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  • 2022-4-28 06:32
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    ​ 转载--- 达尔闻说 2022-03-16 20:09 转自公众号: ittbank 常见的IC封装形式大全 ​ ​ 如内封装信息有误,欢迎纠正。 ---END--- ​
  • 2022-4-26 11:53
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      【哔哥哔特导读】近年来,我国电子测量仪器产业取得了长足的进步,国内涌现出同惠电子等一批电子测量技术研究、测量仪器开发/生产的骨干企业,攻破进口高端产品的技术堡垒。   自中美爆发贸易摩擦以来,中国在诸多领域,特别是高科技、关键核心零部件领域,被以美国为首的西方国家卡脖子,不但严重影响了我国的经济发展,还严重威胁着我国的信息安全和国防安全。电子测量/科学仪器行业,虽然行业规模较小,但却支撑推动着大多数行业的进步与发展。据美国商务部评估报告,其测量仪器产值仅占工业总产值的4%,但对于国民生产总值的拉动作用却达到了66%。其中精密测量仪器技术作为基础性高端技术,其自身具有价值放大、有效赋能和创新引领的作用。高水平的精密测量技术和精密仪器制造能力,是一个国家科学研究和整体工业领先程度的重要指标,更是发展高端制造业的必备条件。专家学者也频频呼吁:“没有测量就没有制造”、“没有超精密测量,就没有高端装备制造”。   近年来,我国电子测量仪器产业取得了长足的进步,目前国内涌现出了一批电子测量技术研究、测量仪器开发/生产的骨干企业。通过艰苦不懈的自主研发,产品性能指标在不断提升,部分产品已经达到国际同类先进水平。但是对于我国高端仪器的总体市场需求来说,整体差距依然较大,进口依赖仍然比较严重。      国家层面对高端科学仪器也非常重视,仅2020年以来就相继出台了《加强“从 0 到 1”基础研究工作方案》、《工业和信息化部关于推动5G加快发展的通知》、《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035 年远景目标纲要》和《中华人民共和国科学技术进步法》等政策法规性文件,持续加强对高端科学仪器的扶持力度。在国务院此前印发的《计量发展规划(2021—2035年)》中,更是明确提出了:加快构建国家现代先进测量体系,推进计量标准建设。政府的一系列大力扶持政策,给当下国产电子测量技术研究和产品开发迎来了大好机会。中高端仪器国产化替代,破局“卡脖子”也是国内仪器厂商们责无旁贷的义务。常州同惠电子同样肩负使命,始终专注于电子测量仪器的研发和不断突破。经过多年潜心研究,近期成功推出了测量频率高达130MHz的TH2851系列阻抗分析仪,有效解决了高端电子元器件批量测试效率低、精度差、综合测试能力弱等一系列技术难题,在高频、高速、高精度指标方面一举打破国外垄断,完美实现国产替代。   2022年4月16日,中国仪器仪表学会组织行业专家,对同惠10Hz-130MHz宽范围精密阻抗分析仪进行了项目成果鉴定,“鉴定委员会一致认为:该成果核心技术完全自主可控,具有创新性,总体技术水平达到国际先进,其中测试频率范围、阻抗测试范围及测试速度指标处于国际领先,同意通过鉴定。”      攻破进口高端产品的技术堡垒   坚持产品自研打破垄断   精密测量技术能够有效管控工业测量体系,保障整个制造链的质量,赋能高科技产业发展。对普通老百姓来说,最直观的感受就是购买的产品品质精良、经久耐用。发达国家经过长期的探究与摸索,都经历了从低质量向高质量的发展历程,也正是因为建立起完整的精密测量体系,培育出了一批行业顶尖的拥有超精密测量技术仪器研发的企业,为发达国家的高端装备制造业提供了强有力的技术支撑,如:美国的是德科技、泰克、力科;德国的罗德与施瓦茨;日本的安立等。      技术研究与仪器研发是科技和经济紧密结合的领域,国内厂商要与国外行业巨头一较高下,显然离不开关键核心技术的掌控和突破。面对一系列的技术壁垒和封锁困境,同惠电子静得下心、沉得住气,长期保持每年13%以上的公司营收作为研发投入,淬炼出了一支朝气蓬勃的强大的技术研发团队。在硬件测试、嵌入式软件与算法、总线、系统集成、工业互联等方面积累了丰富的核心技术成果和专利,不断打破国外的技术堡垒和高端产品的垄断。为破局“卡脖子”,实现国产替代奉献着自己的一份责任和贡献。      TH2851系列刷新国产阻抗测试仪新高度   TH2851系列是同惠电子在阻抗测试领域深耕近三十年技术沉淀的结晶。其采用了当前国际最先进的宽带自动调零、自动平衡电桥原理,高达130MHz的测量频率打破了国外产品的长期垄断,并实现了部分技术指标的超越。得益于宽带自动调零和自动平衡电桥先进原理,配合四端对测试配置,TH2851系列在全频率范围段都可以达到很高精度,在保证0.08%的测量精度下,阻抗测量范围扩展到了1mΩ-100MΩ,且稳定性和一致性高达0.003%。         由于采用了10.1吋电容式触摸屏,加上软件上的高度优化,彻底颠覆了传统仪器复杂繁琐的操作界面。基于Windows10操作系统、中英文操作界面、在线帮助等配置,配以键盘、鼠标、LAN、VGA/HDMI等接口辅助,TH2851系列带给用户全新的操作体验。同一个界面上可以显示所有测试参数、分选结果、功能选择等数据。TH2851同时集成了点测、增强列表扫描、图形分析三种功能,避免了客户为实现上述功能而需要购买两台国外不同产品的尴尬和成本增加。   TH2851系列作为阻抗分析仪的高端应用,等效电路分析功能作为标准配置,对设计师分析电路有非常大帮助。该仪器独有的晶振分析功能,可以测试晶振的谐振曲线、谐振频率、静态电容等参数。TH2851具有高兼容性,支持SCPI指令集,兼容E4990A、E4980A/AL、HP4284A等。   关于同惠   常州同惠电子股份有限公司创建于1994年,是一家集研发、制造、营销于一体的国家级高新技术企业。公司于2021年9月迁入占地45亩、建筑面积30000平米的花园式现代化厂房。现有员工300余人,75%以上具有大专及以上学历,研发人员占员工总数的25%以上。公司于2021年1月11日在新三板精选层挂牌交易(股票代码:833509),并于2021年11月成为北交所首批上市公司。   公司自成立以来,一直致力于电子测量仪器的技术与产品研发,尤其在精密阻抗测量领域具有近三十年的测试理论、测试技术和实践经验的积累。公司先后成功研制出国内首台套6位半台式数字多用表、宽频高精度电子变压器综合测试系统、1MHz高速精密电容表、2MHz精密阻抗分析仪、120A大电流电感偏流特性测试系统、并行多通道电气安规测试仪、10MHz精密阻抗分析仪、飞安表/高阻计等多款具有自主知识产权的核心国产替代产品。   同惠电子顺应行业发展潮流,重新规划了“智能测试、高效测试、精准测试、工业互联”的发展战略,践行“专业、专注、专心”的匠心精神,致力于成为国际领先的电子测量测试综合解决方案供应商。根据中国电子仪器行业协会数据统计,同惠电子元器件参数测试仪器市场占有率连续多年保持第一。   TH2851系列只是同惠深耕精密测量领域的一个缩影,展望未来同惠将继续以务实稳健的姿态,以国际化的胸怀和视界,奉献创新成果,共享发展价值,不断打破国外相关技术和产品垄断,让国产高端测量仪器助力中国智造和中国创造!      本文为哔哥哔特资讯原创文章,如需转载请在文前注明来源 搜索 复制
  • 热度 2
    2022-4-22 19:15
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    基本六项   1、抗冲击   晶体产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。   2、辐射   暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应远离辐射。   3、化学制剂 / pH 值环境   请勿在 PH 值范围可能导致腐蚀或溶解产品或封装材料的环境下使用或储藏这些产品。   4、粘合剂   请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能)   5、卤化合物   请勿在卤素气体环境下使用产品。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。   6、静电   过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件。为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。    设计注意点   机械振动的影响   当晶体产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶体产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。    PCB 设计指导   理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于晶体器件的 PCB 板上。如果您安装在同一个 PCB 板上,最好使用余量或切割 PCB。当应用于 PCB 板本身或 PCB 板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。在设计时请参考相应的推荐封装。在使用焊料助焊剂时,按 JIS 标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。请按 JIS 标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。    存储事项   1、温度   在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,避免长期储藏。   正常温度和湿度:温度:+15 ℃ 至 +35 ℃,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点 JIS C 60068-1 / IEC 60068-1 的标准条件”章节内容)。   2、包装   请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。    安装时注意事项   1、耐焊性   除 SMD 产品之外,其它晶体产品使用+180℃ 到 +200℃ 熔点的焊料。加热封装材料至+150℃ 以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150℃以上焊接晶体产品,建议使用 SMD 产品。在下列回流条件下,对晶体产品甚至 SMD 产品使用更高温度,会破坏产品特性。   建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。   2、自动安装时的冲击   自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对产品特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保晶体产品未撞击机器或其他电路板等。    每个封装类型的注意事项   1、陶瓷封装产品与 SON 产品   在焊接陶瓷封装产品和 SON 产品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。陶瓷封装产品在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装产品时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。   2、柱面式产品   产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当晶体产品的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出 0.5mm 的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。   安装示例   3、DIP 产品/Pin 型 OCXO   已变形的引脚不能插入板孔中。请勿施加过大压力,以免引脚变形。   4、 SOJ 产品和 SOP 产品   请勿施加过大压力,以免引脚变形。已变形的引脚焊接时会造成浮起。尤其是 SOP 产品需要更加小心处理。    清洗   1、超声波清洗   使用 AT-切割晶体和表面声波(SAW)谐振器/滤波器的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 晶体特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。使用音叉晶体和陀螺仪传感器和 OCXO 的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶体可能受到破坏。   2、请勿清洗开启式产品   对于可清洗产品,应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等。焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响产品的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干 PCB。    操作   请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触 IC 的表面。    使用环境(温度和湿度)   请在规定的温度范围内使用产品。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
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    2022-4-21 00:59
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    ​ 转载- 电子工程世界 2021-09-30 07:32 电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情,比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间,有时甚至炸机。 ​ 硬件工程师调试爆炸现场 所以掌握各类电子元器件的实效机理与特性是硬件工程师比不可少的知识。下面分类细叙一下各类电子元器件的失效模式与机理。 电阻器失效模式与机理 失效模式: 各种失效的现象及其表现的形式。 失效机理: 是导致失效的物理、化学、热力学或其他过程。 1、电阻器的主要失效模式与失效机理为 1) 开路:主要失效机理为电阻膜烧毁或大面积脱落,基体断裂,引线帽与电阻体脱落。 2) 阻值漂移超规范:电阻膜有缺陷或退化,基体有可动钠离子,保护涂层不良。 3) 引线断裂:电阻体焊接工艺缺陷,焊点污染,引线机械应力损伤。 4) 短路:银的迁移,电晕放电。 2、失效模式占失效总比例表 (1) 线绕电阻 失效模式 占失效总比例 开路 90% 阻值漂移 2% 引线断裂 7% 其它 1% (2) 非线绕电阻 失效模式 占失效总比例 开路 49% 阻值漂移 22% 引线断裂 17% 其它 7% 3、失效机理分析 电阻器失效机理是多方面的,工作条件或环境条件下所发生的各种理化过程是引起电阻器老化的原因。 ​ (1) 导电材料的结构变化 薄膜电阻器的导电膜层一般用汽相淀积方法获得,在一定程度上存在无定型结构。按热力学观点,无定型结构均有结晶化趋势。在工作条件或环境条件下,导电膜层中的无定型结构均以一定的速度趋向结晶化,也即导电材料内部结构趋于致密化,能常会引起电阻值的下降。结晶化速度随温度升高而加快。 电阻线或电阻膜在制备过程中都会承受机械应力,使其内部结构发生畸变,线径愈小或膜层愈薄,应力影响愈显著。一般可采用热处理方法消除内应力,残余内应力则可能在长时间使用过程中逐步消除,电阻器的阻值则可能因此发生变化。 结晶化过程和内应力清除过程均随时间推移而减缓,但不可能在电阻器使用期间终止。可以认为在电阻器工作期内这两个过程以近似恒定的速度进行。与它们有关的阻值变化约占原阻值的千分之几。 电负荷高温老化:任何情况,电负荷均会加速电阻器老化进程,并且电负荷对加速电阻器老化的作用比升高温度的加速老化后果更显著,原因是电阻体与引线帽接触部分的温升超过了电阻体的平均温升。通常温度每升高10℃,寿命缩短一半。如果过负荷使电阻器温升超过额定负荷时温升50℃,则电阻器的寿命仅为正常情况下寿命的1/32。可通过不到四个月的加速寿命试验,即可考核电阻器在10年期间的工作稳定性。 直流负荷—电解作用:直流负荷作用下,电解作用导致电阻器老化。电解发生在刻槽电阻器槽内,电阻基体所含的碱金属离子在槽间电场中位移,产生离子电流。湿气存在时,电解过程更为剧烈。如果电阻膜是碳膜或金属膜,则主要是电解氧化;如果电阻膜是金属氧化膜,则主要是电解还原。对于高阻薄膜电阻器,电解作用的后果可使阻值增大,沿槽螺旋的一侧可能出现薄膜破坏现象。在潮热环境下进行直流负荷试验,可全面考核电阻器基体材料与膜层的抗氧化或抗还原性能,以及保护层的防潮性能。 ​ ​ ​ (2) 硫化 有一批现场仪表在某化工厂使用一年后,仪表纷纷出现故障。经分析发现仪表中使用的厚膜贴片电阻阻值变大了,甚至变成开路了。把失效的电阻放到显微镜下观察,可以发现电阻电极边缘出现了黑色结晶物质,进一步分析成分发现,黑色物质是硫化银晶体。原来电阻被来自空气中的硫给腐蚀了。 ​ (3) 气体吸附与解吸 膜式电阻器的电阻膜在晶粒边界上,或导电颗粒和黏结剂部分,总可能吸附非常少量的气体,它们构成了晶粒之间的中间层,阻碍了导电颗粒之间的接触,从而明显影响阻值。 合成膜电阻器是在常压下制成,在真空或低气压工作时,将解吸部分附气体,改善了导电颗粒之间的接触,使阻值下降。同样,在真空中制成的热分解碳膜电阻器直接在正常环境条件下工作时,将因气压升高而吸附部分气体,使阻值增大。如果将未刻的半成品预置在常压下适当时间,则会提高电阻器成品的阻值稳定性。 温度和气压是影响气体吸附与解吸的主要环境因素。对于物理吸附,降温可增加平衡吸附量,升温则反之。由于气体吸附与解吸发生在电阻体的表面。所以对膜式电阻器的影响较为显著。阻值变化可达1%~2%。 (4) 氧化 氧化是长期起作用的因素(与吸附不同),氧化过程是由电阻体表面开始,逐步向内部深入。除了贵金属与合金薄膜电阻外,其他材料的电阻体均会受到空气中氧的影响。氧化的结果是阻值增大。电阻膜层愈薄,氧化影响就更明显。 防止氧化的根本措施是密封(金属、陶瓷、玻璃等无机材料)。采用有机材料(塑料、树脂等)涂覆或灌封,不能完全防止保护层透湿或透气,虽能起到延缓氧化或吸附气体的作用,但也会带来与有机保护层有关的些新的老化因素。 (5) 有机保护层的影响 有机保护层形成过程中,放出缩聚作用的挥发物或溶剂蒸气。热处理过程使部分挥发物扩散到电阻体中,引起阻值上升。此过程虽可持续1~2年,但显著影响阻值的时间约为2~8个月,为了保证成品的阻值稳定性,把产品在库房中搁置一段时间再出厂是比较适宜的。 (6) 机械损伤 电阻的可靠很大程度上取决于电阻器的机械性能。电阻体、引线帽和引出线等均应具有足够的机械强度,基体缺陷、引线帽损坏或引线断裂均可导致电阻器失效。 电解电容失效 失效模式 1、耗尽失效 耗尽失效(1) 通常电解电容器寿命的终了评判依据是电容量下降到额定(初始值)的80%以下。由于早期铝电解电容器的电解液充盈,铝电解电容器的电容量在工作早期缓慢下降。随着负荷过程中工作电解液不断修补倍杂质损伤的阳极氧化膜所致电解液逐渐减少。到使用后期,由于电解液挥发而减少,粘稠度增大的电解液就难于充分接触经腐蚀处理的粗糙的铝箔表面上的氧化膜层,这样就使铝电解电容器的极板有效面积减小,即阳极、阴极铝箔容量减少,引起电容量急剧下降。因此,可以认为铝电解电容器的容量降低是由于电解液挥发造成。而造成电解液的挥发的最主要的原因就是高温环境或发热。 耗尽失效(2) 由于应用条件使铝电解电容器发热的原因是铝电解电容器在工作在整流滤波(包括开关电源输出的高频整流滤波)、功率电炉的电源旁路时的纹波(或称脉动)电流流过铝电解电容器,在铝电解电容器的ESR产生损耗并转变成热使其发热。 当铝电解电容器电解液蒸发较多、溶液变稠时,电阻率因粘稠度增大而上升,使工作电解质的等效串联电阻增大,导致电容器损耗明显上升,损耗角增大。例如对于105度工作温度的电解电容器,其最大芯包温度高于125度时,电解液粘稠度骤增,电解液的ESR增加近十倍。.增大的等效串联电阻会产生更大热量,造成电解液的更大挥发。如此循环往复,铝电解电容器容量急剧下降,甚至会造成爆炸。 耗尽失效(3) 漏电流增加往往导致铝电解电容器失效。 应用电压过高和温度过高都会引起漏电流的增加 2、压力释放装置动作 压力释放装置动作 为了防止铝电解电容器中电解液由于内部高温沸腾的气体或电化学过程而产生的气体而引起内部高气压造成铝电解电容器的爆炸。为了消除铝电解电容器的爆炸,直径8毫米以上的铝电解电容器均设置了压力释放装置,这些压力释放装置在铝电解电容器内部的气压达到尚未使铝电解电容器爆炸的危险压力前动作,泄放出气体。随着铝电解电容器的压力释放装置的动作,铝电解电容器即宣告失效。 铝电解电容器压力释放装置(中间的十字) ​ 电化学过程导致压力释放装置动作 铝电解电容器的漏电流就是电化学过程,前面已经详尽论述,不再赘述。电化学过程将产生气体,这些气体的聚积将造成铝电解电容器的内部气压上升,最终达到压力释放装置动作泄压。 温度过高导致压力释放装置动作 铝电解电容器温度过高可能是环境温度过高,如铝电解电容器附近有发热元件或整个电子装置就出在高温环境; 铝电解电容器温度过高的第二个原因是芯包温度过高。铝电解电容器芯包温度过高的根本原因是铝电解电容器流过过高的纹波电流。过高的纹波电流在铝电解电容器的ESR中产生过度的损耗而产生过度的发热使电解液沸腾产生大量气体使铝电解电容器内部压力及急剧升高时压力释放装置动作。 3、瞬时超温 通常铝电解电容器的芯包核心温度每降低10℃,其寿命将增大到原来的一倍。这个核心大致位于电容器的中心,是电容器内部最热的点。可是,当电容器升温接近其最大允许温度时,对于大多数型号电容器在125℃时,其电解液要受到电容器芯包的排挤(driven),导致电容器的ESR增大到原来的10倍。在这种作用下,瞬间超温或过电流可以使ESR永久性的增大,从而造成电容器失效。在高温和大纹波电流的应用中特别要警惕瞬时超温发生的可能,还要额外注意铝电解电容器的冷却。 4、瞬时过电压的产生 上电冲击 上电过程中,由于滤波电感释放储能到滤波电容器中,导致滤波电容器的过瞬时过电压。 ​ 上电过电压示意 ​ 电容过电压失效的防范 电容器在过压状态下容易被击穿,而实际应用中的瞬时高电压是经常出现的。 选择承受瞬时过电压性能好的铝电解电容器,RIFA有的铝电解电容器就给出了瞬时过电压值得参数。 ​ 5、电解液干涸是铝电解电容器失效的最主要原因 电解液干涸的原因 电解液自然挥发 电解液的消耗 电解液自然挥发 电解液的挥发速度随温度的升高 电解液的挥发速度与电容器的密封质量有关,无论在高温还是在低温条件下都要有良好的密封性 电解液的消耗 漏电流所引起的电化学效应消耗电解液 铝电解电容器的寿命随漏电流增加而减少 漏电流随温度的升高而增加:25℃时漏电流仅仅是85℃时漏电流的不到十分之一漏电流随施加电压升高而增加:耐压为400V的铝电解电容器在额定电压下的漏电流大约是90%额定电压下的漏电流的5倍。 6、电解液干涸的时间就是铝电解电容器的寿命 影响铝电解电容器寿命的的因素(温度1) 根据铝电解电容器的电解液的不同,铝电解电容器的最高工作温度可分为: 一般用途:85℃ 一般高温用途:105℃ 特殊高温用途:125℃ 汽车发动机舱:140~150℃ 影响铝电解电容器寿命的的因素(额定寿命小时数) 按寿命小时数铝电解电容器可以分为: 一般用途(常温,3年以内):1000小时 一般用途(常温,希望比较长的时间):2000小时以上 工业级:更长的寿命小时数 影响铝电解电容器寿命的的因素(温度2) 温度每升高10℃,寿命小时数减半 影响铝电解电容器寿命的的因素(电解液) 电解液的多与寡决定铝电解电容器的寿命 影响铝电解电容器寿命的的因素(应用条件) 高温缩短铝电解电容器寿命 高纹波电流缩短铝电解电容器寿命 工作电压过高缩短铝电解电容器寿命 7、影响铝电解电容器寿命的参数与应用条件 ​ 工作电压与漏电流的关系 某公司生产的450V/4700μF/85℃铝电解电容器的漏电流与施加电压的关系 ​ 温度与漏电流的关系 某公司生产的450V/4700μF/85℃铝电解电容器的漏电流与环境温度的关系 ​ 温度、电压、纹波电流共同作用对寿命的影响 以某电子镇流器用铝电解电容器为例。 在不同的电压与温度条件下的铝电解电容器寿命不同 ​ 某电子镇流器用铝电解电容器降额寿命特性 ​ 某电子镇流器用铝电解电容器的过电压寿命特性 ​ 铝电解电容器的寿命与温度、纹波电流的关系 ​ 电感失效分析 电感器失效模式: 电感量和其他性能的超差、开路、短路 模压绕线片式电感失效机理: 1.磁芯在加工过程中产生的机械应力较大,未得到释放 2.磁芯内有杂质或空洞磁芯材料本身不均匀,影响磁芯的磁场状况,使磁芯的磁导率发生了偏差; 3.由于烧结后产生的烧结裂纹; 4.铜线与铜带浸焊连接时,线圈部分溅到锡液,融化了漆包线的绝缘层,造成短路; 5.铜线纤细,在与铜带连接时,造成假焊,开路失效 1、耐焊性 低频片感经回流焊后感量上升 《 20% 由于回流焊的温度超过了低频片感材料的居里温度,出现退磁现象。片感退磁后,片感材料的磁导率恢复到最大值,感量上升。一般要求的控制范围是片感耐焊接热后,感量上升幅度小于20%。 耐焊性可能造成的问题是有时小批量手工焊时,电路性能全部合格(此时片感未整体加热,感量上升小)。但大批量贴片时,发现有部分电路性能下降。这可能是由于过回流焊后,片感感量会上升,影响了线路的性能。在对片感感量精度要求较严格的地方(如信号接收发射电路),应加大对片感耐焊性的关注。 检测方法:先测量片感在常温时的感量值,再将片感浸入熔化的焊锡罐里10秒钟左右,取出。待片感彻底冷却后,测量片感新的感量值。感量增大的百分比既为该片感的耐焊性大小 2、可焊性 电镀简介 当达到回流焊的温度时,金属银(Ag)会跟金属锡(Sn)反应形成共熔物,因此不能在片感的银端头上直接镀锡。而是在银端头上先镀镍(2um 左右) ,形成隔绝层,然后再镀锡(4-8um )。 可焊性检测 将待检测的片感的端头用酒精清洗干净,将片感在熔化的焊锡罐中浸入4秒钟左右,取出。如果片感端头的焊锡覆盖率达到90%以上,则可焊性合格。 可焊性不良 1)端头氧化:当片感受高温、潮湿、化学品、氧化性气体(SO2、NO2等)的影响, 或保存时间过长,造成片感端头上的金属Sn氧化成SnO2,片感端头变暗。由于SnO2不和Sn、 Ag、Cu等生成共熔物,导致片感可焊性下降。片感产品保质期:半年。如果片感端头被污染,比如油性物质,溶剂等,也会造成可焊性下降 2)镀镍层太薄,吃银:如果镀镍时,镍层太薄不能起隔离作用。回流焊时,片感端头上的Sn和自身的Ag首先反应,而影响了片感端头上的Sn和焊盘上的焊膏共熔,造成吃银现象,片感的可焊性下降。 判断方法:将片感浸入熔化的焊锡罐中几秒钟,取出。如发现端头出现坑洼情况,甚至出现瓷体外露,则可判断是出现吃银现象的。 3、焊接不良 内应力 如果片感在制作过程中产生了较大的内部应力,且未采取措施消除应力,在回流焊过程中,贴好的片感会因为内应力的影响产生立片,俗称立碑效应。 ​ 判断片感是否存在较大的内应力,可采取一个较简便的方法: 取几百只的片感,放入一般的烤箱或低温炉中,升温至230℃左右,保温,观察炉内情况。如听见噼噼叭叭的响声,甚至有片子跳起来的声音,说明产品有较大的内应力。 元件变形 如果片感产品有弯曲变形,焊接时会有放大效应。 焊接不良、虚焊 ​ 焊接正常 ​ 焊盘设计不当 ​ a.焊盘两端应对称设计,避免大小不一,否则两端的熔融时间和润湿力会不同 b.焊合的长度在0.3mm以上(即片感的金属端头和焊盘的重合长度) c.焊盘余地的长度尽量小,一般不超过0.5mm。 d.焊盘的本身宽度不宜太宽,其合理宽度和MLCI宽度相比,不宜超过0.25mm 贴片不良 当贴片时,由于焊垫的不平或焊膏的滑动,造成片感偏移了θ角。由于焊垫熔融时产生的润湿力,可能形成以上三种情况,其中自行归正为主,但有时会出现拉的更斜,或者单点拉正的情况,片感被拉到一个焊盘上,甚至被拉起来,斜立或直立(立碑现象)。目前带θ角偏移视觉检测的贴片机可减少此类失效的发生 ​ ​ ​ 焊接温度 回流焊机的焊接温度曲线须根据焊料的要求设定,应该尽量保证片感两端的焊料同时熔融,以避免两端产生润湿力的时间不同,导致片感在焊接过程中出现移位。如出现焊接不良,可先确认一下,回流焊机温度是否出现异常,或者焊料有所变更。 电感在急冷、急热或局部加热的情况下易破损,因此焊接时应特别注意焊接温度的控制,同时尽可能缩短焊接接触时间 ​ 回流焊推荐温度曲线 ​ 手工焊推荐温度曲线 4、上机开路 虚焊、焊接接触不良 从线路板上取下片感测试,片感性能是否正常 电流烧穿 如选取的片感,磁珠的额定电流较小,或电路中存在大的冲击电流会造成电流烧穿,片感或磁珠 失效,导致电路开路。从线路板上取下片感测试,片感失效,有时有烧坏的痕迹。如果出现电流烧穿,失效的产品数量会较多,同批次中失效产品一般达到百分级以上。 焊接开路 回流焊时急冷急热,使片感内部产生应力,导致有极少部分的内部存在开路隐患的片感的缺陷变大,造成片感开路。从线路板上取下片感测试,片感失效。如果出现焊接开路,失效的产品数量一般较少,同批次中失效产品一般小于千分级。 5、磁体破损 磁体强度 片感烧结不好或其它原因,造成瓷体强度不够,脆性大,在贴片时,或产品受外力冲击造成瓷体破损 附着力 如果片感端头银层的附着力差,回流焊时,片感急冷急热,热胀冷缩产生应力,以及瓷体受外力冲击,均有可能会造成片感端头和瓷体分离、脱落;或者焊盘太大,回流焊时,焊膏熔融和端头反应时产生的润湿力大于端头附着力,造成端头破坏。 片感过烧或生烧,或者制造过程中,内部产生微裂纹。回流焊时急冷急热,使片感内部产生应力,出现晶裂,或微裂纹扩大,造成瓷体破损。 半导体器件失效分析 半导体器件失效分析就是通过对失效器件进行各种测试和物理、化学、金相试验,确定器件失效的形式(失效模式),分析造成器件失效的物理和化学过程(失效机理),寻找器件失效原因,制订纠正和改进措施。加强半导体器件的失效分析,提高它的固有可靠性和使用可靠性,是改进电子产品质量最积极、最根本的办法,对提高整机可靠性有着十分重要的作用。 半导体器件与使用有关的失效十分突出,占全部失效器件的绝大部分。进口器件与国产器件相比,器件固有缺陷引起器件失效的比例明显较低,说明进口器件工艺控制得较好,固有可靠性水平较高。 1、与使用有关的失效 与使用有关的失效原因主要有: 过电应力损伤、静电损伤、器件选型不当、使用线路设计不当、机械过应力、操作失误等。 ①过电应力损伤。 过电应力引起的烧毁失效占使用中失效器件的绝大部分,它发生在器件测试、筛选、安装、调试、运行等各个阶段,其具体原因多种多样,常见的有多余物引起的桥接短路、地线及电源系统产生的电浪涌、烙铁漏电、仪器或测试台接地不当产生的感应电浪涌等。按电应力的类型区分,有金属桥接短路后形成的持续大电流型电应力,还有线圈反冲电动势产生的瞬间大电流型电应力以及漏电、感应等引起的高压小电流电应力;按器件的损伤机理区分,有外来过电应力直接造成的PN结、金属化烧毁失效,还有外来过电应力损伤PN结触发CMOS电路闩锁后引起电源电流增大而造成的烧毁失效。 ②静电损伤。 严格来说,器件静电损伤也属于过电应力损伤,但是由于静电型过电应力的特殊性以及静电敏感器件的广泛使用,该问题日渐突出。静电型过电应力的特点是:电压较高(几百伏至几万伏),能量较小,瞬间电流较大,但持续时间极短。与一般的过电应力相比,静电型损伤经常发生在器件运输、传送、安装等非加电过程中,它对器件的损伤过程是不知不觉的,危害性很大。从静电对器件损伤后的失效模式来看,不仅有PN结劣化击穿、表面击穿等高压小电流型的失效模式,也有金属化、多晶硅烧毁等大电流失效模式。 ③器件选型不当 。 器件选型不当也是经常发现的使用问题引起失效的原因之一,主要是设计人员对器件参数、性能了解不全面、考虑不周,选用的器件在某些方面不能满足所设计的电路要求。 ④操作失误。 操作失误也是器件经常出现的失效原因之一,例如器件的极性接反引起的烧毁失效等。 2、器件固有缺陷引起的失效 与器件固有缺陷有关的失效原因主要有:表面问题、金属化问题、压焊丝键合问题、芯片键合问题、封装问题、体内缺陷等。在这几种原因中,对器件可靠性影响较大的是表面问题、键合问题和粘片问题引起的失效,它们均带有批次性,且经常重复出现。 (1) 表面问题 从可靠性方面考虑,对器件影响最大的是二氧化硅层内的可动正离子电荷,它会使器件的击穿电压下降,漏电流增大,并且随着加电时间的增加使器件性能逐渐劣化。有这种缺陷的器件用常规的筛选方法不能剔除,对可靠性危害很大。此外,芯片表面二氧化硅层中的针孔对器件可靠性的影响也较大。有这种缺陷的器件,针孔刚开始时往往还有一层极薄的氧化层,器件性能还是正常的,还可顺利通过老炼、筛选等试验,但长期使用后由于TDDB效应和电浪涌的冲击,针孔就会穿通短路,引起器件失效。 (2) 金属化问题 引起器件失效的常见的金属化问题是台阶断铝、铝腐蚀、金属膜划伤等。对于一次集成电路,台阶断铝、铝腐蚀较为常见:对于二次集成电路来说,内部金属膜电阻在清洗、擦拭时被划伤而引起开路失效也是常见的失效模式之一。 (3) 压焊丝键合问题 常见的压焊丝键合问题引起的失效有以下几类。 ①压焊丝端头或压焊点沾污腐蚀造成压焊点脱落或腐蚀开路。 ②外压焊点下的金层附着不牢或发生金铝合金,造成压焊点脱落。 ③压焊点过压焊,使压焊丝颈部断开造成开路失效。 ④压焊丝弧度不够,与芯片表面夹角太小,容易与硅片棱或与键合丝下的金属化铝线相碰,造成器件失效。 (4) 芯片键合问题 最常见的是芯片粘结的焊料太少、焊料氧化、烧结温度过低等引起的开路现象。芯片键合不好,焊料氧化发黑,导致芯片在"磁成形"时受到机械应力作用后从底座抬起分离,造成开路失效。 (5) 封装问题 封装问题引起的失效有以下几类。 ①封装不好,管壳漏气,使水汽或腐蚀性物质进入管壳内部,引起压焊丝和金属化腐蚀。 ②管壳存在缺陷,使管腿开路、短路失效。 ③内涂料龟裂、折断键合铝丝,造成器件开路或瞬时开路失效。这种失效现象往往发生在器件进行高、低温试验时。 (6) 体内缺陷 半导体器件体内存在缺陷也可引起器件的结特性变差而失效,但这种失效形式并不多见,而经常出现的是体内缺陷引起器件二次击穿耐量和闩锁阈值电压降低而造成烧毁。 免责声明:本文系网络转载,版权归原作者所有。如本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请在文末留言告知,我们将在第一时间处理!本文内容为原作者观点,并不代表本公众号赞同其观点和对其真实性负责。 ​
  • 2022-4-19 08:57
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    转载于网络, 因为欧姆定律,所以电阻一定的情况下: P=UI=U²/R=I²R 电压确定了,功耗也就确定了,所以这两个参数相关。 不少开发人员觉得,关注额定功率就可以了,电阻的额定电压是多余的参数,不需要关注。 电阻正常工作是,电压不应该超过最高工作电压,否则,可能导致内部绝缘损坏而击穿电阻。 没有达到额定功率,只是一般不易热损坏。 若电阻的散热条件较好,电阻温度较低,理论上功率可以超过额定功率,但实际上若没有特殊的散热措施,不会出现这种情况。 所以,电阻的额定电压和额定功率两个条件都要遵守。 额定电压主要是基于绝缘的要求,取决于电阻的材料和工艺。 额定功率主要是基于电阻的散热能力。 实际运行时,有的情况,电阻在额定电压下,实际功率已经超过了额定功率的;有的情况下,电阻在满足额定功率的时候,电压已经超过额定电压的。 这个情况,第一跟电阻的阻值有关,第二跟电阻的封装和工艺有关,第三有时可以超过额定功率,只要温度不超过额定温度,跟环境温度有关,这种情况比较少。 ​---end---
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    内容介绍《世纪英才模块式技能实训中职系列教材:电子元器件的识别与检测》主要介绍了十几类常用电子元器件的结构、分类、性能、参数及应用等方面的知识,并详细介绍了检测电子元器件的方法。《世纪英才模块式技能实训中职系列教材:电子元器件的识别与检测》以模块式结构编排,方便教师灵活地安排授课。全书图文并茂,特别是各种电子元器件的彩色插图,既增加了学生对实物的感性认识,也有效地降低了教学成本。《世纪英才模块式技能实训中职系列教材:电子元器件的识别与检测》可供中职学校及技工学校电子信息类专业及相关专业作为教材使用,同时也可作为其他职业学校或无线电短训班的培训教材,对于电子爱好者也不失为一本较好的自学读物。目录大全技能训练一 电阻器的认知与检测 技能训练二 电容器的认知与检测 技能训练三 电感器的认知与检测 技能训练四 变压器的认知与检测 技能训练五 半导体二极管的认知与检测 技能训练六 半导体三极管的认知与检测 技能训练七 开关与接插件的认知与检测 技能训练八 保险元件的认知与检测 技能训练九 扬声器的认识与检测 技能训练十 传声器的认知与检测 技能训练十一 继电器的认知与检测 技能训练十二 音乐片的认知 技能训练十三 集成电路的认知与检测 技能训练十四 晶闸管的认知与检测 技能训练十五 光敏元件的认知与检测 技能训练十六 场效应管的认知与检测 技能训练十七 片状元件的认知与检测 技能训练十八 焊接练习 技能训练十九 印制板的人工制作
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    时间: 2021-6-4 08:54
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    上传者: 孑然一身
    实用电子元器件与电路基础
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    时间: 2021-6-4 09:35
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    上传者: eeNick
    主要内容三宅和司编写的《电子元器件的选择与应用(电阻器与电容器的种类结构及性能)》是“图解实用电子技术丛书”之一。本书主要介绍有关电阻器和电容器的基本知识以及实际应用,内容包括各种类型的固定电阻器的基本知识,可变电阻器以及半固定电阻器的结构和性能,排电阻的结构和性能,以及各种类型的固定电容器的知识,可变电容器及半固定电容器的结构和性能,电阻器和电容器的选材与应用等。为了能够让读者进一步了解选择元件的重要性,作者以切身体会和经历过的失败例子,详细地介绍了失败的原因。在出现故障时所采取的措施以及解决的方法。作者介绍三宅和司1959年生于香川县1980年为了读大学到了东京读书期间参与了多个计算机软件开发公司的成立活动现在从事测量仪器的设计与开发。目录大全绪论O.1电路图和元件知识0.2振荡激光驱动器O.2.1APC电路的功能和动作0.2.2故障发生0.2.3意外原因0.2.4水泥电阻的电感成分O.3技术人员所需的元件知识第1章固定电阻器的知识1.1表示固定电阻器性能的11种参数1.1.1电阻值和精度【专栏】整数值电阻1.1.2大额定和破坏方法1.1.3与理想电阻的差别1.1.4其他原因1.2固定电阻器的结构和参数1.2.1电阻器的材质1.2.2电阻器的结构1.2.3包装处理1.3了解碳膜电阻的实际作用1.3.1什么是碳膜电阻1.3.2在碳膜电阻作用不足时【专栏】关于电阻值的表示【专栏】什么是正确的电阻破坏方法第2章可变电阻器及半固定电阻器的结构和性能2.1可变电阻器和半固定电阻器性能的15个选择点2.1.1固定电阻器和类似参数【专栏】可变电阻和半固定电阻的端子号2.1.2可变电阻器及半固定电阻器的特有参数2.2可变电阻器及半固定电阻器的分类和特点2.2.1电阻的分类2.2.2单旋转或多旋转附录电阻比方式与值方式第3章排电阻的结构和性能3.1节省面积,节省人力的排电阻3.1.1厚膜排电阻概况:普通的排电阻3.1.2厚膜排电阻电路和组件3.2用于提高精度的排电阻3.2.1薄膜排电阻概要:双子电阻3.2.2薄膜排电阻的电路和组件【专栏】基板内的终端第4章固定电容器的知识4.1表示固定电容器性能的14种参数4.1.1静电容量和精度4.1.2大额定和极性4.1.3与理想电容器之间的差别4.1.4其他4.2固定电容器的结构和参数4.2.1基于电介质种类的电容器的分类及其特点【专栏】关于静电容量的表示4.2.2基于电容器结构的分类和特点第5章可变电容器及半固定电容器的结构和性能.5.1可变电容器及半固定电容器的特有参数5.1.1大容量和小容量5.1.2静电容量比5.1.3极性5.1.4静电容量曲线5.2可变电容器及半固定电容器的种类和特点5.2.1可变电容器5.2.2半固定电容器(微调电容器)第6章电阻器的选材与应用6.1LED的限流电阻6.1.1用+5V直流电源使LED灯亮6.1.2LED的特性与限流电阻6.1.3电阻值的权衡6.1.4误差不严格6.1.5碳膜电阻是否可以6.1.6小结6.2数字电路的上拉电阻6.2.1上拉电阻的作用6.2.2电阻值的适当度6.2.3认真考虑公差6.2.4可以对接的排电阻6.38比特±1LSB精度的5倍放大器6.3.1电阻值是否多大都可以【专栏】超小型电阻6.3.2考虑R和R的组合【专栏】为什么是6.3.3电阻器允许的误差6.3.4电阻器的选择6.3.5小结6.4岳精度值电路6.4.1电路工作的确认6.4.2考虑电阻对6.4.3决定电阻值范围6.4.4误差计算6.4.5决定电阻的种类6.4.6小结6.5电流检测电阻6.5.1铅蓄电池充电电路6.5.2电路的工作6.5.3电流检测电阻的电阻值6.5.4电阻误差和4端子电阻6.5.5用2端子电阻制作的4端子电阻6.5.6电阻器的选定6.5.7小结6.6光放大器——使用高电阻时的注意事项6.6.1电路的工作6.6.2使用光二极管时的注意事项6.6.3光二极管灵敏度的调整6.6.4决定R,的电阻值和温度系数6.6.5R,的种类选择6.6.6后级设计6.6.7灵活利用性能6.6.8事例6的归纳附录LED亮灯的变化第7章电容器的选材与应用7.1电源旁路电容器7.1.1如果没有旁路电容器,将会发生什么7.1.2电源的消耗电流不固定7.1.3自己限制自己的IC7.1.4旁路电容器如同电流的零用钱盒子7.1.5求静电容量7.1.6决定额定电压和静电容量误差7.1.7决定电容的种类7.1.8补偿低频特性7.1.9电源旁路电容器的归纳7.23端子调节器的电容器7.2.13端子调节器的工作7.2.2温度控制器的结构和电路的工作7.2.33端子调节器不很好地动作7.2.43端子调节器的输出电容器7.2.53端子调节器的输入滤波器7.2.6补充3端子调节器的电容器归纳7.3电源平滑用电容器7.3.1电路的工作7.3.2求容量的简单近似式7.3.3决定电容器7.3.4电源平滑用电容器的归纳7.4长时间定时器的电容器7.4.1定时器电路的工作7.4.2常数的决定和结果7.4.3关于漏电流7.4.4电路的改良7.4.5长时间定时器的归纳7.5耦合用电容器7.5.1电路的工作7.5.2电容器的静电容量计算7.5.3电容器的极性7.5.4电路的改7.5.5耦合用电容器的归纳7.6双重积分型A-D变频器的电容器7.6.1双重积分型A-D变频器的工作原理7.6.2双重积分型A-D变频器的精度7.6.3积分电容器要求的条件7.6.4电介质吸收小的电容器选择7.6.5数字面板仪表实例7.6.6双重积分型A-D变频器7.7晁体振荡电路的电容器7.7.1晶体振子的性质7.7.2晶体振荡电路的工作7.7.3晶体振荡电路电容器7.7.4电容器的选定7.7.5晶体振荡电路用电容器的归纳第8章失败例的收集8.1失败例1:只要是刮风,电器商店就烦恼8.1.1热电偶放大器8.1.2发生故障8.1.3只要是刮风8.1.4发现故障的原因8.1.5故障对策 8.2失败例2:注意额定电压 8.2.1高压探测器 8.2.2自制高压探测器 8.2.3忘记了额定电压 8.2.4元件还是专卖店的好 8.3失败例3:FTI全部报废 8.3.1不知道什么时候TTL 8.3.2原因是半固定电阻 8.3.3经常考虑安全装置 8.4失败例4:高频的旁路电容器 8.4.1前置频率倍减器 8.4.2发生计数错误 8.4.3计数错误的原因推测 8.4.4对高频追加了高频旁路电容器 8.5失败例5:也是近接传感器的VCO 8.5.1VCO 8.5.2成为近接传感器的VCO 【专栏】苯乙烯电容器 8.5.3陶瓷微调电容器的极性因厂家而不同参考文献
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    时间: 2021-4-26 22:38
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    上传者: Argent
    AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是使用51单片机还是AVR单片机,其方案的选择因项目需求而定,需要这方面资料的工程师们,看过来吧。
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    时间: 2021-4-25 23:09
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    电子产品日新月异,不管是硬件工程师还是软件工程师,基本的模电、数电知识也是必备的条件,从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻电容电感,每个元器件在电路中必然有其作用,有兴趣了解的网友,下载学习学习吧。
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    时间: 2021-4-25 23:10
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    上传者: Argent
    电子产品日新月异,不管是硬件工程师还是软件工程师,基本的模电、数电知识也是必备的条件,从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻电容电感,每个元器件在电路中必然有其作用,有兴趣了解的网友,下载学习学习吧。
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    时间: 2021-4-14 21:33
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    上传者: zyn518
    实用电子元器件与电路基础_(Paul.Scherz)第二版.zip
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    时间: 2021-4-13 14:50
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    上传者: czdian2005
    实用电子元器件与电路基础_(Paul.Scherz)第二版
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    时间: 2021-4-13 14:50
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    上传者: czdian2005
    实用电子元器件与电路基础_(Paul.Scherz)第二版
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    时间: 2021-4-13 16:12
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    上传者: Argent
    电子产品日新月异,不管是硬件工程师还是软件工程师,基本的模电、数电、微机原理、信号处理等知识是必备的条件,从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻电容电感,每个元器件在电路中必然有其作用,有兴趣了解的网友,下载学习学习吧。
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    时间: 2021-4-13 17:43
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    上传者: zyn518
    很全的电子元器件基础知识讲义.zip
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    时间: 2021-4-13 17:46
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    电子元器件综合知识大全.zip
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    时间: 2021-4-13 17:52
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    上传者: zyn518
    电子元器件技术介绍.zip
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    时间: 2021-4-13 18:16
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    电子元器件故障的特点及排除方法.rar
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    时间: 2021-3-20 21:44
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    上传者: samewell
    电子元器件从入门到精通本书采用"全彩”"全图”"微视频”的全新讲解方式,系统全面地介绍电子元器件专业知识和应用技能,打破传统纸质图书的学习模式,将网络技术与多媒体技术引入纸质载体,开创"微视频”互动学习的全新体验。读者可以在学习过程中,通过扫描页面上的"二维码”即可打开相应知识技能的微视频,配合图书轻松完成学习。
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    时间: 2021-3-22 17:34
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    上传者: Goodluck2020
    电子元器件配套知识大全1.zip
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    时间: 2021-3-22 17:37
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    上传者: Goodluck2020
    电子元器件配套知识大全2.zip