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砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路.pdf

针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求，基于0.25μmGaAsPHEMT工艺，设计了一款2~4GHz微波单片集成电路低噪声放大器（MMICLNA）。该放大器采用两级级联的拓扑结构，第一级放大器利用微带线作为源极负反馈元件，第二级采用局部并联负反馈拓宽带宽，并且通过共享双电源供电，减小面积并降低噪声系数。仿真结果表明，在工作频带内，噪声系数低于1dB，增益高于30.6dB，输入回波损耗低于-8dB，输出回波损耗低于-10dB，芯片面积为2mm*1.5mm，与其它文献相比，该放大器在S波段具有更加优异的性能。