标签: 晶体q值

石英晶体的压电谐振现象可以用等效电路来模拟。等效电路包括静态电容C0，动态电容C1,谐振电阻R1,以及动态电感L1。 晶体Q值的公式如下： 其中f为频率，L1为等效电感，R1为等效电阻(表征能耗)。R1与Q值成反比。由此可见，每周期损失的能量越低，晶振的频率稳定度也就越高，对应的Q值也就越高。 KOAN晶振实测数据为例：KX32 Q值在50k左右. 当晶体放入振荡电路中，电路的损耗会降低Q值，这时的Q值被叫做“在线Q值”。高Q值的晶体，如果负载电容若选择不合适，在线Q值也会下降。 负载电容决定晶体频率的制造公差△f。在选购晶体时，首先要确认单片机或者其它器件的规格书内对晶振的负载电容是否有要求。如果对负载电容的要求比较泛泛，则需要做以下的权衡考虑： 负载电容大 负载电容小 在线Q值高 ↓ 老化率低 ↓ 频率微调范围小 ↓ 振荡器难达到标准频率 在线Q值低 ↓ 频率微调范围大 ↓ 容易调整频率 ↓ 频率准确度差

         一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻。 金洛电子 介绍这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。 　　和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。 晶振 输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。 　　Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向。 　　电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。   　　晶体的Q值非常高，Q值是什么意思呢? 　　晶体的串联等效阻抗是Ze = Re + jXe，Re |jXe|，晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。Q一般达到10^-4量级。避免信号太强打坏晶体的。电阻一般比较大，一般是几百K。串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策可是转化为并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。晶体的等效Rp很大很大。外面并的电阻是并到这个Rp上的，于是，降低了Rp值-----增大了Re ----- 　　降低了Q 精确的分析还可以知道，对频率也会有很小很小的影响。 本文来源于http://www.jinluodz.com