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磁性随机 存储器 ( MRAM )供应商Crocus Technology声称已开发出一种称之为磁性逻辑单元(Magnetic Logic Unit, MLU )的技术，它可匹配其热辅助磁性转换(TAS)技术，除了储存以外还可用于存储器存取，开启了使用在MRAM中实现类NAND( NAND -like)存储器以及搜寻存储器的可能性。 利用开启数据储存、安全商业及通讯应用、网路处理以及汽车和工业等应用，Crocus声称，此一创新技术将可拓展磁性技术的市场。然而，该公司并未透露何时可量产或将推出何种容量的存储器。 在高密度存储器应用中，MLU开启了一条可在 磁性存储器 中实现类NAND配置的道路，MLU NAND存储器可实现比传统磁性存储器高出2~4倍的密度，而且还具有完整的随机存取优势，Crocus表示。 Crocus表示，其MLU技术可通过设定一个通常固定于MRAM单元中的参考层磁化来整合三种模式。 Crocus的MLU XOR，称之为地匹配(Match-In-Place)，它实现了比较和加密功能，可防止智能卡、身份证、SIM卡、近距离无线通讯( NFC )遭到篡改。Match-In-Place还实现了搜寻和比较功能所需的网路路由应用，可以实现比传统CMOS硬体搜寻处理器更高出50倍的密度。此外，所有配置的MLU都能在高达200℃的温度中正常运作，这使其成为汽车和工业电子产品的理想应用。 “在许多独立和嵌入式存储器产品中，MLU具有取代SRAM、DRAM、NAND、NOR和OTP的潜力，”Crocus公司执行主席Bertrand Cambou说。“因为MLU的NOR、NAND和XOR功能是在单一晶片制程中使用不同的设计架构，他们能够轻易地症合到系统单晶片(SoC)中。” MLU与Crocus目前的晶圆制程相容，Crocus正计划采用Tower Semiconductor的130nm制程来量产基于MLU的产产品，另外，其俄罗斯子公司Crocus Nano MLU也正计划使用90/65/45以及更小的几何尺寸。   点击参考原文： http://www.eet-china.com/ART_8800645680_626963_NT_3e0bf5ce.HTM 《电子工程专辑》网站版权所有，谢绝转载

在嵌入式系统中，用的最多的非易失性（Non-Volatile)存储器是EEPROM和FLASH，主要用于保存程序或数据，但这两种存储器有一个共同的缺点是写入速度慢，且写入算法比较复杂，无法满足实时处理系统中高速写入的要求，例如，在一个实时红外图像处理系统中，每个像素的校正参数有时需要实时修改，掉电后不能丢失，就必须使用高速、大容量的非易失性SRAM来保存。非易失性SRAM的特点是：读写操作简单(与普通SRAM一样）、速度快（ns级）、掉电后数据不丢失。 目前，比较常用的大容量高速非易失性SRAM有如下几种： 1、BBSRAM（Battery-Backup SRAM），即内带电池保护的SRAM，其结构为：SRAM+锂电池+监控保护电路，有些还内带RTC（实时时钟）。美国Dallas（现为Maxim）公司是BBSRAM的发明者，产品型号也很多，其中大容量的有：DS1265W（1Mx8)、DS1270W（2Mx8)。BBSRAM上世纪九十年代初就已推广到国内，目前已比较流行，国内也有几家公司生产BBSRAM，例如成都国腾的GM系列，其GM2016(1Mx8)、GM2107(2Mx8)与Dallas的完全兼容。BBSRAM一个很明显的缺点是体积较大（因内置电池），且都是DIP封装的。 2、NVSRAM，是一种双体结构的非易失性SRAM，这种存储器内部包含两个存储体：一个是供用户读写的普通SRAM,另一个是与SRAM容量相同、供数据备份用的EEPROM(或Quantum Trap)。正常工作状态下,微处理器访问NVSRAM时,所操作的是SRAM,只有在电源断电时,芯片自动把SRAM中的内容快速备份到EEPROM(或Quantum Trap)中,使内容不会丢失;在下次加电时,它又把EEPROM中保留的备份内容自动恢复到SRAM中。大容量NVSRAM比较典型的有Cypress的CY14B104（512Kx8/256Kx16)、CY14B108（1Mx8/512Kx16)，读写周期高达20ns。这种芯片有一个小小缺陷是必须外接一只大容量的电容，用于掉电备份数据时缓冲电源供电。此外，在国内市场不易买的。 3、FRAM，即“铁电存储器”。其核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储器同时拥有RAM和ROM的特性。晶阵中的每个自由浮动的原子只有两个稳定状态,一个用来记忆逻辑“0”,另一个用来记忆逻辑“1”。数据状态可保持100年以上。FRAM产品具备一系列超级特性。比如,高速随机读写（存取时间只有55ns）、超低功耗（只有EEPROM的1/2500）和几乎无限次的读写周期（可达10的14方次）。RAMTRON公司是FRAM的发明和生产者，目前面市的大容量型号有；FM21L16(256Kx8/128Kx16)、FM22L16（512Kx8/256Kx16)。与NVSRAM不同，FRAM的数据写入与备份是同步进行的，因此也不存在恢复操作。 4、MRAM，即“磁阻RAM”，是Freescale公司的专利产品，采用磁隧道结(MTJ)结构来进行数据存储。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的 。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其他要求高速、耐用和非易失性的商业应用。目前的产品型号有：MR0A16~MR2A16，容量为：128Kx8/64Kx16~512Kx8/256Kx16，读写周期为35 ns。与FRAM一样，MRAM也不需要备份和恢复。