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    2015-8-5 13:20
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    2014-3-24 22:28
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        Nor flash作为非易失性存储器,在嵌入式应用中常作为程序存储器,应用非常普遍。并行接口的Nor flash 由于其接口类似sram,使用非常方便,但由于管脚较多,体积较大,逐渐被串行接口的Nor flash所取代。Serial Nor flash需要控制器才能方便CPU访问,某些SOC上已经集成了serial flash controller。     目前刚好在某项目中使用FPGA为核心搭建系统,采用Serial Nor Flash作为程序存储器,目前还没有什么免费的IP,决定自己动手丰衣足食,参照Altera Cyclone V 中 Quad SPI Flash Controller整个出来。    
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    2013-10-15 14:11
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    之前也跟大家多多少少介绍过了,这次做的新版就是对前一版不满意地方的小修补(比如印字,焊盘尺寸等等),另外对外扩IO做了微调,可以保证F407的每 种外设都可以扩展(之前是按照F103设计的兼容407但是没有优化)。其他功能和之前的一样没有变化。就说这些吧,上图。 正面照,左边STM32F103右边F407 背面照 核心板详解,是不是有点像ifixit 1.主芯片(STM32F103ZET6或者STM32F407ZET6) 2. MCP存储芯片(4MB pSRAM + 8MB NOR Flash) 3. SPI Flash(可焊接W25Q16/32/64等) 4. CP2102 USB转UART 5. TF卡座(自弹,连接STM32的SDIO) 6. USB(CP2102) 7. BOOT跳线 8. USB(STM32 USB Device) 9. 忘了标注,直接到10 10. 用户LED 11. 用户按键 12. 复位按键 13. RTC 电池槽 STM32核心板与公交卡 关于后续详情,大家可以关注我的淘宝小店:efusion.taobao.com 飞翼电子工作室
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    2012-3-23 14:03
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    NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,19***,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。      NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 性能比较      flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。 ● NOR的读速度比NAND稍快一些。 ● NAND的写入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 ● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。 接口差别     NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 容量和成本      NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。 NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128M B的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。 可靠性和耐用性     采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。 寿命(耐用性)     在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。 位交换     所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。 当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。 坏块处理     NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。    NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。 易于使用     可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。 由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。 软件支持    当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。 使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。 (纠正一点:NOR擦除时,是全部写1,不是写0,而且,NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4M FLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6S。)     NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商,曾经是FLASH的主流产品,但现在被NAND FLASH挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。     NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,在油盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。但也有缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。      在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序,但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此,必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器,在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行,挺麻烦的。 插入nand  flash 硬件知识链接: http://blog.163.com/qiu_zhi2008/blog/static/60140977200911374933539/
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    2011-10-31 10:25
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     NOR FLASH 与NAND FLASH 1 :以下是NandFlash与NorFlash典型电路图 Nor Flash接原理图 从上图可以看出,该NorFlash采用并行地址和数据总线, 其中,21bit地址总线,16bit数据总线。 该NorFlash最大可寻址2M的地址空间。实际上,该NorFlash大小为2M。所以,NorFlash可作内存使用。可以直接寻址每一个存储单元。   NandFlash的典型原理图   NandFlash没有区分地址总线和数据总线。只有一个8bit的I/O总线、6根控制线(WE、WP、ALE、CLE、CE、RE)和RB。 实际上,NandFlash数据和地址均通过8bit I/O总线串行传输的。 NOR型与NAND型闪存的区别很大,打个比方说,NOR型闪存更像内存,有独立的地址线和数据线;而NAND型更像硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线,类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般。   NOR和SRAM都是可以连续空间寻址的,但是对于地址线的要求就多了,比如1MB的地址空间,需要20根地址线(2^20=1048576=1MB)。由于NAND不支持连续空间寻址,无法直接实现片内程序运行,所以要实现NAND BOOT,需要CPU端做一些特殊处理,一般都是将一定大小的程序从NAND读到CPU内部的SRAM里,从SRAM实现BOOT。 2 :使用NandFlash,程序的放置与加载过程 S3C2410满足从NandFlash上执行引导程序,为了支持NandFlash的系统引导,S3C2410具备了一个内部SRAM缓冲器。当系统启动时,NandFlash存储器的前面4KByte字节将被自动载入到SRAM中,然后系统自动执行这些载入的引导代码。 一般情况下,这4K的引导代码需要将NandFlash中程序内容拷贝到SDRAM中,在引导代码执行完毕后跳转到SDRAM执行。 自动导入模式步骤: 1、完成复位。 2、如果自动导入模式使能,NandFlash存储器的前4K字节被自动拷贝到SRAM内。 3、SRAM被映射到nGS0。 4、CPU在SRAM的4KB内开始执行引导代码。 3 :NOR FALASH既然不仅可以记忆数据而且可以运行程序,是不是可以不要RAM。 理论上找一个大一点儿的norflash也应该可以,但事实上是不行的。 1、程序执行时中间要用到一些临时变量,一些临时的缓存数据,还有一些相应的堆栈 信息。这些变量与数据就要存在RAM中。理论上这些数据存在norflash中也是可以的,但这些变量是要频繁读写的,flash的擦写是有次数的(一般几万次到几百万次),对于一个高速的CPU像操作变量一样擦写flash,估计很快就挂了。 2、norflash的速度比起RAM来差得多,况且这些临时变量并不需要永久保存,可以掉丢失。 一般CPU内部都会有一小块的RAM,被称之为cache(高速缓存),常用的变量会放在这里来处理,大量的缓冲数据会放在外面的SDRAM中,这样会提高系统的速度。 4:NandFlash 与NorFlash不同的连接方式 NandFlash与NorFlash具有相同的存储单元,存储原理相同但是他们的连接方式不同,所以存储管理上就有差异。 NorFlash存储单元之间采用的是并联方式,而NandFlash存储单元之间是串联方式。 NAND的结构与硬盘相似,NAND型闪存的编址方法是:全部存储单元被分成若干个块 ,每个块内又分成若干个页 ,每个页的大小为512x8bits,单元位宽为8。就是说,每个页内 有512条位线。页的大小之所以取512个字节,是为了方便闪存装置与磁盘进行数据交换,因为磁盘一个扇区也是512个字节,所以这绝不是数字上的巧合,而是刻意的安排。 Nor的结构与内存相同,Nor闪存具有专用的地址线,且存储单元是并行排布、可以实现一次性的直接寻址。 5 :结构不同就决定了他们的性能不同 1 )速度差异 任何闪存器件的写人操作只能在空或已擦除的单内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。 在写数据和擦除数据时,nand因为支持整块擦写操作,所以速度要快得多。执行一次擦除操作,nor器件需要5s,而nand器件只需要4ms,速度相差千倍。但是,在读取nand闪存中的数据时情况就不同了,因为需要先向芯片发送地址信息进行寻址,之后才能开始读取数据。而nand的地址信息包括“块号”、“快内页号”、“快内字节号”三个部分,首先选择到某一块,然后选择其中的页,最后才能定位到所操作的字节。这样,每进行一次数据访问,就需要经过三次寻址,至少占用三个时钟周期。所以nor的读取速度很快。 2 )容量和成本 Nor型闪存每个存储单元都与位线相连,增加了芯片内连线的数量,不利于存储密度的提高。通常nand型闪存单元的平面只有nor器件的一半,每个nand存储单元在体积上只有nor器件的1/8。Nand 芯片的价格通常比同等容量的nor芯片便宜。NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储。NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。 3 )易用性 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。 4 )可靠性 一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。Nand闪存由于其结构特点,相邻存储单元之间交易发生位翻转而导致坏块的出现,增加了出错率。 5) 耐用性 Nand 擦写次数100万次,而nor的擦写次数只有10万次。Nand与nor寿命之所以不同,是因为两者使用了不同的写入技术。Nand 采用f-n隧道效应,nor采用热电子注入方式。 6 :选择nor 还是nand 通过上边的介绍我们已经知道,nor闪存与nand闪存各有所长: (1)nor的存储密度低,nand闪存的存储密度和存储容量均比较高。 (2)Nand型闪存在擦写文件时速度非常快,而nor的读取速度很快。 Nor和nand各有所长(nor读的快而nand写得快),但两种优势无法在一个芯片上得到体现。所以,设计人员在选用芯片时,只能趋利避害,依照使用目的和主要功能在两者之间进行适当的选择。一般的原则是:在大容量的多媒体应用中选用nand型闪存,而在数据/程序存储应用中选用nor型闪存。 除了速度、存储密度的因素,设计师在选择闪存芯片时,还要考虑接口设计。
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    电信运营商收入保障系统设计与实现分类号密级UDC编号中国科学院研究生院硕士学位论文电信运营商收入保障系统设计与实现XXX指导教师XXX职称单位XXX职称单位申请学位级别工程硕士学科专业名称软件工程论文提交日期2005年5月论文答辩日期培养单位中国科学院研究生院软件学院学位授予单位中国科学院研究生院答辩委员会主席独创性声明本人郑重声明:所提交的学位论文,是本人在指导教师的指导下,独立进行研究工作所取得的研究成果。尽我所知,文中除特别标注和致谢的地方外,学位论文中不包含其他人或集体已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得中国科学院研究生院或其它教育机构的学位或证书所使用过的材料。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。……
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