标签: 可编程振荡器

使用可编程振荡器生成和控制系统时钟 在处理器控制的系统中，功耗与处理器的时钟速度成正比。如果处理器上的计算负载很小，则大部分功率都会被浪费。将处理器速度调制到尽可能慢的频率，同时保持执行手头任务的最低计算能力可以减少这种浪费。本应用笔记描述了使用DS1077通过PC主机控制来控制8051型微处理器的时钟速度。 在处理器控制的系统中，功耗与处理器的时钟速度成正比。如果处理器上的计算负载很小，则大部分功率都会被浪费。将处理器速度调制到尽可能慢的频率，同时保持执行手头任务的最低计算能力可以减少这种浪费。本应用笔记描述了使用DS1077通过PC主机控制来控制8051型微处理器的时钟速度。 介绍 DS1077为固态CMOS 振荡器 ，能够产生8kHz至133kHz的频率 33.2MHz. 它可以用作固定频率的独立振荡器，或用作处理器控制的频率 发电机。两个同步振荡器输出的频率可由用户调节，子倍数为 主频率通过使用两个片上可编程预分频器和分频器。频率和 模式设置可“即时”配置，并使用1077线串行 接口 存储在 EEPROM 中，该接口可以 在一条2线总线上最多可容纳0个DS1。两个数字控制输入， CTR L1077 和 CTRL3 也是 能够控制频率或模式。此外，DS1077L是4V版本的 DS87，能够产生66.66kHz至3.5MHz的频率。在其余部分 除非另有说明，否则DS1077的1077V和 V版本均参考 作为DS 。 本应用笔记将举例说明DS1077的使用实例。展示DS1077的使用方法代替晶体来为 8051 微控制器 和微芯片PIC 提供时钟™微控制器。这 应用笔记还将说明如何在单条1077线总线上使用多个DS2。最后，示例 8051 包括固件，以展示如何实现2线主站以及下层通信与总线上每个DS1077通信的例程。 系统概述 图1中的参考原理图显示了两个相互独立的系统。两个系统 工作频率由DS1077产生。在此示例中，尽管每个系统都独立于 它们都由一个公共的2线主控器控制。该 2 线主站可以是更大主机的一部分 需要控制其子系统的系统。主站可以决定降低工作频率 目前不需要的子系统，以节省电力，在某些情况下减少热量，或者可能甚至减少电磁干扰。有时使用DS1077可以避免高频运行 整个大型系统的时钟，如背板上的时钟。分发相对容易和安全得多低频 2 线总线。同样，也可以设想使用DS1077来减少系统。工作频率而不是微控制器（许多微型处理器会降低其速度甚至进入低电平 当前睡眠模式），因为DS1077可以降低整个系统的频率，而不仅仅是微型独自。综上所述，使用DS1077的应用可能很大很复杂，但为此，应用可能很复杂。 应用笔记中，示例原理图已大大简化，旨在说明几点。它显示了公共总线上的多个DS1077，也显示了DS1077可以直接驱动一些流行的微控制器。 使用DS1077作为系统时钟 在参考原理图中，U1（DS1077Z-125）用于生成U3（8051 微控制器。用于开发附录 A 中发现的固件的特定 8051 是 DS87C520.DS87C520的工作频率高达33MHz。由于U1是125MHz版本 在DS1077中，OUT0只能产生125MHz、62.5MHz、31.025MHz和15.625MHz。虽然这会 如果我们的应用只需要全速和半速（使用66MHz版本的DS1077），那就没问题了， 但同样，对于固件的开发，希望将微控制器一直运行到千赫范围。OUT0 没有分频器，只有一个除以 1、2、4 或 8 的预分频器。另一方面，除了预分频器之外，OUT1 还有一个分频器，可以将频率进一步除以 2 到 1025。因此，选择了 OUT1 来为 8051 计时。然后，OUT0 仍可用于为系统的其他组件提供时钟。为了简单起见，没有使用 CTRL0 和 CTRL1，而是与 GND 相关联。然而 请注意，如果使用 CTRL0 和 CTRL1 输入禁用输出或输入，则必须小心 省电模式，因为微控制器的晶体输入浮动会导致不必要的振荡或 错误时钟。 图1.参考原理图。 参考原理图所示的第二个系统为U2，DS1077为U1的OSC4引脚提供时钟。 PIC 微控制器。同样，DS1077代替固定频率晶体。此处使用的事先知情同意 示例可以工作在高达 20MHz 的频率，因此与 8051 示例一样，使用 OUT1 以利用 的 2-1025 分频器，仅由 OUT1 提供。OUT0 可由 系统。但是，如果未使用任一输出，因此未连接，则明智的做法是禁用 使用相应的 CTRL 引脚未使用的输出。这将导致供应明显减少电流，以及降低不必要的EMI辐射的可能性。虽然，与 8051 系统一样， 简单性 CTRL0 和 CTRL1 未使用并接地。 像往常一样，提供足够的解耦很重要。同样，重要的是 去耦电容C1和C2具有良好的高频性能，并且物理位置很近尽可能使用短PCB走线，使每个DS1077都走线。 使用DS1077优于晶体的优势 DS1077可能优于晶体有几个重要原因。一、DS1077 频率可以改变。实际上，它可以即时更改，甚至可以禁用。其次，DS1077提供 双路、同步、可单独控制的输出。此外，DS1077 无需使用杂乱的油箱晶体在其谐波频率之一下工作时的电路（对于高于30MHz的晶体）。最后， DS1077比晶体更不容易受到振动的影响。 控制DS1077 DS1077可用于固定频率应用和变频应用。在固定频率下 应用中，不需要2线主站，CTRL输入是可选的。但对于 需要控制频率或模式、CTRL 输入和/或 2 线主站的应用必须 根据所需的灵活性使用。 CTRL0 和 CTRL1 输入 如果应用需要指示DS1077进入关断模式以节省能源，或者如果 应用程序想要关闭（三态）振荡器输出，则必须使用 CTRL0 和 CTRL1。 虽然没有特定的2线命令进入省电模式或禁用输出，但有 可以在固件中完成的一些技巧以达到相同的结果。例如，当 CTRL 输入是 在已知状态下，可以设置或清除 MUX寄存器中的相应位，以打开和关闭所需的 功能。 2线接口 当应用需要生成除 1、2、4 或 8 以外的频率时，则 2 线接口是必需的。与现有2线总线的接口很简单。只需连接SDA和SCL（和GND）。确保 总线某处包含总线上拉 电阻 。这些是参考原理图中的R1和R2。 虽然本例中使用了4.7kΩ电阻，但可能需要根据总线进行调整。电容、总线上的设备数量以及所需的通信速度。但是，4.7kΩ 会 适用于大多数应用程序。如果没有现有的总线，则可以使用微型创建一个总线。附录 A 中提供了 8051 微控制器的示例固件。此外，如果 2 线接口不会 在应用中使用，确保SDA和SCL绑定到明确定义的逻辑电平，而不是离开 浮动。 请注意，在本例中，同一总线上有多个DS1077。为了2线主站为了与每个DS1077单独通信，每个DS8都需要有一个唯一的地址。总线中的三位寄存器允许总线上同时最多连接1077个DS1。U000被编程为地址为“2”，而U001 被编程为地址为“2”。有关1077线通信的示例，请参考DS1077或 DS L数据资料以及附录A中列出的固件。 DS1077控制2线主机 读到这里，人们可能想知道为什么在示例应用中使用额外的2线主站。 当有两个精细的微控制器能够生成所需的2线协议时 与DS1077通信。虽然可以做到，但很危险，必须格外小心。第一个所有，当微控制器的频率发生变化时，2线例程的时序也会发生变化。此外，就像 对于 8051 示例和 PIC 示例，某些微器件可能具有最低工作频率规格 添加到最大频率。买电子元器件现货上唯样商城。最后，禁用输出是不可能的，因为微会不再计时，因此无法再发出命令以重新启用振荡器。但如果 必须这样做，检查正在使用的微控制器的数据表非常重要。 固件 基于 8051 的系统的固件包含在附录 A 中。它旨在展示一个较低的示例需要与DS1077通信的层例程。但是，请注意，固件实现了开环 系统。闭环非常特定于应用程序。但为了说明示例 与DS1077通信，基于菜单的开环示例是有益的。一个PC终端程序是 用于发出DS1077s命令。然后可以在固件中查找命令以准确查看 正在执行什么。基本菜单命令如下： 读取选定的DS1077并显示寄存器 编辑多路复用字 编辑 DIV 字词 编辑总线字 写入DS1077，地址为“000” 写入DS1077，地址为“000” 写入DS1077，地址为“001” 写入DS1077，地址为“001” 更改固件 2 线通信地址 由于DS1077设置存储在EEPROM中，因此DS1077上电至存储在EEPROM中的值。 可以使用相应的菜单命令写入 MUX、DIV 和 BUS 寄存器的值。菜单命令 2 至 8 的固件显示了如何执行 2 线写入的示例，而菜单 命令 1 显示 2 线读取。最后，菜单命令 9 显示了如何更改 2 线地址，该地址将 被解决。 以下是将1234h写入DS1077地址“000”的DIV寄存器的示例： LCALL START2WIRE ; 2-WIRE START MOV A,#0B0H ; DE VIC E IDENTIFIER, SLAVE A DDR ESS, WRITE LCALL WRITEBITS ; SEND COMMAND BYTE LCALL ACKSLAVEWRITE ; CHECK FOR SLAVE ACKNOWLEDGE MOV A,#01H ; ACCESS DIV COMMAND LCALL WRITEBITS ; SEND COMMAND BYTE LCALL ACKSLAVEWRITE ; CHECK FOR SLAVE ACKNOWLEDGE MOV A,#12H LCALL WRITEBITS ; SEND MSB LCALL ACKSLAVEWRITE ; CHECK FOR SLAVE ACKNOWLEDGE MOV A,#34H LCALL WRITEBITS ; SEND LSB LCALL ACKSLAVEWRITE ; CHECK FOR SLAVE ACKNOWLEDGE LCALL STOP2WIRE ; 2-WIRE STOP To write the same to the DS1077 at address ’001’ , simply replace: MOV A,#0B0H ; DEVICE IDENTIFIER, SLAVE ADDRESS, WRITE with the following: MOV A,#0B2H ; DEVICE IDENTIFIER, SLAVE ADDRESS, WRITE 下面是在地址“1077”DIV寄存器处读取DS000的示例。 LCALL START2WIRE ; 2-WIRE START MOV A,#0B0H ; DEVICE IDENTIFIER, SLAVE ADDRESS, READ LCALL WRITEBITS ; SEND COMMAND BYTE LCALL ACKSLAVEWRITE ; CHECK FOR SLAVE ACKNOWLEDGE MOV A,#01H ; READ DIVREG COMMAND LCALL WRITEBITS ; SEND COMMAND BYTE LCALL ACKSLAVEWRITE ; CHECK FOR SLAVE ACKNOWLEDGE LCALL START2WIRE ; REPE ATE D 2-WIRE START MOV A,#0B1H ; DEVICE IDENTIFIER, SLAVE ADDRESS, READ LCALL WRITEBITS ; SEND COMMAND BYTE LCALL ACKSLAVEWRITE ; CHECK FOR SLAVE ACKNOWLEDGE LCALL READBITS ; READ DATA FROM DS1077 A MOV DIVDATAMSB,A ; SAVE MUX MSB TO A VARIABLE LCALL ACKSLAVEREAD ; ACK SLAVE SO WE CAN READ NEXT BYTE LCALL READBITS ; READ DATA FROM DS1077 A MOV DIVDATALSB,A ; SAVE MUX LSB TO A VARIABLE ;LCALL ACKSLAVEREAD; NO ACK - NO MORE TO READ LCALL STOP2WIRE ; 2-WIRE STOP 结论 DS1077通常可以替代晶体，当需要更大的灵活性和控制时。 此外，DS1077还可用于产生从kHz范围到kHz的宽范围频率。 133兆赫。根据所需的控制量，它可以独立运行，也可以由处理器控制使用2线接口。虽然示例电路很简单，但它展示了 DS1077.考虑在下一个应用中使用DS1077。

          在时钟和频率控制领域，传统石英晶体振荡器受到了 MEMS振荡器 挑战，据In-Stat市场研究报告分析，从2007年起，MEMS数字调谐技术将在手机中获得应用，2008年MEMS振荡器也将上市。 MEMS振荡器 上市将给传统 石英晶振 行业带来哪些挑战？技术和市场发展方向如何？ MEMS振荡器会替代石英晶振 吗？       本文通过采访Sitime、Discera、Ecliptek、深圳英思特晶体电波有限公司、深圳世强电讯有限公司等公司，具体介绍MEMS振荡器上市带来的影响。   MEMS振荡器发展的目标        目前，随着MEMS设计和制造工艺的成熟，可以利用兼容CMOS的工艺和材料在硅晶圆上制造MEMS振荡器。Sitime公司市场营销副总裁John McDonald表示：“我们计划通过提供兼容CMOS工艺的硅MEMS振荡器产品，来变革整个石英晶体行业， 正如晶体管取代了真空管一样，石英晶体将被硅技术取代 。”         John McDonald认为：“MEMS振荡器发展的目标之一就是通过引脚对引脚的兼容方式，替代石英晶体或振荡器，以降低电子系统成本。”MEMS振荡器的最早应用领域可能是硬盘驱动器、汽车电子、工业和笔记本制造。         据悉，SiTime计划通过向消费芯片制造商授权使用其MEMS振荡器，从而实现单芯片解决方案，John McDonald自信道：“我们的技术可以被所有半导体制造商采用。”Sitime通过调整调谐叉的几何尺寸，将以往要由多个振荡器提供的多个频率， 集成到同一CMOS晶圆之中，单一芯片能够根据需要产生不同时基 。          MEMS振荡器可以利用现有硅半导体行业所使用的制造技术和设备，让半导体行业能在代工环境中集成MEMS。Sitime公司将以MEMS First技术进入时钟管理器件市场，下一代集成度更高的解决方案将包括MEMS振荡器和在同一硅晶圆上制造的超大规模集成电路控制功能。Sitime公司已与Jazz半导体公司合作，将SiTime公司的MEMS First工艺与Jazz半导体公司的0.18μm平台相结合，这中间包括RF CMOS和SiGe BiCMOS工艺选项，从而把应用拓展到802.11、蓝牙及其它无线收发器的设计之中。           另外，Discera公司首席技术官Wan-Thai Hsu博士表示：“MEMS振荡器的另一个发展方向就是进入混合信号和RF应用领域。”Discera公司通过与Vectron International公司合作，为电子产品制造商提供基于PureSilicon CMOS MEMS振荡器的时钟产品。同样不久前，无晶圆厂IC设计公司WiSpry也宣布着手生产基于MEMS技术的动态可调谐射频集成电路。   WiSpry创始人兼首席执行官Jeff Hilbert说：“全集成RF-MEMS器件将消除多标准、多频段应用中所需要的多个RF路径，应用于全球移动电话、移动无线电子系统和无线基站。” WiSpry的可调谐产品使蜂窝电话和其它无线电设备制造商能够建立跨越整个产品线的标准化的硬件平台、元器件和参考设计，从而进一步降低系统的成本。             iSuppli公司中国市场研究总监吴同伟指出，RF和滤波部分占手机总成本的3.4%， 除了振荡器之外，MEMS的应用还将渗透到天线开关、发送/接收声表面波滤波器、RF收发器的VCTCXO、32.768KHz晶体振荡器、微型麦克风和扬声器之中 。In-Stat特约分析师Stephen Cullen说：“在大多数应用中，MEMS振荡器的性能堪与传统晶体振荡器相媲美，MEMS发展的终极目标是将MEMS时钟集成到每个所需要的芯片中。”            因此，取代传统石英振荡器只是CMOS MEMS振荡器技术一个发展方向。更为重要的意义在于 CMOS MEMS振荡器技术将开启基于RF MEMS的RF SoC时代 。   成本挑战和竞争焦点        在未来发展中，MEMS振荡器面临成本上的挑战。Cullen说：“虽然MEMS将在2008年全面替代蜂窝电话中的石英晶体振荡器，但在2010年前不会批量生产，因为MEMS在体积上满足用户要求的同时，还需要大规模普及应用的过程，克服成本太高的难题。”Gartner Dataquest半导体工艺专家Dean Freeman也认为， 问题在于“ 能否生产出和石英晶体一样便宜的MEMS器件 ”。               图：MEMS振荡器在手机市场的应用演变情况             对于MEMS振荡器的成本问题，Discera公司的Hsu说：“与石英晶体必须采用的密封外壳陶瓷封装不同，MEMS振荡器可以采用塑料封装。Discera的封装成本还不到石英晶体的一半，并且MEMS在大批量生产后，成本将降低。”Hsu以军事领域的一家客户为例，该客户一直以65美元的价格购买石英晶体振荡器，但如果转向采用MEMS振荡器，那么单支成本还不到1美元。          显然，Hsu所说的是大批量生产价格。但实际上IC流片成本并不低，动辄需要上百万美元的NRE费用，这是MEMS振荡器高成本的关键原因之一。此外，MEMS振荡器走向大规模应用面临“成品率、可靠性和量产”三大挑战，这也是造成高成本的原因。因此，Gartner Dataquest分析师Stephan Ohr认为：“MEMS振荡器更适合于成本不敏感的高精度时钟管理应用。”他指出， “Discera和SiTime似乎都锁定高端市场中工作频率在100MHz以上的低抖动振荡器器件。” 这些公司并将“减小抖动和相位噪声指标”，作为竞争焦点。           Ecliptek公司的市场营销副总裁Mark Stoner也表示：“MEMS振荡器增长最快的领域是消费电子应用领域，如硬盘驱动器、DVD播放机和摄像机等，但由于这些应用涉及高速数据传输，因此，MEMS振荡器技术应用面临的最大挑战在于减小抖动和相位噪声指标，满足日益严格的数据通信需求。”据悉，Ecliptek公司通过提供抖动值小于3ps RMS的二代MEMS产品，来满足市场需要，其输出可选用LVPECL、LVDS和HCMOS。          同样为了更好地参与市场竞争，Sitime公司已生产了频率小于200MHz的低噪声(3ps RMS)可编程MEMS振荡器。Sitime公司中国区经理Frank Qiu预测，未来Sitime公司的发展方向有三个：提高振荡频率的覆盖范围(达到1GHz以上)；缩小封装；提供系列固定频点振荡器，并计划在2008年推出频率达到1GHz以上的低噪声可编程MEMS振荡器。   传统石英晶振仍有市场         虽然CMOS MEMS振荡器取代传统石英晶体振荡器是发展趋势，但仍需时日。目前，传统石英晶体振荡器仍有市场发展空间。          世强电讯从事石英晶体振荡器销售的Silabs产品线经理袁进表示：“目前，在传统石英晶体振荡器市场中，在发展多频率输出和任意频率输出的低抖动振荡器。”他举例说，Silabs推出的传统石英晶体振荡器Si53x/Si55x系列，是10MHz~1.4GHz任意频率输出的低抖动振荡器(小于0.5ps RMS)，采用了DSPLL数字锁相环(数字DCO+数字PD+数字环路滤波器)专利技术，通过DSPLL技术实现DSP数字化的任意小数点分频和倍频技术，产生任意输出频率，将频率控制和调谐从负载的振荡器移置到单一CMOS IC上。          Silabs的DSPLL技术不同于其他传统晶体振荡器技术，传统晶体振荡器通过切割、抛光等机械工艺来修改输出频率，但存在温度漂移、中心频率老化漂移、供货时间长达10周等缺点。利用Silabs基于DSPLL技术的VCXO/XO技术，能有效解决这些问题，客户可以在10MHz~1.4GHz频率之间订制晶体振荡器的输出频率，以满足通信市场的CDMA网络、光接入网、光通讯设备、雷达、激光测量仪器等需求。袁进认为，在通信应用领域，对抖动、温度飘移、抗干扰能力以及频率偏差的要求高，因此，中高档石英晶体振荡器才能满足客户需要。          袁进还指出，在电信基站、医疗设备、GPS和雷达等领域，另一市场发展趋势是要求石英晶体振荡器稳定性达到ppb级，而Silabs的产品能满足要求。据悉，法国TEMEX公司也提供一种SC断面的恒温石英晶体振荡器，温度漂移不超过0.2ppb，老化速度每年低于20ppb，特别适合WCDMA基地台转发器应用领域。          除了传统石英晶体振荡器在性能上能满足一定市场需求外，在成本上石英晶体振荡器也是低档电子系统设计中不可替代的产品。深圳英思特晶体电波有限公司总经理王立虎认为：“中低档传统石英晶体振荡器的发展方向依然是采用SMD技术，进一步缩小体积。”在超低抖动、高频率稳定性和小批量的应用领域，Silabs等生产的石英晶体振荡器能够利用灵活多变的定制服务，赢得客户。          对此，Discera公司的Hsu预测道：“ MEMS提供了比石英晶体更佳的降低成本路线图，在消费电子领域，MEMS技术将增长最快 。”但Sitime公司的John McDonald坦称：“ 目前，全球石英晶体振荡器市场年规模为30亿美元，每年生产90亿颗石英晶体振荡器 。”但他也坚信：“ MEMS振荡器取代石英晶体振荡器只是时间问题 。” 基于 MEMS技术的 可编程 振荡器 ，有可能成为颠覆整个传统石英晶体振荡器行业的杀手级产品。     图： Discera 首席执行官 Bruce Diamond   

       Discera是一家在CMOS MEMS振荡器技术领域里领先全球的美国公司，成立于2001年，总部位于加利福尼亚州的圣荷塞市，是一家私营无晶圆厂半导体企业，投资方包括Ardesta、artech、3i、Scale Venture、Horizon、和高通公司。 　      　Discera在MEMS振荡器技术上拥有27项专利，所有电子系统都可直接采用此项技术，并受益于其产品在体积、能耗和成本方面的优势因素。MEMS振荡器采用了全硅设计，防震效果是晶体谐振器的25倍，温度稳定性更好，其频率可编程性实现了单个器件对多频率的支持。　        深圳扬兴科技有限公司代理Discera产品，正式成为中国大陆一级总代理，可获得由原厂订货以及大批量出货的优势权利；      Discea采用 CMOS工艺和标准IC塑料封装，可以避免传统的密封陶瓷或金属封装所带来的组装污染问题。且没有采用机械式共振器来产生频率，减少了冲撞和震动产生的影响。      可以编写频率至振荡器元件之中 编程振荡器                                      频率范围：1- 425MHZ 电压 1.8V 、2.5V、3.0V、3.3V、3.6V  可选 体积:  7050（7.0*5.0mm）        5032(5.0*3.2mm)        3225(3.2*2.5mm)        2520(2.0*2.5mm) 误差 25PPM 、50PPM  可选        10PPM 可定制   如果您对该产品感兴趣，需要了解详细产品参数或者样片申请；     欢迎咨询电话：134187986700      或者加QQ：1659387431询问产品详情   阿里巴巴产品网址    http://fxyg86.cn.alibaba.com/      淘宝产品网址：      http://fxyg86.taobao.com/      产品信息联系邮箱:  xander@yangxing.hk          在时钟和频率控制领域，传统石英晶体振荡器受到了 MEMS振荡器 挑战，据In-Stat市场研究报告分析，从2007年起，MEMS数字调谐技术将在手机中获得应用，2008年MEMS振荡器也将上市。MEMS振荡器上市将给传统 石英晶振 行业带来哪些挑战？技术和市场发展方向如何？ MEMS振荡器会替代石英晶振 吗？       MEMS振荡器发展的目标   目前，随着MEMS设计和制造工艺的成熟，可以利用兼容 CMOS 的工艺和材料在硅晶圆上制造MEMS振荡器。Sitime公司市场营销副总裁John McDonald表示：“我们计划通过提供兼容CMOS工艺的硅MEMS振荡器产品，来变革整个石英晶体行业， 正如晶体管取代了真空管一样，石英晶体将被硅技术取代 。”   John McDonald认为：“MEMS振荡器发展的目标之一就是通过引脚对引脚的兼容方式，替代石英晶体或振荡器，以降低电子系统成本。”MEMS振荡器的最早应用领域可能是硬盘驱动器、汽车电子、工业和笔记本制造。   据悉，SiTime计划通过向消费芯片制造商授权使用其MEMS振荡器，从而实现单芯片解决方案，John McDonald自信道：“我们的技术可以被所有半导体制造商采用。”Sitime通过调整调谐叉的几何尺寸，将以往要由多个振荡器提供的多个频率， 集成到同一CMOS晶圆之中，单一芯片能够根据需要产生不同时基 。   MEMS振荡器可以利用现有硅半导体行业所使用的制造技术和设备，让半导体行业能在代工环境中集成MEMS。Sitime公司将以MEMS First技术进入时钟管理器件市场，下一代集成度更高的解决方案将包括MEMS振荡器和在同一硅晶圆上制造的超大规模集成电路控制功能。Sitime公司已与Jazz半导体公司合作，将SiTime公司的MEMS First工艺与Jazz半导体公司的0.18μm平台相结合，这中间包括RF CMOS和SiGe BiCMOS工艺选项，从而把应用拓展到802.11、蓝牙及其它无线收发器的设计之中。   另外，Discera公司首席技术官Wan-Thai Hsu博士表示：“MEMS振荡器的另一个发展方向就是进入混合信号和RF应用领域。”Discera公司通过与Vectron International公司合作，为电子产品制造商提供基于PureSilicon CMOS MEMS振荡器的时钟产品。同样不久前，无晶圆厂IC设计公司WiSpry也宣布着手生产基于MEMS技术的动态可调谐射频集成电路。   WiSpry创始人兼首席执行官Jeff Hilbert说：“全集成RF-MEMS器件将消除多标准、多频段应用中所需要的多个RF路径，应用于全球移动电话、移动无线电子系统和无线基站。” WiSpry的可调谐产品使蜂窝电话和其它无线电设备制造商能够建立跨越整个产品线的标准化的硬件平台、元器件和参考设计，从而进一步降低系统的成本。   iSuppli公司中国市场研究总监吴同伟指出，RF和滤波部分占手机总成本的3.4%， 除了振荡器之外，MEMS的应用还将渗透到天线开关、发送/接收声表面波滤波器、RF收发器的VCTCXO、32.768KHz晶体振荡器、微型麦克风和扬声器之中 。In-Stat特约分析师Stephen Cullen说：“在大多数应用中，MEMS振荡器的性能堪与传统晶体振荡器相媲美，MEMS发展的终极目标是将MEMS时钟集成到每个所需要的芯片中。”   因此，取代传统石英振荡器只是CMOS MEMS振荡器技术一个发展方向。更为重要的意义在于 CMOS MEMS振荡器技术将开启基于RF MEMS的RF SoC时代 。