标签: 氮化铝陶瓷基板

陶瓷线路板（ceramic circuit boards）是一种由陶瓷材料制成的电路板，因其高耐热、耐湿、耐化学腐蚀等特性而广泛应用于军工、航空航天、医疗器械等领域。在制造陶瓷线路板时，磁控溅射工艺是一种重要的制造技术。 在制造陶瓷线路板时，靶材是重要的制造工具之一。钛和铜是常用的靶材材料，可以通过磁控溅射工艺制备出高质量、高性能的薄膜，用于陶瓷线路板的制造。 靶材的主要作用是用于溅射源和陶瓷基板之间，将溅射源产生的离子或电子束转化为靶材上的原子或分子，形成薄膜。靶材的材料选择和制备工艺对薄膜的质量和性能有重要的影响。 钛靶材是一种常用的陶瓷线路板制造材料。钛的高纯度、高耐热性、高耐腐蚀性等特性使其成为陶瓷线路板制造的理想靶材。钛靶材可以通过磁控溅射工艺制备出高质量、高性能的薄膜，用于陶瓷线路板的制造。 铜靶材也是一种常用的陶瓷线路板制造材料。铜的高导电性、高热稳定性、高化学稳定性等特性使其成为陶瓷线路板制造的理想靶材。铜靶材可以通过磁控溅射工艺制备出高质量、高性能的薄膜，用于陶瓷线路板的制造。 除了靶材的材料选择和制备工艺外，磁控溅射工艺的参数也对薄膜的质量和性能有重要的影响。例如，溅射时间、靶材温度、溅射电压、薄膜厚度等参数需要进行控制和调节，以制备出高质量、高性能的薄膜。 总之，钛、铜靶材的磁控溅射工艺是制备高质量、高性能陶瓷线路板的重要制造技术之一。通过选择合适的靶材和制备工艺，可以制备出符合工艺要求和性能要求的薄膜，应用于高端电子设备中。未来，随着陶瓷线路板的不断发展和需求的增加，磁控溅射工艺也将不断发展和完善，为陶瓷线路板的制造和应用提供更加优秀的解决方案。 磁控溅射工艺是一种真空溅射技术，它利用高能粒子（通常为离子或电子）轰击陶瓷基板，使其表面原子被溅射出来，并在基板表面形成薄膜。磁控溅射工艺的基本过程如下： 1. 准备陶瓷基板和靶材 准备陶瓷基板和靶材是磁控溅射工艺的第一步。在准备基板时，需要保证基板的晶相组成、纯度和均匀度满足工艺要求。靶材可以是不同元素的金属或氧化物。 2. 靶材蒸发 靶材蒸发是磁控溅射工艺的关键步骤之一。在靶材蒸发前，需要将靶材放置在高真空环境下，使其表面的原子被激发。随后，靶材被加热至接近气化温度，靶材原子在高能粒子的轰击下发生电离，形成原子蒸汽，进而被气流带走。 3. 薄膜沉积 在靶材蒸发后，靶材表面的薄膜被溅射到陶瓷基板上。薄膜的成分、厚度、均匀度等参数会影响薄膜的电学性能和机械性能。 4. 电镀增厚 在制造完成后， 采用整板电镀的方式增厚薄膜沉，保护磁控溅射薄薄的种子层不被氧化和微蚀磨损掉，为后续的线路和电镀做好准备 。 真空镀膜机 应用 磁控溅射工艺制备的薄膜需要进行检测和修复，以确保其符合工艺要求和性能要求。在制造完成后，陶瓷线路板需要进行清洗和封装。在清洗和封装之前，需要对陶瓷线路板进行表面预处理，以提高陶瓷线路板的可靠性和可加工性。表面预处理可以采用化学处理、物理处理等方法。化学处理通常采用化学清洗剂、溶剂等进行表面清洗，物理处理通常采用超声波、微波等技术进行表面处理。 除了上述内容，磁控溅射工艺还可以通过控制靶材的蒸发气压、溅射时间、靶材温度等参数，调节薄膜的成分、厚度、均匀度等参数，进而制备出具有特殊性能的薄膜。例如，可以通过调节靶材的温度和溅射时间，制备出具有高介电常数、低介电损耗、低介电击穿电压等特性的薄膜，可以应用于高频电路中。 此外，磁控溅射工艺还可以制备出具有薄膜质量因子（Q值）较高的薄膜。Q值是指薄膜中的质点数与单位体积内质点数的比值。高Q值薄膜具有更高的表面密度和电导率，因此可以应用于高密度集成电路中。 总之，磁控溅射工艺是制造陶瓷线路板的重要制造技术之一。它可以制备高质量、高性能的薄膜，应用于高端电子设备中。未来，随着磁控溅射工艺的不断发展和完善，其应用将会更加广泛和深入。 磁控溅射工艺制备的薄膜的应用范围广泛，可以应用于航空航天、国防军工、电力电子、通信等领域。随着科技的发展和需求的增加，磁控溅射工艺的应用也将不断拓展和深入。

近年来随着电子信息产业的发展，芯片小型化的发展趋势明显。但小型芯片散热量低，工作和不工作的热沉温差小，热匹配要求较低，传统的封装材料在性能上面已经达不到要求，氮化铝因其优良的物理、化学、电热性能逐渐出现在人们的视线中。 氮化铝陶瓷 是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。AlN是原子晶体，属类金刚石氮化物，最高可稳定到2200℃ 。由氮和铝两元素人工合成，白色或灰白色；密度：3.235g/cm3。其主要性能指标： 氮化铝陶瓷的应用： 氮化铝于1877年首次合成，当时作为一种固氮剂用做化肥。至19世纪80年代，人们逐渐认识到氮化铝在电热性能方面的特性。 氮化铝被广泛的应用在工业各个领域： 1、压电装置应用 氮化铝具备高电阻率，高热导率(为Al2O3的8-10倍)，与硅相近的低膨胀系数，是高温和高功率的电子器件的理想材料。 2、电子封装基片材料 常用的陶瓷基片材料有氧化铍、氧化铝、氮化铝等，其中氧化铝陶瓷基板的热导率低，热膨胀系数和硅不太匹配；氧化铍虽然有优良的性能，但其粉末有剧毒。 在现有可作为基板材料使用的陶瓷材料中，氮化硅陶瓷抗弯强度最高，耐磨性好，是综合机械性能最好的陶瓷材料，同时其热膨胀系数最小。而氮化铝陶瓷具有高热导率、好的抗热冲击性、高温下依然拥有良好的力学性能。可以说，从性能的角度讲，氮化铝与氮化硅是目前最适合用作电子封装基片的材料，但他们也有个共同的问题就是价格过高。 3、应用于发光材料 氮化铝（AlN）的直接带隙禁带最大宽度为6.2eV，相对于间接带隙半导体有着更高的光电转换效率。AlN作为重要的蓝光和紫外发光材料，应用于紫外/深紫外发光二极管、紫外激光二极管以及紫外探测器等。此外，AlN可以和III族氮化物如GaN和InN形成连续的固溶体，其三元或四元合金可以实现其带隙从可见波段到深紫外波段的连续可调，使其成为重要的高性能发光材料。 斯利通的陶瓷支架采用国外进口氮化铝粉体，引进先进的DPC金属薄膜设备，通过先进的生产工艺按照客户定制化生产，适用于LED芯片、UVC/UVA支架、VCSEL芯片封装、传感器、汽车雷达、IGBT等高热元器件产品导热基板、热沉材料等。散热性能优良，电气性能绝缘性好，优异的耐焊锡性及高附着强度，适合于高速SMT贴片回流焊接、金丝键合等工艺。 4、应用于衬底材料 AlN晶体是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想衬底。与蓝宝石或SiC衬底相比，AlN与GaN热匹配和化学兼容性更高、衬底与外延层之间的应力更小。因此，AlN晶体作为GaN外延衬底时可大幅度降低器件中的缺陷密度，提高器件的性能，在制备高温、高频、高功率电子器件方面有很好的应用前景。 另外，用AlN晶体做高铝（Al）组份的AlGaN外延材料衬底还可以有效降低氮化物外延层中的缺陷密度，极大地提高氮化物半导体器件的性能和使用寿命。基于AlGaN的高质量日盲探测器已经获得成功应用。 5、应用于陶瓷及耐火材料 氮化铝可应用于结构陶瓷的烧结，制备出来的氮化铝陶瓷，不仅机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，硬度高，还耐高温耐腐蚀。利用AlN陶瓷耐热耐侵蚀性，可用于制作坩埚、Al蒸发皿等高温耐蚀部件。此外，纯净的AlN陶瓷为无色透明晶体，具有优异的光学性能，可以用作透明陶瓷制造电子光学器件装备的高温红外窗口和整流罩的耐热涂层。 6、复合材料 环氧树脂/AlN复合材料作为封装材料，需要良好的导热散热能力，且这种要求愈发严苛。环氧树脂作为一种有着很好的化学性能和力学稳定性的高分子材料，它固化方便，收缩率低，但导热能力不高。通过将导热能力优异的AlN纳米颗粒添加到环氧树脂中，可有效提高材料的热导率和强度。 随着科研水平的不断提高，氮化铝的制备工艺日趋成熟，其应用范围也在不断拓展。特别是近年来国家对电子信息产业的扶持力度越来越大，随着微电子技术的飞速发展，电子整机和电子元器件正朝着微型化、轻型化、集成化，以及高可靠性和大功率输出等方向发展，越来越复杂的器件对基片和封装材料的散热提出了更高要求，必将进一步促进 氮化铝陶瓷基板 的蓬勃发展。

一、 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 是实现电能转换和控制的最先进的电力电子器件，大规模应用于电动汽车、电力机车、智能电网等领域。 氮化硅基板 既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜的高导电性和优异的焊接性能，是IGBT模块封装的关键基础材料。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称绝缘栅双极型晶体管，是实现电能转换和控制的最先进的电力电子器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点，被誉为现代工业变流装置的“CPU”，在轨道交通、航空航天、新能源汽车、风力发电、国防工业等战略性产业广泛应用。 随着《中国制造2015》、《工业绿色发展专项行动实施方案》、《关于加快新能源汽车推广应用的指导意见》以及“特高压规划”等一系列的政策密集出台，我国的高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等项目成为未来几年“绿色经济”的热点。而这些项目对于高压大功率IGBT模块的需求迫切且数量巨大。由于高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能更好、可靠性更高、载流量更大。但是国内相关技术水平落后导致国内高压IGBT市场被欧、美、日等国家所垄断，高压IGBT产品价格高、交货周期长、产能不足，严重限制了我国动力机车、电动汽车和新能源等领域的发展。 高压大功率IGBT模块所产生的热量主要是通过氮化硅陶瓷覆铜板传导到外壳而散发出去的，因此氮化硅陶瓷覆铜板是电力电子领域功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。它既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜金属的高导电性和优异的焊接性能，并能像PCB线路板一样刻蚀出各种图形。氮化硅陶瓷覆铜板集合了功率电子封装材料所具有的各种优点： 　　1)陶瓷部分具有优良的导热耐压特性; 　　2)铜导体部分具有极高的载流能力; 　　3)金属和陶瓷间具有较高的附着强度和可靠性; 　　4)便于刻蚀图形，形成电路基板; 　　5)焊接性能优良，适用于铝丝键合。 　陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆铜板性能的决定因素。目前，已应用作为陶瓷覆铜板基板材料共有三种陶瓷，分别是氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。氧化铝陶瓷基板是最常用的陶瓷基板，由于它具有好的绝缘性、好的化学稳定性、好的力学性能和低的价格，但由于氧化铝陶瓷基片相对低的热导率、与硅的热膨胀系数匹配不好。作为高功率模块封装材料，氧化铝材料的应用前景不容乐观。 氮化铝覆铜板在热特性方面具有非常高的热导率，散热快;在应力方面，热膨胀系数与硅接近，整个模块内部应力较低，提高了高压IGBT模块的可靠性。这些优异的性能都使得氮化铝覆铜板成为高压IGBT模块封装的首选。 二、目前市面上将陶瓷材料金属化的工艺方法主要有以下几种： DBC技术，是指在在含氧的氮气中以1063℃左右的高温加热，氧化铝或氮化铝陶瓷表面直接焊接上一层铜箔。其基本原理是：利用了铜与氧在烧结时形成的铜氧共晶液相，润湿相互接触的两个材料表面，即铜箔表面和陶瓷表面，同时还与氧化铝反应生成CuAlO2、Cu(AlO2)2等复合氧化物，充当共晶钎焊用的焊料，实现铜箔与陶瓷的牢固结合。 缺点：陶瓷与铜界面结合紧密，而且结构致密。陶瓷晶粒大约为1-5μm，与铜之间存在8-10微米的过渡层。该过渡层结构致密，晶粒约为3-5μm，但是晶粒间存在不连贯的微裂纹。陶瓷表面致密，没有气孔存在。表面颗粒凹凸不平，可能是拉开时裂纹沿晶界扩展，部分颗粒在铜上部分颗粒在陶瓷上导致。 AMB工艺（活性焊铜工艺）是DBC技术的进一步发展，它是利用钎料中含有的少量活性元素与陶瓷反应生成能被液态钎料润湿的反应层，从而实现陶瓷与金属接合的一种方法。先将陶瓷表面印刷活性金属焊料而后与无氧铜装夹后在真空钎焊炉中高温焊接，覆接完毕基板采用类似于PCB板的湿法刻蚀工艺在表面制作电路，最后表面镀覆制备出性能可靠的产品。AMB基板是靠陶瓷与活性金属焊膏在高温下进行化学反应来实现结合，因此其结合强度更高，可靠性更好。缺点：由于该方法成本较高、合适的焊料较少、焊料对于焊接的可靠性影响较大。 DPC陶瓷电路板又称直接镀铜陶瓷电路板，主要用蒸发、磁控溅射等面沉积工艺进行基板表面金属化，先是在真空条件下溅射钛然后再溅射铜颗粒，再进行电镀增厚，在薄膜金属化的陶瓷板上采用影像转移方式制作线路，再采用电镀封孔技术形成高密度双面布线间的陶瓷电路板。 斯利通公司引进专业的陶瓷板磁控溅射设备，采用DPC工艺生产的陶瓷线路板不需要很高的温度实现了铜层与陶瓷层的结合，对氮化铝覆铜板的可键合性进行的工艺实验，键合推力均大于1700g，同时具备高导热、高绝缘、高线路精准度、高表面平整度及热膨胀系数与芯片匹配等诸多特性，满足高压IGBT模块的应用可靠性要求。 斯利通公司的陶瓷线路板对温度冲击的可靠性是其性能的关键因素，要求线路板基板在芯片焊接完成后，要能承受-40℃～+150℃,100次的温度循环。 三 、高压IGBT模块用陶瓷覆铜基板发展方向 以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料的出现，为器件性能的进一步大幅度提高提供了可能。针对SiC基/GaN基三代半导体器件高频、高温、大功率的应用需求，为实现大功率电力电子器件高密度三维模块化封装，需要开发可靠性更高、耐温性能更好、载流能力更强的陶瓷覆铜基板。氮化硅陶瓷基板具有低的2.4倍于氧化铝和氮化铝的抗弯强度，因此具有比氮化铝和氧化铝高的多的可靠性，尤其是高强度可以实现其与厚铜基板的覆接，大幅提高基板的热性能。相对于氮化铝和氧化铝，氮化硅陶瓷覆铜板在电流承载能力、散热能力、力学性能、可靠性等方面均具有明显优势。同时，β-Si3N4陶瓷具有潜在的较高热导率( 200~320W/m•K)，但是其微观结构更为复杂，对声子的散射较大，故热导率较低[]，限制了其作为功率模块基板材料的应用。因此，目前更多的研究关注于如何提高氮化硅陶瓷的热导率。 高导热陶瓷应具备以下条件： (1)平均原子量小; (2)原子键合强度高; (3)晶体结构较为简单; (4)晶格非谐性振动低。 提高氮化硅陶瓷热导率的方法包括： （1）β-Si3N4相晶种的引入; （2）烧结助剂的选择; （3）成型工艺以及热处理工艺。 因此，在高功率IGBT模块领域，氮化硅陶瓷覆铜板因其可以焊接更厚的无氧铜以及更高的可靠性在未来电动汽车用高可靠功率模块中应用广泛。根据材料及工艺特性展示了陶瓷覆铜板的技术发展方向，在大功率功率模块领域氮化铝陶瓷覆铜板为主要发展方向，在高可靠功率模块领域氮化硅陶瓷覆铜板为主要发展方向。 随着我国战略性新兴产业的兴起，电力电子技术在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色建筑、新能源装备、电动汽车、轨道交通等先进制造业等重要领域都发挥着重要的作用，而这其中的许多领域在“十三五”规划中都具备万亿以上的市场规模，其必将带来电力电子技术及其产业的高速发展，迎来重大的发展机遇期。这些将对IGBT模块封装的关键材料---陶瓷覆铜板形成了巨大需求。因此，需要抓住机遇，开发系列化的 陶瓷覆铜基板 以适应不同领域的需求，特别是需要加快高可靠氮化铝基板、氮化硅基板的研发及产业化进度，为我国高压IGBT模块的国产化奠定基础。

目前电子陶瓷百花齐放，下文由斯利通提供一些陶瓷基板的种类，性能，以及应用。 氧化铝陶瓷 目前应用最多，其优势在于： 热学特性：耐热性和导热性强 机械特性：强度和硬度高 其它特性：电绝缘性高、耐腐蚀性强，生物相容性高 成本相对其他电子陶瓷低。 （图片摘抄自京瓷） 主流应用市场LED，主要是白光，红外，vcsel。这类3-5W功率的光电类产品。氧化铝已其高于普通LED支架的性能（主要是散热），同时相对于其他陶瓷成本低的优势，疯狂收割此市场。另外有一部分传感器在使用，他们需要陶瓷的稳定性（耐腐蚀，使用寿命长，强度高），未来也会在传感器市场大放异彩。 氮化铝陶瓷 目前应用于高端电子产品，其优势在于： 热学特性：耐热性和导热性强（高于氧化铝） 其它特性：电绝缘性高、耐腐蚀性强 并且具有与硅（Si）相似的热膨胀系数 （图片摘抄自京瓷） 主流应用市场在大功率LED,电源模块和激光领域。相对于氧化铝，目前氮化铝也是主流的陶瓷电路板基板。但是目前只有大功率LED，如舞台灯，车灯，投射灯，UVled才会用到氮化铝。另外就是半导体激光器以及DC-DC电源模块。一个是这些产品的热管理需求比较高，需要高导热的基板帮助其散热，另外一个是目前这些产品芯片材料都是硅，芯片和氮化铝陶瓷的热膨胀系数更加接近，两者结合在热变形中，不会异变或者脱落，可以让芯片更好的使用。未来氮化铝的应用会越来越多，产品在越做越小的同时，功能越来越强大，对此基板的要求也会越来越高。而高导热是永远避不开的话题，氮化铝在目前看来，是性价比最高的基板。 氮化硅陶瓷 目前应用于电力电子模块，优势：高机械强度，韧性和导热性 氮化硅的成本高于氮化铝基板，导热系数在80以上。氮化硅主要应用在电力电子模块上，如IGBT模块，和车规模块，以及军工，航天航空模块上。主要是用它的高机械强度和韧性。目前因为这种电源模块电流过大，所要求的铜厚比较高（最起码是500um以上）。从现在我们做过的产品应用，氮化硅后续的应用要求铜厚也有低的（一些要求电流不高的IGBT模块） 碳化硅陶瓷 优势：在高达1400℃的温度下，碳化硅甚至仍能保持其强度。 这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。 因其化学和物理稳定性，碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。 （图片摘抄自京瓷） 碳化硅也叫金刚石，也可以说是钻石。只是成分比例不同。耐高温极其之高，1000℃以上绝对没问题。但是成本过高。未来在激光领域应该也会铺开应用（也许现在也有了）。激光领域的工作温度非常高。 另外还有很多如氧化铍，氧化锆增韧氧化铝。但是无论如何电子陶瓷电路板的市场会越来越好，在5G日益发展的状态下，物联网以及科技的日新月异，对智能设备等电子产品会要求越来越高，相对应电路板的要求越来越高，而陶瓷材料的出现应运而生，目前状态下可以很好地满足当下市场需求。当然，未来也许有更好的材料，谁知道呢？

从1956年正式提出人工智能学科算起，50多年来，人工智能取得长足的发展，成为一门广泛的交叉和前沿科学。总的说来，人工智能的目的就是让机器能够像人一样思考。更进一步讲就是如何赋予机械“智慧”。什么样的机器才是智慧的呢？人类的大脑拥有由数十亿个神经细胞组成。机器的大脑则由硅组成，以硅为材料的硅基芯片已经发展了几十年，科学家们想方设法的让更多的晶体管集成到小小的芯片上。现如今，一台智能手机的芯片中的晶体管已经超过了一百亿个，芯片也已经进入了七纳米以下的技术节点，科学家们正不断的挑战着摩尔定律，拥有更强的芯片，机器人才能拥有更强的运算能力，性能也会更加强劲。 芯片就是机器人的大脑，但是只有芯片是远远不够的。大大小小传感器组成了机器人的五感。他能让机器人看得见，听得着，感受到气味，温度，力量。然后将数据传输回处理器，进一步的优化机器人的算法，让智能机器人更加智能，可以说传感器就是智能机器人学习的凭依，是当下智能机器人发展必不可少的一环。 科学发展离不开基础设施的支持，芯片和传感器想要稳定高效的工作也需要好的助力——斯利通氮化铝陶瓷基板（AlN）。 陶瓷之所以被选中，得益于其本身优异的性能。 对任何的电子设备来说，热量都是致命的。芯片的功耗的上升，设备的小型化，同时意味着发热量增加。一旦热管理这个环节出现纰漏，就会导致设备内部环境温度升高，芯片一旦长时间处于超过额定温度的环境下工作，将会严重影响其使用寿命。陶瓷基板拥有高导热系数的特性，氮化铝陶瓷基板（AlN）导热率180 W/（m-K）~ 260 W/（m-K））远远高于传统意义上使用有机材料或金属基材料的基板，芯片使用氮化铝陶瓷作为基板，可以将热量及时的发散，进一步保障机器人的稳定运行，提高了机器人算力的上限，让智能机器人更加智能。 斯利通旗下氮化铝陶瓷基板使用DPC薄膜技术，利用磁控溅射的方法将铜与陶瓷基板牢牢的结合起来，所以陶瓷电路板的金属结晶性能好，平整度好、线路不易脱落，并具有可靠稳定的性能，从而有效提升芯片与基板的结合强度，有利于传感器的品质管控。氮化铝陶瓷基板可进行高密度组装（线/间距(L/S)分辨率可以达到20μm）是实现设备集成化、微型化的好帮手。且陶瓷本身具有强悍的化学性能（能耐酸、碱、有机溶剂的浸蚀），机械性能（有足够高的机械强度，.加工性好，尺寸精度高，容易实现多层化），电学性能（绝缘电阻及绝缘破坏电压高，介电常数低，介电损耗小），热学性能（以承受波动较大的高低温循环，甚至可以在500-600度的高温下正常运作。）哪怕设备处于相对恶劣的工作环境下仍然可以保障传感器的正常工作，让数据更准确，快速，有效的传达。 2019年全球机器人市场规模约294.1亿美元，其中服务机器人94.6亿美元，同比增长14.1%；服务机器人获得领域内最快增长。根据中国电子学会数据，中国服务机器人市场已占全球市场1/4以上，2020年我国服务机器人市场规模有望突破40亿美元。 服务美好生活，是人工智能的重要使命。服务机器人的应用范围越来越广泛，从事维护保养、修理、运输、清洗、保安、救援、监护等等。人工智能不会止步于此，将会拥有更良好的发展前景。斯利通作为一家专业的陶瓷基板生产厂家，将跟随市场方向，致力于生产出更好的陶瓷基板。想必在未来的某一天人类终将会与各种机器人共存，人工智能也将会更好的服务我们的生活。