标签: 分立式半导体

分立式半导体 作为构成预制电路的单独元件，属于非卖品。它包括各种不同的元件，其中有晶体管、真空管、整流器等。部分则作为能与现有电路集成的模块化配件出售。 某些 分立式半导体 的构造方式可使其实现类似于两个不同装置按特定配置连接在一起时能够实现的功能。这留出了电路板上拟保留的空间，并实现可能需要并联元件通过仅提供带有单一元件的电路所实现的其他重要功能。 在分立式半导体中，许多功能取决于半导体在设备中的布置。例如，半导体闸流管的特征为具有四层带半导体材料，其中n-和p-型材料夹在交互层之间。 某些分立式半导体曾是消费产品中常见的设备，例如 电子管放大器 ，但也是最近在其消费群体缩减的同时工业应用程序中最常用的器件。这些设备通常由专业供应商供应，其中某些设备深受电子爱好者以及喜欢构建电路进行试验（而非以实际应用为目的）的人群的喜爱。 分立式半导体与其他半导体不同之处在哪里？ 许多类型的半导体作为电路（通常是集成电路（IC））的一部分出售。这些电路通常能够实现设备的不同数量的功能，这是其在本质上与分立式半导体的不同之处。 分立式半导体具有无法划分为其他功能的基本功能。例如，集成电路（IC）可能带有一个晶体管、一个二极管或其他元件，其可独自或者作为一个电路协同工作以实现不同功能，从而使该集成电路同时实现多项功能。相反，分立式半导体仅能实现一项功能。例如，一个 晶体管 通常只能实现关联到晶体管的功能。 在当今世界，大多数半导体作为构成集成电路的一部分进行购买。但是，对于某些应用程序，分立式半导体可为工程设计需求提供最佳可能解决方案，因此，分立式半导体在电子元件市场起到举足轻重的作用。 由于这些器件属于分立式设备，因此其中某些设备需要与其他设备一并购买，以实现其在规定电路中使用时所需的功能。半导体设备能够实现的功能涵盖调节功率到作为转换开关等等。对于某些工程设计需求，购买分立式半导体的支付能力可使原型制作及生产的购买更加容易。 分立式半导体都有哪些类型？ 分立式半导体是电子工程设计中最基本的部件，有许多不同的类型。在大多数情况下，这些半导体的价格并不昂贵。 双极晶体管 这些设备经常用于模拟电路。由于其有使用正电荷和负电荷的载流子，因而被称为双极。在半导体中，这意味着电子和正穴均参与其操作。 双极晶体管 大量应用于集成电路，但是，大多数零售商将其作为分立式装置进行出售。 桥式整流器 桥式整流器 安装布置在特定配置的二极管外，因此被称为“桥式”。这座“桥”能够将输入的交流电转换为直流电，这是大多数电子设备的基本功能。这些设备使用双线式交流输入，设计中带有两个二极管压降，并提供全波整流。 恒流二极管 恒流二极管 与其他二极管的区别之处在于，其调节的是电流而不是电压。通过这些二极管的电流达到特定的极限，随后由该二极管保持该水平。这些都是以其某些不同的名称而为人熟知，包括电流调节二极管（CRD）、限流二极管（CLD）和二极管接法晶体管。 达林顿晶体管 达林顿晶体管本质上合为一体的两个晶体管。其功能都是增强所接收的电流。第一个晶体管件电流增强至特定水平，随后第二个晶体管再次将其增强至更高水平。这些零件的使用通常出于对空间的考虑，因为 达林顿晶体管 占用的空间比连接至分立式装置的两个晶体管所占空间更小。实际上，这些分立式元件可代替另外两个分立式元件。 双向触发二极管（ DIAC ） 双向触发二极管 （DIAC）通常用作晶体闸流管的触发器。同样，其还用于触发双向晶闸管（TRIAC）。该二极管自身就是晶体闸流管，区别于大多数晶体闸流管的是，其缺少栅电极。 数字晶体管 数字晶体管 在电路中只有两个可能状态。它可以完全开启，称为饱和状态；或可以完全关闭，称为切断状态。 双三极管 双三极管 是与无线电接收器相连的真空管。这些真空管包括提供放大功能的三极管。例如，设计中包含的二极管用于整流器，并在其他二极管中用作探测器。 发射极开关双极晶体管 发射极开关双极晶体管 实际上是合为一体的两个晶体管。该设计允许元件限制高电压并以极高的速度运行。 点火电路指令模块 点火电路指令模块 提供电路系统中的相位控制。其通常以其可以处理的安培值作为额定值。 高电子迁移率晶体管（ HEMT ） 通常，这些包含在需要高速运行的电子装置（例如便携式电话、雷达设备以及其他设备）之内。 高电子迁移率晶体管 （ HEMT ） 比常规晶体管运行速度更快。由于制造中使用不同材料的组合，其属于场效应晶体管。 绝缘栅双极型晶体管（ IGBT ）模块 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块 易于纳入电路中，并允许包含设备中绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的快速转换功能。同时，均为高效设备，负责大部分电子设备（可能存在于过去数十载间）微型化。 绝缘栅双极型晶体管（ IGBT ） 绝缘栅双极型晶体管 （IGBT）能够快速转换。其是带有三个终端电源设置的半导体，并常常用于过滤器，以及创建更复杂的波形。该晶体管皆为高效元件。 结型场效应晶体管（ JFET ） JFET 代表结型场效应晶体管。其经常用于切换应用程序，但也可以用以提供取决于电压的电阻。其有源端子和漏端子，并且可以为电流增加电阻，或者如果以不同的方式使用其时，将电流完全切断。 金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET ） 金属氧化物半导体场效应晶体管 （ MOSFET ） 是使用中最常见的晶体管。其应用覆盖模拟电路和数字电路系统。其配有四个端子的场效应晶体管，认为其中三个端子是最常见的连接。多数情况下，两个端子在设备中断路连接。事实上，这种布置如此常见以至于这些设备在电气图中出现三个端子。其设计中包括主体端子、漏端子、门接端子以及源端子。 五极管 正如其名称所暗示， 五极管 的设计中包括五个电极。这些设备中的大多数都是真空管设计，并带有三个放大格栅。其设计十分古老，在二十世纪二十年代首次被开发出来。如今，当高功率作为影响因素时，这些设备仍大量应用于工业设计之中。 PIN 型二极管 PIN型二极管 经常出现在高压应用程序，以及需要快速转换的应用程序之中。与其他二极管不同的是，其有一个夹在p-型和n-型半导体层之间的本征半导体层。 整流器 肖特基二极管 肖特基二极管 的特征是具有快速转换的能力，以及具有低正向压降。这些二极管与触须探测器极为相似，事实上，这些设备可以被认为是此类二极管的早期版本。这些二极管的低压差特点使其能够在快速切换应用程序中使用。 硅双向触发二极管（ SIDAC ） 硅双向触发二极管（SIDAC） 与双向触发二极管（DIAC）相似，但其能够处理较高电流，并具有较高的击穿电压。缩写字母代表交流电用硅二极管，属于半导体闸流管的一个类型。当适用于该设备的电压达到或超过击穿电压时，该设备的不导电性发生改变，并变为可导电状态。当适用于该设备的电流低于保持电流时，其将恢复至不导电状态。 开关二极管 当所应用的电压低于其规定电压时， 开关二极管 具有较高的电阻。当电压增加至超过规定电压的水平时，电阻将会下降。该特征允许其作为一个转换开关运行。 热离子管管座 这些设备在很大程度上被固态替代品所取代，其中包括二极管和晶体管。然而，其仍然应用于高频发射机以及其他应用程序中。 热离子管管座 可更改或形成一个电子讯号，或者增强或转换电子讯号。 半导体闸流管模块 半导体闸流管模块 是与可控硅整流器相同的设备。这些设备作为转换开关运行。当设备上的闸门接收到电流脉冲时，其转换至开启状态。直至电压相反之前，其应保持开启状态。这些设备包含四层半导体材料，其中包括p-型及n-型半导体的交互层。 半导体闸流管功率控制器总成 半导体闸流管功率控制器总成 用作提供数字电路部分保护的触发控制器。如果输出电压高于规定的水平，半导体闸流管可断路以保护组件。 半导体闸流管触发器模块 半导体闸流管触发器模块 通过提供触发半导体闸流管的方式，允许模块用于开关应用程序以及其他应用。其选择可取决于某些不同标准，包括其设计是否与大电流协同工作，或是用于高电感电路。 半导体闸流管 任何 半导体闸流管 内部均为四层具有半导体性质的材料，其中包括有n-型及p-型半导体构成的交互层。这些设备作为转换开关运行。当达到特定的电流值时，设备将开始并持续导电，直至元件内部电压反转。这些设备常用于功率控制器。 双向晶闸管（ TRIAC ） 双向晶闸管（TRIAC） 作为电子切换器运行，属于双向，因此允许电流在两个方向通过。这些设备与一对反向并联配置的可控硅整流器的功能相似，并在各个整流器闸门处连接在一起。 瞬变电压抑制二级管（ TVS ） TVS代表瞬变电压抑制。 瞬变电压抑制二级管 是一种广泛用于保护装置的二极管，防止突增的瞬间电压对破坏电子元件造成破坏。当通过该设备的电压达到特定的极限，其将关闭多余的电流。当电压从设备移除时，其允许电流通过。鉴于其阻碍电流通过电路的方式，该类型的设备通常是指夹紧装置。 单结晶体管（ UJT ） UJT（单结）晶体管有三个端子，但仅有一个结点。其使用n-型半导体为管底，p-型半导体为发射极。 单结晶体管 （ UJT ） 原来（尤其是被业余爱好者）用于振荡器。如今，其通常用于激发晶体闸流管。 可变电抗二极管 这些设备通常也被称为变容二极管、变频电容二极管以及调频变容二极管。这些设备用作被其所用电压控制的电容器。 可变电抗二极管 通常出现在电视机、便携式电话机及其他使用调频（FM）发射机或接收调频（FM）的设备。这些设备的电容随其所用的变压的升高或降低而发生变化。 齐纳二极管 齐纳二极管 通常用于电压、电路过高电压或基准电压防护，为其提供限制因素。这些设备在电子装置的电路板中是极为常见的元件。