标签: 基准电流

设计了一种超低功耗全CMOS基准电路：既能产生1nA的基准电流又能产生560mV的基准电压。通过亚阈值设计方法有效降低了基准电路的功耗；采用工作在深线性区的MOS管取代了传统基准电路中的电阻，大大降低了面积；采用共源共栅电流镜提高了电源抑制比。利用SMIC55nm的工艺，使用CadenceSpectre对电路进行了仿真。仿真结果表明，在-40℃到110℃的温度范围内，基准电流的温漂系数为0.28%/℃，基准电压的温漂系数为24ppm/℃；在0.9V到2V电源电压范围内，基准电流的电源电压调整率为2.6%/V，基准电压的电源电压调整率为0.48%/V；在100Hz处，基准电流的PRSS为-34dB，基准电压的PRSS为-50dB。功耗为6nW，芯片版图面积仅0.00042mm2。