光刻机等难点问题。只有解决了难点问题,补齐了短板,芯片自主才有希望真正实现。 总之,相比起成千上万的企业蜂拥而起,漫无目的地各自发展,集成电路产业更需要的是重点发展少数重点企业攻坚克难,补齐短板,然后再带动整体产业快速发展。 文/刘旷公众号,ID:liukuang110
  • 热度 7
    2020-10-27 21:02
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    阅《光刻巨人-ASML崛起之路》:创业企业的成功之路
    随着中美科技战的深入,也让越来越多的普通中国人认识了台积电,了解了芯片,听说了晶圆; 当然作为行业内的从业者,开始更多的熟悉了晶圆制造背后的半导体设备龙头,荷兰ASML,一个被飞利浦抛弃的合资品牌企业。 任何牛逼的企业成立初期都是寒碜的小企业,无论是惠普,英特尔还是苹果都是小车库起家“七八个人,三五条枪。”,ASML也不例外,荷兰飞利浦把40几号不怎么看好的员工,丢给了ASM合资的光刻机设备合资企业ASML,公司成立初期,门口堆满了垃圾筒,甚至连个像样的产品策略也没有,客户也没有。ASML的优势之一是背后有飞利浦的研究院Natlab部分技术支持;其二是有飞利浦其他子公司可以供应部分的元器件和零件;最关键的是飞利浦有一个非常有魄力和野心的CEO-贾特.斯密特,和ASM的BOSS-德尔.普拉多,他们始终不渝的坚持投入资金开发光刻机,PAS2000,PAS2400到PAS2500,技术投入并非都可以开花结果,ASML的成功离不开三家客户的成就。 第一家是AMD,AMD当时在市场上答应试用ASML的机器,并最终试用通过,并采购其步进式光刻机,制衡当时日系光刻机供应商; 能够进入AMD的圈子,其实就是等于有豪门给其质量和可靠性背书,正式踏入了圈子。 第二家是当时同样处于创业阶段的Micron(美光科技),无论是基于成本还是其他因素,美光给与ASML的设备采购其实给与这个刚刚在光刻机市场立足不久的厂家是个极好的消息,就像英伟达在初期,得到了台积电的鼎立支持,并与之共同成长为半导体巨头。 第三家是台积电(TSMC),当然台积电内部也有飞利浦的投资股份,但是ASML在其竞争中并未得到特殊的照顾,一个偶然的事情是台积电1989年的火灾一次性烧掉了十几台机器,给当时处于困境的ASML是雪中送炭。 当然,初期的这些客户照顾并不足以让ASML在光刻机领域挑战当时处于半垄断地位的日系尼康和佳能。 偶然的因素是台积电的研发科学家林本坚博士,坚持推广需要使用液体浸润式的光刻机技术,进而取代传统的干式光刻机,但是日系厂商如日中天,并未把当时地位普通的客户台积电放在眼里,而处于行业下游地位的ASML赶上了机会,非常重视客户的要求,并联合开发出来了台积电需要的光刻机,一举在市场上获得了技术的领先地位;同样,美国当时对于日本半导体厂商的打压也是导致日系厂家败退的一个重要因素。 现在ASML在半导体设备的地位有如泰山北斗,无法撼动:无论台积电,三星,英特尔,GF,中芯国际都等着其光刻机。 每一万个失败的创业科技企业有一万种死掉的方法,每一千个成功的企业可能也会有一千种成功的道路。 成功是必然的也是偶然的,ASML也会遭遇母公司飞利浦的官僚主义:集团决策拖沓,犹豫不决,公司薪酬制度糟糕,还拖欠奖金; 研发部门的科研人员不喜欢规范化作业,研发技术文档不规范,同生产部门扯皮无休止; 公司成立初期遇到很多资质差劲的供应商,只能打样,批量生产问题层出不穷; 同集团的兄弟单位供应的产品还没有外部的供应商给力; 主要核心部件镜头供应商蔡司的技术落后垂直整合的龙头尼康和佳能; 你在深圳硬件创业遭遇到的问题,他也都遇到过,ASML也并非天赋禀异,聪慧过人。 个人认为一个有野心并有远见的领导人非常重要,激活了在飞利浦处于养老思维的小团队,并带动大家全力向前。 对于产品和技术的坚持,并持续的投入和改善,关注客户的需求,最终让他们得到了机会的青睐。
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    时间: 2021-2-5 17:16
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    上传者: eeNick
    《芯片及系统的电源完整性建模与设计》图书简介芯片及系统的电源完整性建模与设计,电子工业出版社出版,MadhavanSwaminathan及A.EgeEngin著,李玉山,张木水译,这是国内公开出版的第一本有关电源完整性的书,注意,是专门讲电源完整性哟,像EricBogatin的信号完整性与电源完整性分析(第二版)或者信号完整性揭秘:于博士SI设计手记等讲信号完整性方面的书只是拿出一小部分章节来介绍PCB设计的电源完整性问题,而这本书对于芯片及联合PCB整个电子电路系统的电源完整性问题有了很系统性的讲解,但要有微波技术和计算电磁学的基础。灰常值得收藏,但现在这本书在各大网上商城已经买不到啦,卖断货了,现在老wu在博客里将书的高清电子版分享出来,方便需要了解电源完整性设计及仿真的同学们。书是好书,但内容还是挺深的,需要慢慢体会,下载下来慢慢看吧,可别急于求成弄成抑郁了可别怪老wu哟,O(∩_∩)O~芯片及系统的电源完整性建模与设计目录第1章基本概念1.1引言1.1.1晶体管的功能1.1.2电源配送中的问题1.1.3电源配送在微处理器和IC中的重要性1.1.4电源配送网络1.1.5电源供电中的跳变1.2电源配送的简单关系1.2.1内核电路1.2.2I/O电路1.2.3SSN产生的时延1.2.4SSN影响时序和电压容限1.2.5电容器与电流的关系1.3PDN的设计1.3.1目标阻抗1.3.2阻抗和噪声电压1.4PDN的组成部件1.4.1稳压器1.4.2旁路或去耦电容器1.4.3封装和电路板中的平面1.4.4片上电源分配1.4.5PDN中的部件1.5PDN分析1.5.1单节点分析1.5.2分布式分析1.6芯片一封装反谐振:实例1.7高频测量1.7.1阻抗测量1.7.2自阻抗测量1.7.3转移阻抗测量1.7.4完全消除探针电感的阻抗测量1.8以平面为参考的信号线1.8.1作为传输线的信号线1.8.2传输线参数与SSN的关系1.8.3SSN与返回路径突变的关系1.9PDN建模方法学1.10总结参考文献第2章平面建模2.1引言2.2平面的特性2.2.1频域2.2.2时域2.2.3二维平面2.3采用局部电感的集总模型2.3.1提取电感和电阻矩阵2.4基于分布式电路的方法2.4.1传输线建模2.4.2传输矩阵法2.4.3单元格元件的频率相关特性2.4.4平面间隙建模2.5离散化平面模型2.5.1有限差分法2.5.2有限时域差分法2.5.3有限元法2.6解析法2.6.1谐振腔法2.6.2谐振腔模型的网络表示2.7多平面对2.7.1过孔耦合2.7.2导体耦合2.7.3孔径耦合2.8总结参考文献第3章同时开关噪声3.1引言3.1.1SSN的建模方法3.2简单模型3.2.1输出缓冲器建模……第4章时域仿真方法第5章应用附录A附录B软件清单术语表
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    时间: 2021-2-2 10:28
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    上传者: 包包大人00
    电脑主板芯片及电路维修
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    时间: 2021-1-20 18:22
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    上传者: 13652313961
    HL6601是一款集成多种用于USB输出端口的快充协议芯片,支持的多种协议包括HVDCP0C3.0/Qc2.0(QuickCharge)ClassA/ClassB(36W),CP,AFC,Apple2.4A,BC1.2以及三星2.0A等HL6601支持自动检测设备类型和充电协议切换,自动响应快充协议请求:HL6601通过调接B的Source/Sink电流来控制输出电压。
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    时间: 2020-12-30 16:47
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    上传者: Argent
    电子产品日新月异,不管是硬件工程师还是软件工程师,基本的模电、数电知识也是必备的条件,从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻电容电感,每个元器件在电路中必然有其作用,有兴趣了解的网友,下载学习学习吧。
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    时间: 2020-12-28 21:31
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    1.2V转3V芯片_电路图很少就三个元件
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    STM81101F1芯片参考手册中文版
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    2V升5V的升压芯片_两款芯片电路图
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    1V转3.3V稳压供电的芯片电路图
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    1V升5V芯片_1V升5V电路图规格书.pdf
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    2V升3.3V芯片_输出500MA_低功耗10uA解决方案
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    干电池1.5V升压3.3V芯片电路图
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    2.4V升5V芯片_9uA静态电流_低功耗升压IC
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    1.2V转3.3V芯片电路图_超简电路
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    1.2V升压5V和2.4V升压5V芯片_适用于镍氢电池产品
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    1.5V转5V超简洁的芯片电路图
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