标签: nor

　　雷龙发展Nand flash芯片试用体验 　　一、项目背景 　　最近自己开始准备了一个智能家居控制系统项目，需要包含室内的温湿度、空气质量、烟雾浓度以及气体含量，能够存储相应的数据，并进行显示。 　　Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。 　　二、产品解析 　　NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 　　“NAND存储器”经常可以与“NOR存储器”相互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码并且需要多次擦写，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 　　NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。 　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。 　　三、主要区别 　　NOR与NAND的区别 　　性能比较 　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除 操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前 先要将目标块内所有的位都写为0。 　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s ，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进 行的，执行相同的操作最多只需要4ms。 　　执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时）， 更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 　　NOR的读速度比NAND稍快一些。 　　NAND的写入速度比NOR快很多。 　　NAND的擦除速度远比NOR快。 　　NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更加简单。 　　NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。 　　NOR可以直接使用，并在上面直接运行代码，而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动。 　　接口差别 　　NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每 一个字节。 　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同 。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 　　NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。 　　NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 　　NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。 　　NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，例如NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。再例如三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。 　　四、产品介绍 　　CSNP64GCR01-AOW 　　不用写驱动程序自带坏块管理的NAND Flash（贴片式TF卡），尺寸小巧，简单易用，兼容性强，稳定可靠，固件可定制，LGA-8封装，标准SDIO接口，兼容SPI，兼容拔插式TF卡/SD卡，可替代普通TF卡/SD卡，尺寸7x8.5mm，内置平均读写算法，通过1万次随机掉电测试，耐高低温，机贴手贴都非常方便，速度级别Class10（读取速度23.5MB/S写入速度12.3MB/S）标准的SD 2.0协议使得用户可以直接移植标准驱动代码，省去了驱动代码编程环节。支持TF卡启动的SOC都可以用SD NAND，提供STM32参考例程及原厂技术支持，容量：8GB，比TF卡稳定，比eMMC易用，样品免费试用。 　　五、产品优势 　　六、样品展示 　　很感谢雷龙发展提供了样品支持和试用，让自己的项目得到了更好的实现，这一次制作的U盘读取和写入使用到了这款产品，体验到了产品的优势和核心性能，感觉真的挺好的。 　　实物转接板 　　芯片实物图 雷龙发展官方网址： SD NAND FLASH-贴片式SD卡-贴片式t卡-存储芯片 ———————————————— 　　亲爱的卡友们，欢迎光临雷龙官网，如果看完文章之后还是有疑惑或不懂的地方，请联系我们，自己去理解或猜答案是件很累的事，请把最麻烦的事情交给我们来处理，术业有专攻，闻道有先后， 深圳市雷龙发展 专注存储行业13年，专业提供小容量存储解决方案。

最新到货**中 : W25X10CLSNIG         华邦串口2M SOP8     W25X20CLSNIG         华邦串口2M SOP8     W25X40CLSNIG         华邦串口2M SOP8     W25Q16DVSSIG         华邦串口16M SOP8   W25Q32FVSSIG         华邦串口32M SOP8       W25Q64FVSSIG         华邦串口64M SOP8   W25Q128FVSIG        华邦串口128M SOP8 W9864G6KH-6          华邦SDRAM 4*16     W9812G6KH-6          华邦SDRAM 8*16     W9825G6KH-6          华邦SDRAM 16*16 W9751G6KB-25        华邦DDR2 32*16 W9751G6KB-25        华邦DDR2 64*16 EN25F80-100HCP     EON串口8M SOP8 EN25T80-75HCP       EON串口8M SOP8 EN25T16A-75HIP      EON串口16M SOP8 EN25QH16-104HIP   EON串口16M SOP8 EN25Q32B-104HIP     EON串口32M SOP8 EN25Q64-104HIP     EON串口64M SOP8 EM636165TS-6G        钰创SDRAM 1*16     EM638165TS-6G        钰创SDRAM 4*16 EM639165TS-6G        钰创SDRAM 8*16       EM63A165TS-6G        钰创SDRAM 16*16   EM6AA160TSC-5G     钰创DDR1 16*16 M12L16161A-7TG       晶豪SDRAM 1*16     M12L64164A-7TG       晶豪SDRAM 4*16     M12L64164A-5TG       晶豪SDRAM 4*16 M12L128168A-6TG      晶豪SDRAM 4*16       M12L2561616A-6TG     晶豪SDRAM 16*16   MX25L8006EM2I-12G    旺宏串口8M SOP8 MX25L1606EM2I-12G    旺宏串口16M SOP8   MX25L3206EM2I-12G    旺宏串口32M SOP8     MX25L6406EM2I-12G    旺宏串口32M SOP8   MX25L12835***I-10G  旺宏串口128M SOP8   MX25L12845EMI-12G    旺宏串口128M SOP16   KH25L4006EM1I-12G  港宏串口 4MB SOP-8 KH25L8006EM2I-12G  港宏串口 8MB SOP-8 KH25L1606EM2I-12G  港宏串口 16MB SOP-8 KH25L3206EM2I-12G   港宏串口 32MB SOP-8 KH25L6406EM2I-12G   港宏串口 64MB SOP-8 KH25L12835***I-10G   港宏串口 128MB SOP-8 GD25Q41BTIG      兆易串口 4MB  SOP-8 GD25Q80BSIG      兆易串口 8MB  SOP-8 GD25Q80CSIG      兆易串口 8MB  SOP-8 GD25Q16BSIG      兆易串口 16MB  SOP-8 GD25Q16CSIG     兆易串口 16MB  SOP-8 GD25Q32CSIG     兆易串口 32MB  SOP-8 GD25Q64BSIG     兆易串口 64MB  SOP-8 GD25Q128CSIG   兆易串口 128MB  SOP-8 S29AL008J70TFI020  TSOP    飞索并口 8MB S29AL016J70TFI020 TSOP     飞索并口 16MB S29GL032N90TFI040 TSOP   飞索并口 32MB S29GL064N90TFI040 TSOP   飞索并口 64MB S29GL128P10TFI010   TSOP   飞索并口 128MB S29GL256P10TFI010 TSOP     飞索并口 256MB S34ML01G100TFI000 TSOP    飞索FLASH 1GB S34ML01G200TFI000 TSOP    飞索FLASH 1GB(新制程) S34ML02G100TFI000 TSOP    飞索FLASH 2GB S34ML02G200TFI000 TSOP    飞索FLASH 2GB(新制程) S34ML04G100TFI000 TSOP    飞索FLASH 4GB S34ML04G200TFI000 TSOP    飞索FLASH 4GB(新制程) SST25VF016B-75-4I-S2AF  SST串口16M SOP8   SST25VF032B-80-4I-S2AF  SST串口32M SOP8   以上全部现货,价格绝对优势,欢迎来电! 专营:MXIC(旺宏),WINBOND(华邦),EON(易扬),SST(超捷),GD(兆易创新),ESMT(晶豪),ETRON(钰创),SK Hynix(海力士),SAMSUNG(三星).MCIRON(镁光),NANYA(南亚),SPANSION(飞索)全线 MCU、SDRAM、DDR、NOR flash、NAND flash,只做进口原装正品!,只做进口原装正品! 深圳现货**中!长期备货 , 持续供应 , 可深港两地交货 ,接受订货, 价格最具优势 . 详情请来电咨询 ! 0755-8323 2345  13530559915    肖生   QQ:2407745703

    Nor flash作为非易失性存储器，在嵌入式应用中常作为程序存储器，应用非常普遍。并行接口的Nor flash 由于其接口类似sram，使用非常方便，但由于管脚较多，体积较大，逐渐被串行接口的Nor flash所取代。Serial Nor flash需要控制器才能方便CPU访问，某些SOC上已经集成了serial flash controller。     目前刚好在某项目中使用FPGA为核心搭建系统，采用Serial Nor Flash作为程序存储器，目前还没有什么免费的IP，决定自己动手丰衣足食，参照Altera Cyclone V 中 Quad SPI Flash Controller整个出来。    

 NOR FLASH 与NAND FLASH 1 ：以下是NandFlash与NorFlash典型电路图 Nor Flash接原理图 从上图可以看出，该NorFlash采用并行地址和数据总线， 其中，21bit地址总线，16bit数据总线。 该NorFlash最大可寻址2M的地址空间。实际上，该NorFlash大小为2M。所以，NorFlash可作内存使用。可以直接寻址每一个存储单元。   NandFlash的典型原理图   NandFlash没有区分地址总线和数据总线。只有一个8bit的I/O总线、6根控制线(WE、WP、ALE、CLE、CE、RE)和RB。 实际上，NandFlash数据和地址均通过8bit I/O总线串行传输的。 NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般。   NOR和SRAM都是可以连续空间寻址的，但是对于地址线的要求就多了，比如1MB的地址空间，需要20根地址线(2^20=1048576=1MB)。由于NAND不支持连续空间寻址，无法直接实现片内程序运行，所以要实现NAND BOOT，需要CPU端做一些特殊处理，一般都是将一定大小的程序从NAND读到CPU内部的SRAM里，从SRAM实现BOOT。 2 ：使用NandFlash，程序的放置与加载过程 S3C2410满足从NandFlash上执行引导程序，为了支持NandFlash的系统引导，S3C2410具备了一个内部SRAM缓冲器。当系统启动时，NandFlash存储器的前面4KByte字节将被自动载入到SRAM中，然后系统自动执行这些载入的引导代码。 一般情况下，这4K的引导代码需要将NandFlash中程序内容拷贝到SDRAM中，在引导代码执行完毕后跳转到SDRAM执行。 自动导入模式步骤： 1、完成复位。 2、如果自动导入模式使能，NandFlash存储器的前4K字节被自动拷贝到SRAM内。 3、SRAM被映射到nGS0。 4、CPU在SRAM的4KB内开始执行引导代码。 3 ：NOR FALASH既然不仅可以记忆数据而且可以运行程序，是不是可以不要RAM。 理论上找一个大一点儿的norflash也应该可以，但事实上是不行的。 1、程序执行时中间要用到一些临时变量，一些临时的缓存数据，还有一些相应的堆栈 信息。这些变量与数据就要存在RAM中。理论上这些数据存在norflash中也是可以的，但这些变量是要频繁读写的，flash的擦写是有次数的（一般几万次到几百万次），对于一个高速的CPU像操作变量一样擦写flash，估计很快就挂了。 2、norflash的速度比起RAM来差得多，况且这些临时变量并不需要永久保存，可以掉丢失。 一般CPU内部都会有一小块的RAM，被称之为cache（高速缓存），常用的变量会放在这里来处理，大量的缓冲数据会放在外面的SDRAM中，这样会提高系统的速度。 4:NandFlash 与NorFlash不同的连接方式 NandFlash与NorFlash具有相同的存储单元，存储原理相同但是他们的连接方式不同，所以存储管理上就有差异。 NorFlash存储单元之间采用的是并联方式，而NandFlash存储单元之间是串联方式。 NAND的结构与硬盘相似，NAND型闪存的编址方法是：全部存储单元被分成若干个块 ，每个块内又分成若干个页 ，每个页的大小为512x8bits，单元位宽为8。就是说，每个页内 有512条位线。页的大小之所以取512个字节，是为了方便闪存装置与磁盘进行数据交换，因为磁盘一个扇区也是512个字节，所以这绝不是数字上的巧合，而是刻意的安排。 Nor的结构与内存相同，Nor闪存具有专用的地址线，且存储单元是并行排布、可以实现一次性的直接寻址。 5 ：结构不同就决定了他们的性能不同 1 ）速度差异 任何闪存器件的写人操作只能在空或已擦除的单内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。 在写数据和擦除数据时，nand因为支持整块擦写操作，所以速度要快得多。执行一次擦除操作，nor器件需要5s，而nand器件只需要4ms，速度相差千倍。但是，在读取nand闪存中的数据时情况就不同了，因为需要先向芯片发送地址信息进行寻址，之后才能开始读取数据。而nand的地址信息包括“块号”、“快内页号”、“快内字节号”三个部分，首先选择到某一块，然后选择其中的页，最后才能定位到所操作的字节。这样，每进行一次数据访问，就需要经过三次寻址，至少占用三个时钟周期。所以nor的读取速度很快。 2 ）容量和成本 Nor型闪存每个存储单元都与位线相连，增加了芯片内连线的数量，不利于存储密度的提高。通常nand型闪存单元的平面只有nor器件的一半，每个nand存储单元在体积上只有nor器件的1/8。Nand 芯片的价格通常比同等容量的nor芯片便宜。NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储。NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。 3 ）易用性 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。 4 ）可靠性 一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。Nand闪存由于其结构特点，相邻存储单元之间交易发生位翻转而导致坏块的出现，增加了出错率。 5） 耐用性 Nand 擦写次数100万次，而nor的擦写次数只有10万次。Nand与nor寿命之所以不同，是因为两者使用了不同的写入技术。Nand 采用f-n隧道效应，nor采用热电子注入方式。 6 ：选择nor 还是nand 通过上边的介绍我们已经知道，nor闪存与nand闪存各有所长： （1）nor的存储密度低，nand闪存的存储密度和存储容量均比较高。 （2）Nand型闪存在擦写文件时速度非常快，而nor的读取速度很快。 Nor和nand各有所长（nor读的快而nand写得快），但两种优势无法在一个芯片上得到体现。所以，设计人员在选用芯片时，只能趋利避害，依照使用目的和主要功能在两者之间进行适当的选择。一般的原则是：在大容量的多媒体应用中选用nand型闪存，而在数据/程序存储应用中选用nor型闪存。 除了速度、存储密度的因素，设计师在选择闪存芯片时，还要考虑接口设计。