tag 标签: 动态性能

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    功率MOSFET及其发展浅说功率MOSFET及其发展浅说ElementaryIntroductionofPowerMOSFETandIt'sDevelopment国际整流器(IR)公司高级技术顾问张为佐近年来作了多次关于功率半导体器件发展趋势的报告,许多朋友都希望我讲得更详细些,或更能符合应用工作者的口味,因而撰写一篇现代功率半导体器件浅说的想法由来已久。只是由于设想太大,久久未能动笔。现在从功率MOSFET写起,作为现代功率半导体器件浅说之一,以后再接着写之二、之三,这样就免于搁浅。本文是一种尝试,希望能使读者对现代功率半导体器件的发展有较深入的理解,能更主动地以新一代的器件去改进自己的电路。既是一篇浅说,就需要把基本原理讲得尽可能浅显些。使大家像读故事书那样把技术弄清楚。有的解释或许不够严格。如果我忽略了一些主要的东西,希望读者能协助我予以改正。由于世界市场的激烈竞争,各功率半导体器件制造商正投入大量资金发展新的设计、改进新的工艺、开发新的产品。好些产品甚至每个季度都有新的发展,品种的更新换代几乎到了使人眼花缭乱的程度。因此详细介绍器件发展的新趋势,就显得更为必要了。本文从功率MOSFET开始来介绍现代功率半导体器件,这是因为功率MOSFET是新一代功率半导体器件的起点。同时,从器件的结构来说,功率MOSFET也属于最基本的结构之一。图1所示为IR功率MOSFET的基本结构。图中每一个六角形是一个MOSFET的原胞(cell)。正因为原胞是六角形的(hexangular),因而IR常把它称为HEXFET。功率MOSFET通常由许多个MOSFET原胞组成。已风行了十余年的IR第三代(Gen-3)HEXFET每平方厘米约有18万个原……
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    上传者: 微风DS
    摘要:该应用笔记论述了如何选择适当的变压器和无源元件,并在不牺牲高速ADC动态性能的情况下获得较宽的输入频响的增益平坦度。正确选择输入网络,优化高速ADC的动态性能和增益平坦度Jan26,2009摘要:该应用笔记论述了如何选择适当的变压器和无源元件,并在不牺牲高速ADC动态性能的情况下获得较宽的输入频响的增益平坦度。对于较高IF的模/数转换器(ADC),正确选择板级元器件是满足高动态性能和较宽增益平坦度的必要条件。本技术资料介绍了如何选择输入网络,借助宽带变压器、端接电阻和滤波电容,简化单端到差分信号转换的设计。本文以MAX1449为例进行说明和分析,给出了两种可能的输入配置。图1表示一个典型的交流耦合、单端到差分的转换设计。该设计使用宽带变压器(如Mini-Circuits的T1-1T-KK81(200MHz)),原边端接50Ω电阻和25Ω/22pF滤波网络。该配置中,源阻抗为50Ω的单端输入信号通过变压器转换成差分信号。50Ω原边端接可以很好地实现信号源与变压器之间的匹配。然而,这也意味在变压器的原边和副边存在不匹配。原边等效电阻为25Ω,但副边存在很大的阻抗不匹配。这是因为ADC的20kΩ输入电阻与22pF电容并联造成的。这会影响输入网络的频响特性,从而最终影响转换器的频响特性。变压器的标称漏感为25nH到100nH。结合22pF的输入滤波电容,这将产生谐振频率:110MHz到215MHz之间的谐振频率将在该频段产生干扰尖峰。图1.图2描述了类似的交流耦合配置,但它使用了带有原边端接、性能更好的宽带变压器(如Mini-Circuits的ADT1-1WT(800MHz))和25Ω/10pF滤波网络。尽管ADT1-1WT的阻抗是75Ω,但较低的漏感将-1dB的频点提升到了400MHz,而T1-1T-KK81的-1dB频点只有50……
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    时间: 2019-6-7 22:23
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    上传者: royalark_912907664
    水温控制无论是在日常生活还是工业生产中都扮演着重要的角色。本设计是基于STC12C5A60S2的智能型水温控制系统,在硬件上实现键盘输入、温度釆集、AD转换和液晶显示,在软件上采用模糊控制与PID算法相结合构成的模糊PID控制器来对水温进行实时监测和调节。结果显示,采用模糊PID控制策略,改善了系统的动态响应,提高响应速度,能够实现水温的数字式精确调节。