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  • 热度 8
    2020-11-9 09:51
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    这品牌的芯片价格一夜之间上涨了几倍?!
    2020年11月2号,公布的10月财新中国制造采购经理人指数PMI以上涨到53.6,为2011年2月以来最高值,说明制造业景气已经显著提升。 随着经济的逐步回暖,制造业的复苏,电子元器件的需求自然跟着上涨。而需求量一旦上来,随之而来的就是现货供应的哄抬涨价,今日在众多的上涨浪潮中感受最深刻的品牌就是ST的MCU了。 像STM32F107VCT6这颗料,杭州一数字设备采购经理——杨经理在8月份做物料价格梳理的时候,当时STM32F107VCT6的进价为:¥13.9,价格与之前的进价差异不大; 此时,杨经理将采购计划制定为需求进行采购。而到了10月份,突接到客户订单,线路板需要在10天内贴片完成进入半成品组装。然而,杨经理接到的几家供应商的报价使他闷闷不乐,因为此时的价格已经上涨到30元一颗;按照一批需求量为3000个,那么,杨经理此订单的采购总成本是上涨了48300元。这还不包括其他物料的价格上涨。 杨经理没有提前把握住市场的变化,导致现如今需要花更多的金钱去采购,成本直线攀升。由此可见,此次上涨的趋势迅猛,并且对总成本的影响剧烈。 产品上涨数据分析 根据各大电子平台数据显示,自9月份以来ST品牌的STM32H7、STM321、STM32F1、STM32F4等已逐渐登上热搜榜,成为热门涨价型号。 2020年10月STM价格涨幅榜 2020年10月STM价格涨幅榜—柱形图 由上图可得,STM32F103VCT6+的价格涨幅最高达119%,而STM32F103C6T6A、STM32F103C8T6两个的价格涨幅紧随其后,均为103%,其余颗料也均呈上涨趋势。另外,价格的疯狂上涨,需求热度的高居不下,交付的货期之长,对于元件采购人来说,都是令人头痛的一大事。 芯仔分析小结 目前,ST的MCU价格上涨速度过快,且价格波动较大的原因,与ST在全球通用MCU市场处于领先地位有很大的关联。 其STM系列的8位以及32位MUC,在2017年就已占全球20%份额。ST公司的MCU(微控制器)在10年间增长了12倍,单STM8系列11年间就出了40亿片。 最重要的是,MCU的通用市场巨大,而商家总是善于在需求旺盛的地方制造商机。在ST的MCU通用领域里,出现了大量投机现货商也不足以为奇;在市场的需求下,任何一丝的风吹草动都可能激起涨价的涟漪。毕竟,谁叫货在他手,在你这则是产线出货为首,自然形成了一个被动的采购状态。 因此,作为精明的元件采购人,应当对每个品牌的市场逻辑都能够形成一定程度的理解,这会更加有利于自己制定采购计划的时候,能有更加智慧的决策。就比如说,上文提到的杨经理,要是在8月份提前做好库存的储备,也就不会导致在10月份的时候,需要白白多花四万多人民币,去采购一颗元件的倒悬之急的场面发生了。 * *有采购芯片需求(样板可售),详情联系芯广场公众号。
  • 2020-11-3 10:32
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    配图来自Canva可画 伴随着智能手机革命而兴起的移动互联网时代,为我国经济社会发展注入了巨大的活力,同时也使得全国上下对互联网、半导体、集成电路(芯片)等产业的重视程度不断提高。而集成电路是半导体产业的重要组成部分,也是我国半导体产业发展最受关注的焦点。 从2014年印发《国家集成电路产业发展推进纲要》开始,政府对集成电路产业的扶持政策提升至国家战略层面,并设立国家产业投资基金。尤其在2017年-2018年之后,我国几乎开始以破釜沉舟的决心推动集成电路产业的发展,各级政府纷纷出台扶持政策,一时间全国上下掀起了一阵造芯热潮。 前赴后继的造芯梦想家们 在这波造芯热潮中,成功崛起的企业屈指可数,相比庞大的芯片企业基数微不足道,堪称是“一将成名万骨枯”。而在那些被淘汰的企业中,有一些甚至造成了百亿规模的严重损失。 首先是抵押了7nm光刻机的武汉弘芯。 2017年11月,弘芯半导体项目在武汉成立,号称拥有14纳米工艺自主研发技术,要攻克7nm,还拥有大陆唯一一台7nm光刻机,请来业界大佬台积电前任CTO蒋尚义担任CEO。然而,三年之后,项目被曝烂尾,弘芯被多个分包公司告上法庭。 根据相关信息披露,武汉弘芯项目投资总额1280亿元,截至 2019 年底已完成投资153 亿元,2020年计划投资87亿元。如今项目烂尾,7nm光刻机被拿去抵押,造成的经济损失高达上百亿元。 其次是牵手格罗方德的成都格芯。 成都格芯于2017年5月份启动,由全球第三大晶圆代工厂格罗方德和成都市政府合作组建,规划投资 90.53 亿美元,当时被称为格罗方德在全球投资规模最大、技术最先进的生产基地。 成都政府为格芯建厂投入70亿元,负责厂房、配套的建设和研发、运营、后勤团队的组建。然而,没能等到正式投产的日子,建厂两年不到格芯就停摆了,于2019年5月下发停工、停业通知,造成的经济损失接近百亿。 还有想做IDM晶圆厂的南京德科码。 德科码(南京)半导体成立于2015年11月,总投资约25亿美元,规划生产电源管理芯片、微机电系统芯片等。此外,该项目还将建设8英寸/12英寸晶圆制造厂、封装测试厂、设备再制造厂、科研设计中心、IC设计企业和配套生活区。 德科码曾被寄予厚望,然而因为缺乏融资能力,最终还是迅速烂尾,2019年11月5日被南京当地政府公布为失信被执行人。 这些在不同地区创立的造芯项目在启动之初都声势浩大,同样都在短短几年之内先后陷入烂尾、停产、劳务纠纷,造成严重的经济损失,也让众多参与者的造芯梦碎了一地。 这些企业起初都是打着“国产芯”的旗号,大肆宣传“芯片自主”,然后仓促上马,转瞬之间铩羽而归,最终留下一地鸡毛。令人不安的是,在一众芯片企业中,很可能这样急功近利搞“造芯运动”的并不在少数。 造芯考验芯片企业的长期耐力 在当前愈演愈烈的造芯热潮中,尽管我们已经看到中芯国际、长江存储、寒武纪等一批初具规模的企业成长起来。但更多的是在“政策补贴”的带动效应以及“国产替代”的呐喊声中旋生旋灭的泡沫。 或许这种“沙里淘金”的经历,也是产业发展无法逃掉的“必修课”,但当前有些地区和企业交出的“学费”实在是有些太高了。 在政策和资本的加持下,如今席卷全国的“造芯热”仍在不断被推向一波又一波的新高潮。企查查数据显示,目前我国共有4.63万家芯片相关企业,2019年相关企业新增0.58万家,今年前三季度新增企业1.28万家,其中三季度新注册0.62万家,同比增长288.4%,环比增长34.8%。 但集成电路是资本、技术密集型产业,能够脱颖而出的企业终究属于少数。如今国内声势浩大的造芯运动,最终能够有所成就的也只会是少数参与者,其中大多数地区和企业的努力,注定难以获得预期中的回报。 毕竟回顾数十年的行业发展史,全球范围内最终也只有台积电、英特尔、镁光等少数巨头能够幸存至今。国内集成电路发展,同样脱离不了行业的客观规律。 芯片自主更需要集中化布局 国产集成电路产业发展面临着非常复杂的内外环境。从外部环境综合来看,就是必须加快实现芯片自主;而从内部环境来说,各地区都想自己把半导体新兴产业搞出成绩。在这样的环境中,出现“造芯热”有着一定的必然性。 不过事实上很多损失都可以避免,集成电路产业本身在技术和人才方面就业很高的门槛,在脱离“浮躁”、“侥幸”心态之后,不难认识到,要想真正加速推进集成电路发展,与其任由各地遍地开花的建设产业园,不如集中资源重点发展几家企业,而当前国家已经表示将进一步加强规划布局。 另外,在集成电路产业方面,我国只是在少数几个领域有明显短板,并非全面落后于国际先进水平。 在IC设计领域,除了华为海思,紫光展锐、中兴等企业同样具备7nm以下的先进制程芯片设计能力;在封装测试领域,国内的长电科技是全球排名前三的封测龙头。 IC制造领域算是我国集成电路产业的短板,而更底层的半导体设备和半导体材料领域,同样较国际先进水平存在显著差距。 更具体地进行分析,我国晶圆制造的先进制程工艺是最大的短板,而关键的难点是国产光刻机相比阿斯麦落后太多。阿斯麦已经量产的EUV光刻机可以应用于5nm以下的晶圆制造,据传2021年将推出面向3nm以下的下一代EUV光刻机。 想要加快推进我国集成电路产业的发展,实现芯片自主,扩展规模固然很重要,但更关键的是要尽快解决光刻机等难点问题。只有解决了难点问题,补齐了短板,芯片自主才有希望真正实现。 总之,相比起成千上万的企业蜂拥而起,漫无目的地各自发展,集成电路产业更需要的是重点发展少数重点企业攻坚克难,补齐短板,然后再带动整体产业快速发展。 文/刘旷公众号,ID:liukuang110
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    2020-10-27 21:02
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    阅《光刻巨人-ASML崛起之路》:创业企业的成功之路
    随着中美科技战的深入,也让越来越多的普通中国人认识了台积电,了解了芯片,听说了晶圆; 当然作为行业内的从业者,开始更多的熟悉了晶圆制造背后的半导体设备龙头,荷兰ASML,一个被飞利浦抛弃的合资品牌企业。 任何牛逼的企业成立初期都是寒碜的小企业,无论是惠普,英特尔还是苹果都是小车库起家“七八个人,三五条枪。”,ASML也不例外,荷兰飞利浦把40几号不怎么看好的员工,丢给了ASM合资的光刻机设备合资企业ASML,公司成立初期,门口堆满了垃圾筒,甚至连个像样的产品策略也没有,客户也没有。ASML的优势之一是背后有飞利浦的研究院Natlab部分技术支持;其二是有飞利浦其他子公司可以供应部分的元器件和零件;最关键的是飞利浦有一个非常有魄力和野心的CEO-贾特.斯密特,和ASM的BOSS-德尔.普拉多,他们始终不渝的坚持投入资金开发光刻机,PAS2000,PAS2400到PAS2500,技术投入并非都可以开花结果,ASML的成功离不开三家客户的成就。 第一家是AMD,AMD当时在市场上答应试用ASML的机器,并最终试用通过,并采购其步进式光刻机,制衡当时日系光刻机供应商; 能够进入AMD的圈子,其实就是等于有豪门给其质量和可靠性背书,正式踏入了圈子。 第二家是当时同样处于创业阶段的Micron(美光科技),无论是基于成本还是其他因素,美光给与ASML的设备采购其实给与这个刚刚在光刻机市场立足不久的厂家是个极好的消息,就像英伟达在初期,得到了台积电的鼎立支持,并与之共同成长为半导体巨头。 第三家是台积电(TSMC),当然台积电内部也有飞利浦的投资股份,但是ASML在其竞争中并未得到特殊的照顾,一个偶然的事情是台积电1989年的火灾一次性烧掉了十几台机器,给当时处于困境的ASML是雪中送炭。 当然,初期的这些客户照顾并不足以让ASML在光刻机领域挑战当时处于半垄断地位的日系尼康和佳能。 偶然的因素是台积电的研发科学家林本坚博士,坚持推广需要使用液体浸润式的光刻机技术,进而取代传统的干式光刻机,但是日系厂商如日中天,并未把当时地位普通的客户台积电放在眼里,而处于行业下游地位的ASML赶上了机会,非常重视客户的要求,并联合开发出来了台积电需要的光刻机,一举在市场上获得了技术的领先地位;同样,美国当时对于日本半导体厂商的打压也是导致日系厂家败退的一个重要因素。 现在ASML在半导体设备的地位有如泰山北斗,无法撼动:无论台积电,三星,英特尔,GF,中芯国际都等着其光刻机。 每一万个失败的创业科技企业有一万种死掉的方法,每一千个成功的企业可能也会有一千种成功的道路。 成功是必然的也是偶然的,ASML也会遭遇母公司飞利浦的官僚主义:集团决策拖沓,犹豫不决,公司薪酬制度糟糕,还拖欠奖金; 研发部门的科研人员不喜欢规范化作业,研发技术文档不规范,同生产部门扯皮无休止; 公司成立初期遇到很多资质差劲的供应商,只能打样,批量生产问题层出不穷; 同集团的兄弟单位供应的产品还没有外部的供应商给力; 主要核心部件镜头供应商蔡司的技术落后垂直整合的龙头尼康和佳能; 你在深圳硬件创业遭遇到的问题,他也都遇到过,ASML也并非天赋禀异,聪慧过人。 个人认为一个有野心并有远见的领导人非常重要,激活了在飞利浦处于养老思维的小团队,并带动大家全力向前。 对于产品和技术的坚持,并持续的投入和改善,关注客户的需求,最终让他们得到了机会的青睐。
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    2020-10-26 14:21
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    为什么芯片上的晶体管越做越小丨回形针
    以下文章来源于回形针PaperClip ,作者娄夏冰 九月的最后一天,我们发布了一支《如何在纳米尺度雕刻芯片》,展现芯片制造的工艺和难点。在评论区,我们收到了一个有趣的提问:为什么一定要把晶体管做小? 今天,我们就将重点聚焦到芯片里最基础的结构——晶体管,并试图解答:制约晶体管越做越小的因素,究竟是什么? 这是世界上第一支三极晶体管的复制品,大约有一个苹果那么大。和其他一些简单的电子元件一起,可以组成一个晶体管收音机。 今天,数字电路中最常见的晶体管被称为 MOSFET,简化一下大概长这样,尺寸缩小到以纳米为计。你的手机和电脑里的芯片,都是由数十亿个这样的晶体管组成的。依照电流产生的不同方式,可分为 N 型和 P 型。 在 1965 年到 1975 年,英特尔的创始人高登·摩尔(Gordon Moore)指出,芯片中的晶体管数量大概每两年翻一番。由于芯片通常采用平面工艺,相对应地,晶体管的尺寸每两年也在缩小约 30%。 尺寸,代表着晶体管的技术节点。起初,它用栅极长度来表示,如果这个长度为 90 nm,那每平方毫米的芯片大概能容纳约一百四十五万个这样的晶体管。 尽管这只是一个经验性预测,却被半导体行业精确地执行了 40 余年。为什么晶体管需要越做越小? 回答这个问题之前,首先要知道 MOSFET 晶体管是如何工作的。 它本质上是一个开关,其中的栅极,决定了源极 S 和漏极 D 之间能否导通。 以 N 型晶体管为例,栅极、介电层和底部的 P 型硅衬底组成了一个简单的电容器。当栅极没有加电压的时候,S 和 D 中间的沟道电子很少,因此电阻比较大,S 和 D 无法导通;而当栅极加一个正电压的时候,由于电场的吸引,电子聚集在 S 和 D 之间的沟道内,因此电阻减小,S 和 D 导通。 如果把一个 N 型 MOSFET 和一个 P 型 MOSFET 以下图的方式组合在一起,就构成了一个简单的反相器电路,用来实现最基本的「非」逻辑运算,比如输入 0 输出 1,输入 1 则输出 0。多个类似的逻辑模块的组合就可以实现基础的加减法乃至导弹姿态控制这样的复杂计算。 显而易见,要实现这么复杂的功能,肯定需要很多个晶体管。因此,必须把晶体管做得足够小,才能塞进你的电脑机箱。 不过,还有比这更重要的原因在驱使晶体管不断变小——我们需要提高晶体管的开关速度。 以晶体管最重要的应用 CPU 为例,晶体管的开关速度限制了 CPU 的运算速度。 根据电容器充电原理,开关导通速度和电容大小相关。电容越大,充电时间越长,开关导通速度越慢。所以,我们需要减小电容,从而提高运算速度。 从上面这个公式可以看出,减小电容可以通过三种方式:增加介电层厚度,改变介电常数,和减小面积。 但介电层厚度太大,会导致沟道内的电场不够强,不足以导通;改变介电常数需要更换介电材料,相当长的时间里可供选择的介电材料非常有限。 因此,唯一可行的方法就是减小面积,也就是减小沟道长度和宽度。于是,晶体管遵循这一策略一直缩小。正准备迈向 22 nm 节点时,问题出现了。 当沟道长度小于一定值,栅极对于沟道的控制能力下降。以 N 型 MOSFET 为例,在栅极没有加压时,沟道处于关断状态。此时,漏极电压为 10 mV,不论是长沟道还是短沟道,电子在跨越栅极时都需要更高的能量,像翻越一座高山。 而当漏极电压增大到 1 V 时,短沟道的电子跨越栅极所需的能量大大减少,让晶体管直接从关断变成导通。以往横亘的高山被削平,电子的流动再也不受限制了。 到了这个地步,晶体管还能再更小吗? 加州大学伯克利分校的胡正明教授给出了肯定的答案,他在世纪之交提出 FinFET(鳍式场效应晶体管)的概念,进一步激发了晶体管的潜能。 通过将沟道向上延展,变成一个类似鱼鳍的形状,使得栅极可以从三个方向对沟道施加电场,从而保证即便沟道长度很小,也能有效地控制开关。从 22 nm 以下的晶体管器件开始,基本上都采用了这一结构。 随着结构的变化以及工艺的进步,今天,工艺名称已经不再和栅极长度完全对应。比如台积电的 7 nm 工艺制造的晶体管,栅极长度约 24 nm,每平方毫米芯片上排布着约九千六百五十万个晶体管。 同时由于电感和电阻的增加,令缩小尺寸带来的开关速度提升愈发不明显,算力的提升主要依靠增加单位面积的晶体管数量,这就是为什么你的 CPU 主频和十年前的没有什么差别,但核心数量则一直在增加。这也从另一个方面要求晶体管尺寸做得更小。 除了提高运算速度,我们也希望 CPU 里的晶体管在完成每一个运算的同时,消耗尽可能少的电。 电都花在哪儿了呢? 观察晶体管的开关方式,可以发现能量主要消耗在两个地方:一个是开关时对栅极 G 电容的充放电;另一个是导通时源极 S 和漏极 D 之间的电阻消耗,以及关断期间的漏电流。 其中栅极 G 上的开关损耗可以表示为下面这道公式。能量损耗与电容、开关频率和工作电压的平方成正比,在必须提高开关速度且不能改变工作电压的情况下,只能尽量减小电容来降低损耗。 于是,缩小尺寸就成为提高运算速度和降低功耗的不二法门。 为了实现变小变快的愿景,过去几十年间,全世界最顶尖的工程师在这个无法直接用肉眼观测的世界里不断钻研。除了以上提到的速度和功耗,加工成本、导线互联的延迟和损耗、散热效率等众多复杂的原因也在共同影响着晶体管的发展。 今天,一块不到一平方厘米的空间,容纳着数以百亿计的晶体管,也集成着人类的群体智慧,不断改变你的生活方式。 -参考资料: Ytterdal, T., Cheng, Y., & Fjeldly, T. A. (2003). Device Modeling for Analog and RF CMOS Circuit Design. Wiley. Hisamoto, D., et al. (2000). FinFET—A Self-Aligned Double-Gate MOSFET Scalable to 20 nm. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 47(12), 2320-2325. Amirtharajah, R. (2008). EEC 216 Lecture #1: CMOS Power Dissipation and Trends. University of California, 28-33. -在【回形针PaperClip】公众号对话框回复「晶体管」,可获取本篇图文用到的参考资料。 深圳市中远亚电子有限公司 中远亚电子,在芯片行业深耕十年之久,用芯服务好每一位客户,至今已服务全国1500多家企业。通过源头缩短供应链,节约成本,组建最敏捷的元件供应系统。确切保障交付的时间,从样板起严格控制物料质量,致力成为电子元器件采购的好伙伴。 中远亚一切围绕以客户为核心的元件供应服务,真正做到不仅仅是卖芯片,而是致力为客户提供更有价值的服务。目前,已建立自己的检测实验室,已开发有累积上千个模拟检测平台。十年以来,建立属于自己独特的可执行的超严格检测流程。 助力中国制造,为中国制造保驾护航,是中远亚的使命。高要求的客户,成就了高质量标准的中远亚。为继续了解中远亚,请关注芯广场微信公众号,联系我们。 * *有采购芯片需求(样板可售),详情联系芯广场公众号。
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    2020-9-16 09:26
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    2020年9月15日,美国对华为的禁令正式生效,其中使用到美方技术的芯片企业将不得在未经允许的情况下向华为供货。 面对无任何缓和余地的禁令,华为显然做好了最坏的打算。据台湾《自由时报》引述业界消息指出,禁令进入倒数阶段,华为旗下海思近日大手笔包一架顺字号货运专机,赶在出货期限前来台湾运走芯片,提高备货库存量。 业内分析指出,华为在关键原材料尚有不同程度存货,且部分器件已实现基础替代,以及出货节奏的控制,短期1-2年内整体业务破坏性影响预计不会特别明显,但由于上游厂商大多难抵美国法令,9月15日后被动选择不予华为供货将成为事实,华为中长期将会面临业务战略选择、产业链重构尝试等重要问题,同时中国科技内循环也被更加重视。 华为芯片“断供” 2020年9月15日,美国对华为禁令将正式生效,华为芯片“断供”也开始全面实施。 自从2019年5月美国将华为纳入“实体清单”以来,美国对华为的打压就在不断升级。2020年5月15日,美国商务部宣布加强出口管制,要求台积电停止接受华为的新订单。已接受的订单将于9月15日前出货,此后的订单在出口时将需要得到美方许可。 紧接着,8月17日,美国对华为的打压继续升级。美国商务部工业和安全局(BIS)当日晚间宣布全新“升级版”的华为禁令。这实际上是防范利用“迂回”规避方式,不让继续采用美国技术的芯片流向华为及其子公司,这将彻底阻断华为通过第三方采购半导体芯片的方式,过去所谓的改为采购联发科或三星芯片的解决办法也变为泡影。 随着美国打压不断升级,华为手机出货量也受到一定影响。据华为消费者业务CEO余承东透露,如果没有被美国制裁,华为在2019年的全球市场份额应该就会领先三星。余承东表示,因为2019年5月的禁令,导致华为手机在2019年的发货量少了6000万台,市场份额位于三星之后。 尽管如此,今年二季度,华为出货量首次超越三星在全球市场占比中夺冠,2020年第二季度,华为智能手机出货量超过5500万台,同期三星出货量为5300万台,低于华为。 华为禁令有何影响? 美国对华为的禁令生效后,由于华为在关键原材料尚有不同程度存货,且部分器件已实现基础替代,短期内,整体业务破坏性影响不会特别明显,部分高端机出货将受影响,但中长期而言,华为将会面临业务战略选择、产业链重构尝试等重要问题。 在8月7日的中国信息化百人会2020年峰会上,华为消费者业务CEO余承东表示:我们只是做了芯片的设计,没做芯片的制造,所以从今年9月15号之后,我们的旗舰芯片就无法生产了。今年秋天将会上市Mate 40手机,搭载麒麟9000芯片,可能是华为麒麟高端芯片的“绝版”。 华为麒麟高端芯片将成“绝版”,众多不确定性的担忧更甚。天风国际郭明錤指出,无论华为能否在9月15日后取得手机零部件,华为在手机市场的竞争力与市占份额均将受到负面影响,最好情境为华为市占份额降低,最坏情境为华为退出手机市场,而Apple、Oppo、Vivo与小米长期可望提升市占份额。因华为手机的零部件规格要求与单价较高,故在中国手机市场的市占份额移转过程中,即便既有华为供货商可取得其他品牌的订单,营收与盈利仍有下修风险。市场份额最终将取得新平衡点,但特定零部件的技术升级趋势也将因华为手机竞争力衰退而明显放缓。 目前,市场市场一直处在对“产业链重构结果的担忧”和对“科技内循环的方向坚定”这两个矛盾心理中来回摇摆。国泰君安通信团队表示,虽然目前尚无法预判产业发展过程中的影响节奏和受损程度,但无论外部环境如何,这对中国ICT产业和华为的方向选择影响甚微。中国科技产业发展和中国资本投资无法分割,时间换空间或许将是曲折的过程,但会是最终的结局。 华金证券曾捷认为,由于华为备货效应,国内相关半导体厂商今年一季度至三季度业绩增长较为明确,但禁令生效后的产业趋势仍不明朗,9月15日后的变化成为今年四季度业绩变动的关键因素,短期内重点关注。中美科技争端持续扩大化,并且存在长期化趋势,半导体板块不确定性风险较大,但长期来看国产替代是个不断推进的过程。 来源:证券时报网 * *有采购芯片需求(样板可售),详情联系芯广场公众号。
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