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近日， 江苏能华微电子完成数亿元C轮融资，本轮融资由中信证券投资、金石投资旗下金石制造业转型升级新材料基金联合领投，广州越秀产业基金、广发信德旗下基金、势能资本跟投，老股东上海善金、中信建投跟投，势能资本担任独家财务顾问。 本轮融资将用于建设能华微电子在长三角地区的第二家FAB（制造车间）。 近年来，5G、大数据、物联网的发展，使得市场对芯片半导体的需求不断升级，以硅为代表的第一代半导体材料，在多年的研究和应用中，已经无限接近材料本身之于信息传输能力的“天花板”。 与此同时，第二、三代半导体材料逐渐走入行业视野，应用在卫星通讯、GPS导航等领域。其中，宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）在快充领域的应用已经十分普遍，小米、OPPO等厂商使用的快充充电器功率器件均为氮化镓材料制造。此外，氮化镓材料在5G射频领域的应用市场也十分巨大。 专注于氮化镓材料研发及生产的江苏能华微电子成立于2010年，是目前国内唯一一家能够自主研发氮化镓外延片、功率器件和射频器件的半导体企业， 产品包括硅基氮化镓外延片（EPI）、碳化硅氮化镓外延片（EPI）、氮化镓功率场效应管（HEMT）、氮化镓射频场效应管、GaN快充电源模块设计等，贯穿半导体制造全流程。 技术方面，能华共拥有专利60余项，涵盖从材料衬底到芯片完成的各个环节关键工艺。在多项国家牵头的研发项目中，能华都有所参与，其中，以承办的“863计划”的“蓝宝石衬底GaN功率电子器件制备关键技术”项目、国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项下“GaN基新型电力电子器件关键技术”项目、国家发改委电力电子专项资金项目等为主要代表。在此过程中，能华建立了自身在氮化镓材料领域的技术壁垒。 团队方面，能华目前拥有50人的研发团队，核心团队成员10余人均有留美或海外学历背景、10-20年的芯片半导体研究从业经历，在硅、氮化镓、碳化硅材料方面有丰富的行业经验。其中 CEO朱廷刚，博士毕业于美国德克萨斯奥斯汀大学，曾师从美国工程院院士、MOCVD之父Russell Dupuis教授，积累了超过20年的研发及产业化经验。 生产方面，能华采用在大型半导体厂商中推广应用的IDM（垂直整合）模式，2013年建立了国内首条氮化镓研发中试线后，能华迅速实现产品研发、生产和迭代，运行两年即成功研制和生产出了基于硅基、蓝宝石基以及碳化硅基的氮化镓外延片。到2020年，能华所研发的氮化镓功率器件在快充充电器的应用全面铺开，目前张家港厂区产能趋于满产，主要的服务客户有荣耀、索尼、比亚迪、倍思、公牛等品牌。预计第二个筹建厂区建成投产后，月出货量将达到3万片。 关于能华未来2年的发展规划，朱廷刚博士表示：“我们将进一步加快建设第二厂区，从快充切入市场，加快能华在氮化镓领域的布局，继续深耕、不断探索氮化镓材料在5G基站和新能源汽车领域的应用，用团队多年的积累和专注去验证。” 本轮领投方中信证券投资表示： “氮化镓作为最具应用潜力的宽禁带半导体材料之一，将为电子电力与微波射频领域众多场景的客户提供超越硅基器件解决方案的更优选择。能华团队在材料外延、器件设计与晶圆制造拥有深厚的积累沉淀，中信证券投资将继续支持江苏能华促成氮化镓的产业应用，为进一步提升我国科技竞争力贡献力量。”

半导体分立器件是组成集成电路的基础，包含大量的 双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等。 直流 I-V 测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的 基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V 曲线，来决定器 件的基本参数。微电子器件种类繁多，引脚数量和待 测参数各不相同，除此以外，新材料和新器件对测试 设备提出了更高的要求，要求测试设备具备更高的低 电流测试能力，且能够支持各种功率范围的器件。 分立器件 I-V 特性测试的主要目的是通过实验，帮助工 程师提取半导体器件的基本 I-V 特性参数，并在整个工 艺流程结束后评估器件的优劣。 随着器件几何尺寸的减小，半导体器件特性测试对测 试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺 寸只有微米量级，这些对低噪声源表，探针台和显微 镜性能都提出了更高的要求。 半导体分立器件 I-V 特性测试方案，泰克公司与合作 伙伴使用泰克吉时利公司开发的高精度源测量单元 （ SMU ）为核心测试设备，配备使用简便灵活，功能 丰富的 CycleStar 测试软件，及精准稳定的探针台，为客户提供了可靠易用的解决方案，极大的提高了用户 的工作效率。 吉时利方案特点 ： 丰富的内置元器件库，可以根据测试要求选择所需要的待测件类型； 测试和计算过程由软件自动执行，能够显示数据和曲线，节省了大量的时间； 精准稳定的探针台，针座分辨率可高达 0.7um ，显微镜放大倍数最高可达 x195 倍； 最高支持同时操作两台吉时利源表，可以完成三端口器件测试。 测试功能： 二极管特性的测量与分析 极型晶体管 BJT 特性的测量与分析 MOSFET 场效应晶体管特性的测量与分析 MOS 器件的参数提取 系统结构： 系统主要由一台或两台源精密源测量单元（ SMU ）、 夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口 MOSFET 器件为例，共需要以下设备： 1 、两台吉时利 2450 精密源测量单元 2 、四根三同轴电缆 3 、夹具或带有三同轴接口的探针台 4 、三同轴 T 型头 5 、上位机软件与源测量单元（ SMU ）的连接方式如下图所示，可以使用 LAN/USB/GPIB 中的任何一个接口进行连接。 系统连接示意图 ： 典型方案配置 ： 西安某高校现场演示图 安泰测试已为西安多所院校 、 企业和研究所提供吉时利源表现场演示 ， 并获得客户的高度认可 ， 安泰测试将和泰克吉时利厂家一起 ， 为客户提供更优质的服务和全面的测试方案 ， 为客户解忧 。

这许多年来，越来越关注电子产业何去何从，总觉得似乎智人现状需要突破。呵呵，个人多虑了。 看看眼前还有什么可以创新发展的物质品，或者更直接说就是消费品。 最明显的一个迹象就是电子产品由二十多年前开始吃“软”不吃“硬”，软件业蓬勃兴起，同时带动了硬件业的欣欣向荣，达到了“软硬兼施”，致使电子类物质商品丰富极了以至过度泛滥成灾，到如今的零价位硬件态势，实现了“以柔克刚”。 显然，硬件应用发展到了极限，不得不只能在软件上折腾了。 可是，自然规律使然，软件也有极限的一天，已经开始显现迹象征兆。 看来，历史再重演，必须取得硬件上的突破，就是材料的突破。 明显，这些年国际领头企业都在积极寻求突破。 怎么办？作为一个最基层的应用领域产品创新爱好者，只能是观望和等待。 今年 6 月一个偶然因素让我被一种新材料——新的量子材料——拓扑绝缘体给深深地吸引上了。 开始从互联网上收集资料，投入精力学习学习，着重关注其应用技术的发展，谋求在新产品研发中得以应用的可行性和机会，并跟踪进度以便及时能发现业内动态与其应合。 什么是拓扑绝缘体？以下摘自中国科学院物理研究所网站上的一篇文章《 一种新的量子材料 -- 拓扑绝缘体 》（ 2013 年 10 月 16 日发表）中的介绍。 拓扑绝缘体简介 按照导电性质的不同，材料可分为“金属”和“绝缘体”两大类；而更进一步，根据电子态的拓扑性质的不同，“绝缘体”和“金属”还可以进行更细致的划分。拓扑绝缘体就是根据这样的新标准而划分的区别于其他普通绝缘体的一类绝缘体。因而，拓扑绝缘体的体内与人们通常认识的绝缘体一样，是绝缘的，但是在它的边界或表面总是存在导电的边缘态，这是它有别于普通绝缘体的最独特的性质。这样的导电边缘态是稳定存在的，且不同自旋的导电电子的运动方向是相反的，所以信息的传递可以通过电子的自旋，而不像传统材料通过电荷，不涉及耗散过程，通俗地说就是不会发热，这一发现让人们对制造未来新型电脑芯片等元器件充满了希望。 图：金属、绝缘体和拓扑绝缘体的关系 最早发现的拓扑绝缘体状态，可以追溯到 20 多年前发现的量子霍尔效应。量子霍尔效应分别获得 1985 年和 1998 年两度 Nobel 物理学奖，开创了凝聚态物理学的一个新纪元。但由于这种效应需要满足强磁场和低温这两个条件，不利于推广应用。直到 2005 年，人们才发现不需要强磁场和低温条件，仅仅依靠任何材料都具有的自旋轨道耦合效应，就可以实现类似于量子霍尔效应中的电子态，即量子自旋霍尔效应态或拓扑绝缘体态。这立刻引起了全球科学家界的重大关注。摩尔定律认为，由于技术的进步，每过 18 个月，集成电路上可容纳的晶体管的数目会翻一番，性能也将提高一倍。随着晶体管越小越密集，发热问题也就会越突出，因此许多人预言摩尔定律将于 2015 年失效。而拓扑绝缘体的发现将可能解决这个问题，从而引发未来电子技术的新一轮革命。 2006 年，美国斯坦福大学的科学家提出，在碲化汞量子阱体系中可能存在无需磁场而由本征材料能带结构产生的拓扑绝缘态，而这种特殊的拓扑绝缘体态将引起非常有趣的“量子自旋霍尔效应”，该效应入选科学评出的 2007 年十大科学突破并列第二位。 图：拓扑绝缘体的发展 以上，持续关注和学习 ...... 欢迎业内高手指教！

这许多年来，越来越关注电子产业何去何从，总觉得似乎智人现状需要突破。呵呵，个人多虑了。 看看眼前还有什么可以创新发展的物质品，或者更直接说就是消费品。 最明显的一个迹象就是电子产品由二十多年前开始吃“软”不吃“硬”，软件业蓬勃兴起，同时带动了硬件业的欣欣向荣，达到了“软硬兼施”，致使电子类物质商品丰富极了以至过度泛滥成灾，到如今的零价位硬件态势，实现了“以柔克刚”。 显然，硬件应用发展到了极限，不得不只能在软件上折腾了。 可是，自然规律使然，软件也有极限的一天，已经开始显现迹象征兆。 看来，历史再重演，必须取得硬件上的突破，就是材料的突破。 明显，这些年国际领头企业都在积极寻求突破。 怎么办？作为一个最基层的应用领域产品创新爱好者，只能是观望和等待。 今年 6 月一个偶然因素让我被一种新材料——新的量子材料——拓扑绝缘体给深深地吸引上了。 开始从互联网上收集资料，投入精力学习学习，着重关注其应用技术的发展，谋求在新产品研发中得以应用的可行性和机会，并跟踪进度以便及时能发现业内动态与其应合。 什么是拓扑绝缘体？以下摘自中国科学院物理研究所网站上的一篇文章《 一种新的量子材料 -- 拓扑绝缘体 》（ 2013 年 10 月 16 日发表）中的介绍。 拓扑绝缘体简介 按照导电性质的不同，材料可分为“金属”和“绝缘体”两大类；而更进一步，根据电子态的拓扑性质的不同，“绝缘体”和“金属”还可以进行更细致的划分。拓扑绝缘体就是根据这样的新标准而划分的区别于其他普通绝缘体的一类绝缘体。因而，拓扑绝缘体的体内与人们通常认识的绝缘体一样，是绝缘的，但是在它的边界或表面总是存在导电的边缘态，这是它有别于普通绝缘体的最独特的性质。这样的导电边缘态是稳定存在的，且不同自旋的导电电子的运动方向是相反的，所以信息的传递可以通过电子的自旋，而不像传统材料通过电荷，不涉及耗散过程，通俗地说就是不会发热，这一发现让人们对制造未来新型电脑芯片等元器件充满了希望。 图：金属、绝缘体和拓扑绝缘体的关系 最早发现的拓扑绝缘体状态，可以追溯到 20 多年前发现的量子霍尔效应。量子霍尔效应分别获得 1985 年和 1998 年两度 Nobel 物理学奖，开创了凝聚态物理学的一个新纪元。但由于这种效应需要满足强磁场和低温这两个条件，不利于推广应用。直到 2005 年，人们才发现不需要强磁场和低温条件，仅仅依靠任何材料都具有的自旋轨道耦合效应，就可以实现类似于量子霍尔效应中的电子态，即量子自旋霍尔效应态或拓扑绝缘体态。这立刻引起了全球科学家界的重大关注。摩尔定律认为，由于技术的进步，每过 18 个月，集成电路上可容纳的晶体管的数目会翻一番，性能也将提高一倍。随着晶体管越小越密集，发热问题也就会越突出，因此许多人预言摩尔定律将于 2015 年失效。而拓扑绝缘体的发现将可能解决这个问题，从而引发未来电子技术的新一轮革命。 2006 年，美国斯坦福大学的科学家提出，在碲化汞量子阱体系中可能存在无需磁场而由本征材料能带结构产生的拓扑绝缘态，而这种特殊的拓扑绝缘体态将引起非常有趣的“量子自旋霍尔效应”，该效应入选科学评出的 2007 年十大科学突破并列第二位。 图：拓扑绝缘体的发展 以上，持续关注和学习 ...... 欢迎业内高手指教！

这许多年来，越来越关注电子产业何去何从，总觉得似乎智人现状需要突破。呵呵，个人多虑了。 看看眼前还有什么可以创新发展的物质品，或者更直接说就是消费品。 最明显的一个迹象就是电子产品由二十多年前开始吃“软”不吃“硬”，软件业蓬勃兴起，同时带动了硬件业的欣欣向荣，达到了“软硬兼施”，致使电子类物质商品丰富极了以至过度泛滥成灾，到如今的零价位硬件态势，实现了“以柔克刚”。 显然，硬件应用发展到了极限，不得不只能在软件上折腾了。 可是，自然规律使然，软件也有极限的一天，已经开始显现迹象征兆。 看来，历史再重演，必须取得硬件上的突破，就是材料的突破。 明显，这些年国际领头企业都在积极寻求突破。 怎么办？作为一个最基层的应用领域产品创新爱好者，只能是观望和等待。 今年 6 月一个偶然因素让我被一种新材料——新的量子材料——拓扑绝缘体给深深地吸引上了。 开始从互联网上收集资料，投入精力学习学习，着重关注其应用技术的发展，谋求在新产品研发中得以应用的可行性和机会，并跟踪进度以便及时能发现业内动态与其应合。 什么是拓扑绝缘体？以下摘自中国科学院物理研究所网站上的一篇文章《 一种新的量子材料 -- 拓扑绝缘体 》（ 2013 年 10 月 16 日发表）中的介绍。 拓扑绝缘体简介 按照导电性质的不同，材料可分为“金属”和“绝缘体”两大类；而更进一步，根据电子态的拓扑性质的不同，“绝缘体”和“金属”还可以进行更细致的划分。拓扑绝缘体就是根据这样的新标准而划分的区别于其他普通绝缘体的一类绝缘体。因而，拓扑绝缘体的体内与人们通常认识的绝缘体一样，是绝缘的，但是在它的边界或表面总是存在导电的边缘态，这是它有别于普通绝缘体的最独特的性质。这样的导电边缘态是稳定存在的，且不同自旋的导电电子的运动方向是相反的，所以信息的传递可以通过电子的自旋，而不像传统材料通过电荷，不涉及耗散过程，通俗地说就是不会发热，这一发现让人们对制造未来新型电脑芯片等元器件充满了希望。 图：金属、绝缘体和拓扑绝缘体的关系 最早发现的拓扑绝缘体状态，可以追溯到 20 多年前发现的量子霍尔效应。量子霍尔效应分别获得 1985 年和 1998 年两度 Nobel 物理学奖，开创了凝聚态物理学的一个新纪元。但由于这种效应需要满足强磁场和低温这两个条件，不利于推广应用。直到 2005 年，人们才发现不需要强磁场和低温条件，仅仅依靠任何材料都具有的自旋轨道耦合效应，就可以实现类似于量子霍尔效应中的电子态，即量子自旋霍尔效应态或拓扑绝缘体态。这立刻引起了全球科学家界的重大关注。摩尔定律认为，由于技术的进步，每过 18 个月，集成电路上可容纳的晶体管的数目会翻一番，性能也将提高一倍。随着晶体管越小越密集，发热问题也就会越突出，因此许多人预言摩尔定律将于 2015 年失效。而拓扑绝缘体的发现将可能解决这个问题，从而引发未来电子技术的新一轮革命。 2006 年，美国斯坦福大学的科学家提出，在碲化汞量子阱体系中可能存在无需磁场而由本征材料能带结构产生的拓扑绝缘态，而这种特殊的拓扑绝缘体态将引起非常有趣的“量子自旋霍尔效应”，该效应入选科学评出的 2007 年十大科学突破并列第二位。 图：拓扑绝缘体的发展 以上，持续关注和学习 ...... 欢迎业内高手指教！