tag 标签: 二极管

相关博文
  • 热度 4
    2023-10-11 16:37
    291 次阅读|
    0 个评论
    二极管有若干种不同的形状和特点,从微小型玻璃封装齐纳二极管到大型整流二极管PUK模块。肖特基二极管在这一范围中处于中间位置。那么肖特基有什么特别之处呢? 一般来说,二极管可具备许多常见的参数,因此,作为参考,我们可以将肖特基二极管与“标准”二极管进行比较,也就是极其常见的硅P-N结整流二极管;如1N400x。 肖特基二极管因其独特的结构而得名。正是这种结构赋予了它独特的特能。 结构 肖特基二极管的结构与硅P-N结二极管有所不同。肖特基二极管使用的是键合到N型掺杂材料中的单层薄金属,而不是双层掺杂半导体材料。这种金属与N型半导体层叠的组合也称为M-S结(金属-半导体结),而这两种材料的会聚则称为肖特基势垒,二者皆以华特‧H‧肖特基(Walter H. Schottky)的名字来命名。 这种金属可以是贵金属中的任何一种(如铂、钨、金等),具体取决于厂商的绝密配方。 特性 肖特基势垒具有一些独特的特性,使该二极管成为某些应用的理想之选。与P-N结相比,M-S结产生的电子耗尽区更窄。 这使得肖特基二极管具有以下优点: 低正向电压 正向偏压时,肖特基二极管只需0.3-0.4 伏即可开始导通,而P-N结则需要0.6-0.7伏。这在必须节能的应用中非常有益,如电池驱动和太阳能电池应用。 借助低正向电压的优势,肖特基二极管可以有效地保护敏感器件不受过电压的影响。 高速开关 这种窄耗尽区非常适合高速开关应用,在该应用中,二极管需要在正向和反向偏压之间快速导通和断开。这种特性很适合降压升压转换器等开关电源。 低噪声 窄耗尽区可形成低电容二极管。这意味着,与P-N结二极管相比,肖特基二极管可避免嗡嗡声和其他电容噪声,因此成为RF电路的首选。 性能优势 与类似规格的P-N结二极管相比,肖特基二极管在高功率应用中的功耗更低且散热效率更高。 另一方面,窄耗尽区也有缺点: 漏电流 并非每个二极管都是完美无缺的,在反向偏压时,二极管可能会出现漏电流的情况。与P-N结二极管相比,肖特基二极管的耗尽区较窄,因此容易产生高漏电流。 反向电压较低 由于耗尽区较窄,与P-N结二极管相比,肖特基二极管无法承受高反向电压;肖特基二极管的电压范围在50V以内,而P-N结的电压范围通常从500V至上千伏不等。 应用 肖特基势垒的独特特性使其可广泛应用于大量电气和电子电路。举几个最为典型的例子: 电压箝位——由于肖特基二极管的正向电压较低,因此常被用于保护器件免受过电压或反向电压的影响,只需将电压箝位到简单的电压轨中即可,有时称为轨至轨控制电路。 高效阻塞二极管——同样由于正向电压较低,肖特基二极管还可用于光伏系统,有助于防止在产生的电量低于电池电压时通过太阳能电池放电。当太阳能电池全量生产时,肖特基二极管在电池充电过程中的开销很低。 开关模式电源——得益于其效率高且恢复时间短,肖特基二极管常用于高效率电源和直流-直流电压转换器电路内。 电池供电器件——如果低电压开销和高效率是关键考量因素,那么肖特基二极管就是不二之选。在电池供电的器件中,电压开销非常高,因此当需要阻塞二极管时,即可借助肖特基的低正向电压特点。有时候,肖特基二极管也不太用于电池供电的器件中:当它主要处于反向偏压状态时。因为与传统的P-N结二极管相比,肖特基二极管的漏电流会导致电池更快耗尽。 偏压? 肖特基二极管至少可用于数千种应用。如果某种应用需要使用二极管,则应考虑肖特基二极管,而不是习惯性地使用1N400x。 来源:digikey.
  • 热度 4
    2023-9-5 21:42
    242 次阅读|
    0 个评论
    Nexperia | 了解RET的开关特性 阅读本文,了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。 可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是,由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度,因而在许多应用中,需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平,从而确保BJT稳定安全地工作。阅读本文,了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。 为了减少元器件数量、简化电路板设计,配电阻晶体管将一个或两个双极性晶体管与偏置电阻组合在一起,集成在同一个晶片上。替代方案包括在基极-发射极路径上并联第二个集成电阻,以创建用于设置基极电压的分压器。这可以提供更精细的微调和更好的关断特性。由于这些内部电阻的容差高于外部电阻,因而 RET 适合晶体管在打开或关断状态下工作的开关应用。因此,RET 有时被称为数字晶体管。本文讨论了在开关应用中使用RET进行设计时的一些关键操作参数。 △ 配电阻晶体管(RET) 电压和电流(VI)参数 IC/IIN 是指RET的电流增益 hFE,其中的IIN包括基极电流和流经 R2 的电流(IR2 = VBE/R2)。因此,hFE 比 RET 小,后者只有一个串联基极电阻R1。因为输入电流从基极分流,所以 R2 值越低,hFE 值就越小。从表1可看出这一点。VCEsat 是 RET 开关处于导通状态时集电极-发射极的残余电压。 测量 hFE 的测试条件是施加 0.5 mA 的基极电流和 10 mA 的集电极电流。Vi(off)是 RET 器件关闭时的输入电压。在这种情况下,集电极泄漏电流为 100µA,集电极-发射极电压(VCE)为 5 V。表中提供的 V(Ioff)max 较低值是 RET 驱动级的最大允许输出电平。该条件必须要满足,以确保 RET 在关断状态下可以安全运行。当测试处于导通状态的 RET 时,VI(on)min 是最关键的参数。用于驱动 RET 的电路必须能够提供该电压电平,以确保安全开启。导通状态是指集电极-发射极电压为 0.3 V 时,集电极电流为 10 mA 的状态。RET 数据手册中规定的 VI 额定值仅针对这些测试条件有效。RET 需通过更大的基极驱动电压 VI(on)来获得更大的开关电流。图2 显示了 RET 晶体管的电压-电流(VI)开关特性。 ▶ VI < VI(off)max:所有RET器件均保证处于关断状态 ▶ Vi < Vi(off)typ:典型RET处于关断状态 ▶ Vi < Vi(off)typ:典型RET处于导通状态 ▶ VI(on)min:所有RET器件均保证处于导通状态 表 1 显示了导通和关断状态的输入电压对 Nexperia NHDTC 系列 RET 中的电阻分压器配置的依赖性。在 VI(off)条件下,会有一个微小的基极电流流过晶体管(约0.3 µA)。关闭 RET 所需的电压典型值与电阻比 R1/R2 有关。当晶体管关闭时,可以通过 R2 或基极-发射极二极管两端的压降目标来计算此值。对于 NHDTC 系列,该电压大约为 580 mV。 因此,电阻比为 1 时的 VI(off) 值具有相同的电压(表1中的第1-3行)。由于上述原因,当 R2 为 47 kΩ,且 R1 值为 2.2 kΩ、4.7 kΩ 或 10 kΩ时,关断状态的典型电压值均会较低。VI(off) max 需为偶数值,以确保器件在图 2 中最左侧的深绿色阴影区域内运行。 △ Nexperia的RET产品组合 正确选择电阻分压器至关重要,以确保 RET 的控制电压范围与驱动级相匹配。所需的集电极或负载电流会影响为导通状态提供的基极电流。可使用较低的 R1 和/或 流经 R2 的较小旁路电流来设置较高的集电极电流。 除了通用系列,Nexperia(安世半导体)还提供具有增强功能的 RET 器件, 例如,NHDTA/NHDTC 系列 RET(见表1)的 VCEO 为 80 V。这一特性使得这些器件非常适合 48 V 汽车应用。 PDTB 和 PBRN 系列 RET 支持 500/600 mA 的集电极电流,并可用于开关功率继电器和功率 LED。 有关温度的注意事项 在实际应用中,需密切关注VI参数的温度漂移。BJT 的 VBE 随温度升高而降低,其中系数约为 -1.7mV/K 至 -2.1mV/K。如图 3 所示,对于独立的 BJT,hFE 也会每开尔文增加约 1%。 △ 典型直流电流增益与集电极电流呈函数关系 VI(on) 为 IC 的函数,因此在相同的 VCE 下,需要更高的输入电压来驱动更多的集电极电流。低环境温度需要更高的输入电压,因为 VBE 增加,hFE 会降低。因此需要在低温下打开 RET 开关,这是应用的关键操作条件,并且需要足够的输入电压才能正确打开器件(图4)。 △ 典型导通状态输入电压与集电极电流呈函数关系 在关断状态下,高温条件非常关键。因此,驱动电路必须设计为在最高应用温度下输出电压远低于 VI(off) 典型值(图5)。 △ 典型导通状态输入电压与集电极电流呈函数关系 简单,但安全可靠 RET 是一种相对简单的器件,非常适合开关应用。尽管如此,设计人员必须了解影响其运行的参数,包括开关电压和电流,以及其受温度影响的情况。本篇博客文章提供了一些设计技巧,目的是确保 Nexperia(安世半导体)的 RET 在目标应用中安全可靠地运行。 *文章来源: Nexperia(安世半导体)应用营销经理 Burkhard Laue 著.
  • 热度 5
    2023-9-2 13:33
    513 次阅读|
    0 个评论
    基于半导体的温度传感器通常集成到 集成电路 (IC) 中。这些传感器使用两个相同的二极管,它们具有温度敏感的电压与电流特性,用于监测温度的变化。它们提供线性响应,但在基本传感器类型中精度最低。这些温度传感器在最窄的温度范围( -70°C 至 150°C )内的响应速度也最慢。 基于半导体的温度传感器 IC 有两种不同的类型:本地温度传感器和远程数字温度传感器。本地温度传感器是通过使用晶体管的物理特性测量其自身芯片温度的 IC 。远程数字温度传感器测量外部晶体管的温度。 本地温度传感器可以使用模拟或数字输出。模拟输出可以是电压或电流,而数字输出可以采用多种格式,例如 IC 、 SMBus 、 1-Wire 和串行外设接口 (SPI) 。本地温度传感器感应印刷电路板上的温度或其周围的环境空气。 MAX31875 是一款极小的本地温度传感器,可用于多种应用,包括电池供电应用。 远程数字温度传感器通过使用晶体管的物理特性像本地温度传感器一样工作。不同之处在于晶体管远离传感器芯片。一些微处理器和 FPGA 包括一个双极感应晶体管,用于测量目标 IC 的管芯温度。
  • 热度 3
    2023-8-14 10:14
    376 次阅读|
    0 个评论
    MOSFET 的工作损耗基本可分为如下几部分: 1、导通损耗Pon 导通损耗,指在 MOSFET 完全开启后负载电流(即漏源电流) IDS(on)(t) 在导通电阻 RDS(on) 上产生之压降造成的损耗。 导通损耗计算: 先通过计算得到 IDS(on)(t) 函数表达式并算出其有效值 IDS(on)rms ,再通过如下电阻损耗计算式计算: Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don 说明: 计算 IDS(on)rms 时使用的时期仅是导通时间 Ton ,而不是整个工作周期 Ts ;RDS(on)会随 IDS(on)(t) 值和器件结点温度不同而有所不同,此时的原则是根据规格书查找尽量靠近预计工作条件下的 RDS(on) 值(即乘以规格书提供的一个温度系数 K )。 2、截止损耗Poff 截止损耗,指在 MOSFET 完全截止后在漏源电压 VDS(off) 应力下产生的漏电流 IDSS 造成的损耗。 截止损耗计算: 先通过计算得到 MOSFET 截止时所承受的漏源电压 VDS(off) ,在查找器件规格书提供之 IDSS ,再通过如下公式计算: Poff=VDS(off) × IDSS ×( 1-Don ) 说明: IDSS 会依 VDS(off) 变化而变化,而规格书提供的此值是在一近似 V(BR)DSS 条件下的参数。如计算得到的漏源电压 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 则可直接引用此值,如很小,则可取零值,即忽略此项。 3、开启过程损耗 开启过程损耗,指在 MOSFET 开启过程中逐渐下降的漏源电压 VDS(off_on)(t) 与逐渐上升的负载电流(即漏源电流) IDS(off_on)(t) 交叉重叠部分造成的损耗。 开启过程损耗计算: 开启过程 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上图所示。首先须计算或预计得到开启时刻前之 VDS(off_end) 、开启完成后的 IDS(on_beginning) 即图示之 Ip1 ,以及 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 重叠时间 Tx 。然后再通过如下公式计算: Poff_on= fs ×∫ Tx VDS(off_on)(t) × ID(off_on)(t) × dt 实际计算中主要有两种假设 — 图 (A) 那种假设认为 VDS(off_on)(t) 的开始下降与 ID(off_on)(t) 的逐渐上升同时发生;图 (B) 那种假设认为 VDS(off_on)(t) 的下降是从 ID(off_on)(t) 上升到最大值后才开始。图 (C) 是 FLYBACK 架构路中一 MOSFET 实际测试到的波形,其更接近于 (A) 类假设。针对这两种假设延伸出两种计算公式: (A) 类假设 Poff_on=1/6 × VDS(off_end) × Ip1 × tr × fs (B) 类假设 Poff_on=1/2 × VDS(off_end) × Ip1 × (td(on)+tr) × fs (B) 类假设可作为最恶劣模式的计算值。 说明: Ip1 (电源使用中 Ip1 参数往往是激磁电流的 初始值)。叠加的电流波峰确切数值我们难以预计得到,其 跟电路架构和器件参数有关。例如 FLYBACK 中 实际电流应是 Itotal=Idp1+Ia+Ib (Ia 为次级端整流二极管的反向恢 复电流感应回初极的电流值 -- 即乘以匝比, Ib 为变压器 初级侧绕组层间寄生电容在 MOSFET 开关开通瞬间释放的 电流 ) 。这个难以预计的数值也是造成此部分计算误差的 主要原因之一。 4、关断过程损耗 关断过程损耗。指在 MOSFET 关断过程中 逐渐上升的漏源电压 VDS(on_off) (t) 与逐渐 下降的漏源电流 IDS(on_off)(t) 的交叉重 叠部分造成的损耗。 关断过程损耗计算: 如上图所示,此部分损耗计算原理及方法跟 Poff_on 类似。首先须计算或预计得到关断完成后之漏源电压 VDS(off_beginning) 、关断时刻前的负载电流 IDS(on_end) 即图示之 Ip2 以及 VDS(on_off) (t) 与 IDS(on_off)(t) 重叠时间 Tx 。 然后再通过 如下公式计算: Poff_on= fs ×∫ Tx VDS(on_off) (t) × IDS(on_off)(t) × dt 实际计算中,针对这两种假设延伸出两个计算公式: (A) 类假设 Poff_on=1/6 × VDS(off_beginning) × Ip2 × tf × fs (B) 类假设 Poff_on=1/2 × VDS(off_beginning) × Ip2 × (td(off)+tf) × fs (B) 类假设可作为最恶劣模式的计算值。 说明: IDS(on_end) =Ip2 ,电源使用中这一参数往往是激磁电流 的末端值。因漏感等因素, MOSFET 在关断完成后之 VDS(off_beginning) 往往都有一个很大的电压尖峰 Vspike 叠加其 上,此值可大致按经验估算。 5、驱动损耗Pgs 驱动损耗,指栅极接受驱动电源进行驱动造成之损耗 驱动损耗的计算: 确定驱动电源电压 Vgs 后,可通过如下公式进行计算: Pgs= Vgs × Qg × fs 说明: Qg 为总驱动电量,可通过器件规格书查找得到。 6、Coss电容的泄放损耗Pds Coss电容的泄放损耗,指MOS输出电容 Coss 截止期间储蓄的电场能于导同期间在漏源极上的泄放损耗。 Coss电容的泄放损耗计算: 首先须计算或预计得到开启时刻前之 VDS ,再通过如下公式进行计算: Pds=1/2 × VDS(off_end)2 × Coss × fs 说明: Coss 为 MOSFET 输出电容,一般可等于 Cds ,此值可通过器件规格书查找得到。 7、体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f 体内寄生二极管正向导通损耗,指MOS体内寄生二极管在承载正向电流时因正向压降造成的损耗。 体内寄生二极管正向导通损耗计算: 在一些利用体内寄生二极管进行载流的应用中(例如同步整流),需要对此部分之损耗进行计算。公式如下: Pd_f = IF × VDF × tx × fs 其中:IF 为二极管承载的电流量, VDF 为二极管正向导通压降, tx 为一周期内二极管承载电流的时间。 说明: 会因器件结温及承载的电流大小不同而不同。可根据实际应用环境在其规格书上查找到尽量接近之数值。 8、体内寄生二极管反向恢复损耗Pd_recover 体内寄生二极管反向恢复损耗,指MOS体内寄生二极管在承载正向电流后因反向压致使的反向恢复造成的损耗。 体内寄生二极管反向恢复损耗计算: 这一损耗原理及计算方法与普通二极管的反向恢复损耗一样。公式如下: Pd_recover=VDR × Qrr × fs 其中:VDR 为二极管反向压降, Qrr 为二极管反向恢复电量,由器件提供之规格书中查找而得。 MOS设计选型的几个基本原则 建议初选之基本步骤: 1、电压应力 在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。即: VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS 注:一般地, V(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之 V(BR)DSS值作为参考。 2、漏极电流 其次考虑漏极电流的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称最大漏源电流的 90% ;漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的 90% 即: ID_max ≤ 90% * ID ID_pulse ≤ 90% * IDP 注:一般地, ID_max 及 ID_pulse 具有负温度系数,故应取器件在最大结温条件下之 ID_max 及 ID_pulse 值作为参考。器件此参数的选择是极为不确定的—主要是受工作环境,散热技术,器件其它参数(如导通电阻,热阻等)等相互制约影响所致。最终的判定依据是结点温度(即如下第六条之“耗散功率约束”)。根据经验,在实际应用中规格书目中之 ID 会比实际最大工作电流大数倍,这是因为散耗功率及温升之限制约束。在初选计算时期还须根据下面第六条的散耗功率约束不断调整此参数。建议初选于 3~5 倍左右 ID = (3~5)*ID_max。 3、驱动要求 MOSFEF 的驱动要求由其栅极总充电电量( Qg )参数决定。在满足其它参数要求的情况下,尽量选择 Qg 小者以便驱动电路的设计。驱动电压选择在保证远离最大栅源电压( VGSS )前提下使 Ron 尽量小的电压值(一般使用器件规格书中的建议值) 4、损耗及散热 小的 Ron 值有利于减小导通期间损耗,小的 Rth 值可减小温度差(同样耗散功率条件下),故有利于散热。 5、损耗功率初算 MOSFET 损耗计算主要包含如下 8 个部分: PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs+Pd_f+Pd_recover 详细计算公式应根据具体电路及工作条件而定。例如在同步整流的应用场合,还要考虑体内二极管正向导通期间的损耗和转向截止时的反向恢复损耗。损耗计算可参考下文的“MOS管损耗的8个组成部分”部分。 6、耗散功率约束 器件稳态损耗功率 PD,max 应以器件最大工作结温度限制作为考量依据。如能够预先知道器件工作环境温度,则可以按如下方法估算出最大的耗散功率: PD,max ≤ ( Tj,max - Tamb ) / Rθj-a 其中 Rθj-a 是器件结点到其工作环境之间的总热阻 , 包括 Rθjuntion-case,Rθcase-sink,Rθsink-ambiance 等。如其间还有绝缘材料还须将其热阻考虑进去。 关注公众号“优特美尔商城”,获取更多电子元器件知识、电路讲解、型号资料、电子资讯,欢迎留言讨论。
  • 热度 3
    2023-6-11 17:49
    2274 次阅读|
    0 个评论
    二极管(Diode)具有单向导电性,即只允许电流沿着一个方向流动,而阻挡反向电流流动。二极管是电子电路中最基本的元件之一,广泛应用于各种电子设备中。 单向导通性的实验说明: 当输入电源电压Vi比稳压二极管的稳定电压VZ低时,稳压二极管没有击穿而处于反向截止区,此时电路回路中只有比较小的反向漏电电流IR(reverse leakage current),这种工作状态不是稳压二极管的正常工作状态,因为输出电压Vo是随输入电压Vi变化的,没有达到输出稳定电压的目的,如下图所示: 当输入电源电压 Vi 比稳压二极管稳定电压 ZT 高时,稳压二极管被反向电压击穿,此时回路电流急剧增加,如下图所示: 一、二极管的功能 二极管的主要功能是将交流电转换为直流电,也可作为整流器、限流器、稳压器等电路中的关键元件。另外,二极管还可用于振荡电路、开关电路、放大电路等电路中,起到重要的作用。 二、二极管的作用 整流:二极管可以将交流电转换为直流电,实现整流功能。当正向电压施加在二极管上时,电流可以自由通过,而当反向电压施加在二极管上时,二极管则处于截止状态,阻止电流通过。 实现单向导通的示意图 原理就是两个管子分别导通 首先,是正半周期D2,D3工作 然后,是负半周期D1,D4工作 保护:二极管可用于保护电路免受电压峰值和电磁干扰等影响。在电路中加入二极管后,可以有效地限制电压,保护电路不受损坏。 稳压:二极管还可以作为稳压器使用,它可以在电路中提供一个固定的电压,使电路的工作更加稳定。 稳压二极管的典型应用电路如下图所示: 三、二极管的实际案例解说 整流器:二极管被广泛应用于整流电路中,如桥式整流电路、半波整流电路和全波整流电路等。 稳压器:二极管稳压器是一种常见的稳压电路,它可以提供一个恒定的电压输出。 光电二极管:光电二极管是一种具有光电转换功能的二极管,可以将光能转换为电能,广泛应用于光电传感器、光电开关、光电显示等领域。 对单颗LED 的驱动 图 1:灌电流方式驱动LED 此电路通过单片机I/O 口直接驱动LED。当I/O 口输出高电平时,LED 两端等电位,无电流,LED 熄灭;当I/O 口输出低电平时,电流从电源经R1、LED1、I/O 口流进单片机,LED 亮。LED 的亮度与流经它的电流大小成正比,而电流大小由R1 阻值决定。此驱动方式可称为灌电流驱动。 图 2 :拉电流方式驱动 LED 此电路通过单片机 I/O 口直接驱动 LED 。当 I/O 口 输出低 电平时, LED 两端等电位,无电流, LED 熄灭;当 I/O 口输出高电平时,电流从单片机 I/O 经 R2 、 LED2 流到地, LED 亮。 LED 的亮度与流经它的电流大小成正比,而电流大小由 R2 阻值决定。此驱动方式可称为拉电流驱动。 Zener二极管:Zener二极管是一种具有特殊稳压特性的二极管,可以在一定范围内稳定地维持电压输出,广泛应用于电源稳压器、电路保护器等领域。 总之,二极管在电子领域中应用非常广泛,不同类型的二极管在不同的电路中都有不同的作用和功能。
相关资源
  • 所需E币: 0
    时间: 2023-6-15 14:22
    大小: 152.26KB
    上传者: 骊微电子科技
    SMF6.0A贴片tvs二极管-单向瞬态抑制二极管-tvs二极管参数_
  • 所需E币: 0
    时间: 2023-6-15 14:20
    大小: 630.64KB
    上传者: 骊微电子科技
    LXES15AAA1-153esd静电保护二极管-tvs二极管村田
  • 所需E币: 3
    时间: 2023-5-23 22:30
    大小: 703.5KB
    上传者: x鑫鑫
    介绍了半导体的基础知识、二极管参数和结构、单相半波整流电路和桥式整流电路
  • 所需E币: 0
    时间: 2023-4-21 14:31
    大小: 203.5KB
    上传者: 电子阔少
    (1)二极管简易直流稳压电路及故障处理(2)二极管温度补偿电路及故障处理(3)二极管控制电路及故障处理(4)二极管限幅电路及故障处理(5)二极管开关电路及故障处理(6)二极管检波电路及故障处理(7)继电器驱动电路中二极管保护电路及故障处理
  • 所需E币: 5
    时间: 2023-2-11 16:52
    大小: 1.02MB
    上传者: ZHUANG
    基于轻量级网络MobileNetV2的二极管玻壳缺陷识别
  • 所需E币: 3
    时间: 2023-2-10 09:55
    大小: 89.67KB
    上传者: 张红川
    二极管三极管MOS器件基本原理.pdf
  • 所需E币: 2
    时间: 2022-12-16 13:51
    大小: 1.2MB
    上传者: fzyiye
    瞬态电压抑制器(TVS二极管)应用概述
  • 所需E币: 2
    时间: 2022-12-16 01:17
    大小: 73.27KB
    上传者: fzyiye
    硬件工程师——贴片与直插二极管对应型号表
  • 所需E币: 1
    时间: 2022-4-2 22:01
    大小: 10.14KB
    上传者: Argent
    PLC技术在工业控制领域应用广泛,分享一些有关实用的三菱PLC参考程序,希望能够帮助到有需要的网友。
  • 所需E币: 1
    时间: 2022-4-2 22:02
    大小: 55.32KB
    上传者: Argent
    PLC技术在工业控制领域应用广泛,分享一些有关实用的三菱PLC参考程序,希望能够帮助到有需要的网友。
  • 所需E币: 0
    时间: 2022-3-9 14:27
    大小: 683.25KB
    上传者: 幸运者
    TVS_ESD_二极管介绍与应用说明
  • 所需E币: 3
    时间: 2021-12-13 16:00
    大小: 61.59KB
    上传者: 65hhgjj
    二极管的分类,不同二极管的作用及电路应用
  • 所需E币: 5
    时间: 2021-9-19 11:10
    大小: 52.94KB
    上传者: ZHUANG
    大信号射频二极管的时域模拟初步分析
  • 所需E币: 1
    时间: 2021-7-22 14:48
    大小: 18.12MB
    上传者: eeNick
    半导体二极管是半导体器件的重要门类之一。它的结构简单、功能特殊,因此在集成电路迅速发展的今天,还是量使用的半导体器件之一;从长远来看,仍具有广阔的应用前景。随着改革开放的深入发展,我国直接进口、引进组装、自主开发生产的大量电子仪器设备和家用电器中,都应用着各种各样的二极管。从事以上各项工作的工程技术人员、维修人员及电子器件营销人员,都迫切需要一本内容准确、种类齐全、查阅方便的二极管特性参数与代换手册。本手册是在福建科学技术出版社出版的《世界二极管特性代换手册》的基础上,经大面积修订、大幅度增补而成的。
  • 所需E币: 1
    时间: 2021-7-22 14:51
    大小: 9.8MB
    上传者: eeNick
    二极管、闸流晶体管实用手册-917页
  • 所需E币: 1
    时间: 2021-4-26 20:14
    大小: 119.05KB
    上传者: 丸子~
    稳流二极管参数手册详解
  • 所需E币: 0
    时间: 2021-4-27 00:00
    大小: 277.5KB
    上传者: Argent
    AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是使用51单片机还是AVR单片机,其方案的选择因项目需求而定,需要这方面资料的工程师们,看过来吧。
  • 所需E币: 0
    时间: 2021-4-27 00:15
    大小: 153.5KB
    上传者: Argent
    AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是使用51单片机还是AVR单片机,其方案的选择因项目需求而定,需要这方面资料的工程师们,看过来吧。
  • 所需E币: 0
    时间: 2021-4-21 14:02
    大小: 1.97MB
    上传者: zyn518
    汽车电子-技术控:二极管的世界.rar
  • 所需E币: 2
    时间: 2021-4-15 23:38
    大小: 2.24MB
    上传者: samewell
    汽车电子-技术控:二极管的世界.pdf