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一、可调温探针台简介 可调温探针台是一种能够精准控制温度的科研设备，广泛应用于各种材料、器件和电路的测试与研究中。通过调节探针台的温度，科研人员可以模拟不同环境下的实验条件，从而更深入地了解材料的性能和器件的工作机制。 二、调温原理与功能特点 可调温探针台的调温原理主要依赖于先进的温度控制系统。该系统采用高精度温度传感器和智能控制算法，确保探针台的温度能够快速、准确地达到设定值，并保持稳定。此外，探针台还具备以下功能特点： 1. 宽温度范围：可调温探针台通常支持从极低温度到高温的广泛范围，满足不同实验需求。 2. 高温度稳定性：通过先进的控制系统，探针台能够在长时间内保持稳定的温度，确保实验结果的可靠性。 3. 易于操作：探针台通常配备直观的用户界面和便捷的控制系统，使科研人员能够轻松设置和调整温度。 三、科研实验中的应用 可调温探针台在科研实验中发挥着重要作用。以下是一些典型的应用场景： 1. 材料性能测试：通过调节温度，科研人员可以研究材料在不同温度下的导电性、导热性、磁性等性能变化，为新材料研发提供有力支持。 2. 器件可靠性评估：在高温或低温环境下，器件的性能和寿命可能会受到影响。利用可调温探针台，科研人员可以模拟这些ji端环境，评估器件的可靠性。 3. 电路设计验证：在电路设计和测试过程中，可调温探针台可用于模拟实际工作环境中的温度变化，帮助科研人员验证电路设计的合理性和稳定性。

探针台的侧面通常由支撑结构、接口面板和调节装置等部分组成，这些构造共同确保探针台的稳定性和调节灵活性，以支持精密的探测和测试工作。 探针台作为一种精密的测试设备，其侧面构造的设计同样充满了科技与匠心。下面，我们就来详细探讨一下探针台侧面的各个部分及其功能。 一、支撑结构 探针台的侧面支撑结构是其稳定性的关键。通常采用高强度、耐腐蚀的材料制成，如铝合金或不锈钢。这种结构不仅能够有效支撑探针台的整体重量，还能在长时间使用过程中保持稳定的性能，确保测试结果的准确性。 二、接口面板 位于探针台侧面的接口面板是连接外部设备的重要枢纽。这里布满了各种接口，如电源接口、数据接口和控制接口等。通过这些接口，探针台可以与计算机、电源、测量仪器等设备紧密连接，实现数据的快速传输和设备的精准控制。 三、调节装置 探针台的侧面还配备了精细的调节装置，用于调整探针台的工作状态和位置。这些调节装置通常包括微调旋钮、锁定开关等，可以方便地调整探针的高度、角度和位置，以适应不同的测试需求。同时，锁定开关可以在调整好位置后固定探针台，确保其在使用过程中不会发生移动或偏移。 四、安全防护 除了上述功能部件外，探针台的侧面还注重安全防护设计。例如，通过增设防护栏、警示标识等措施，提醒操作者在使用过程中注意安全事项，避免发生意外伤害。 综上所述，探针台的侧面构造不仅美观大方，更在功能上体现了其精密和实用的特点。通过深入了解这些侧面部件的设计和功能，我们可以更好地掌握探针台的使 用方法，提高测试效率，为科研和工业生产提供有力支持。

功率半导体应用现状 随着新能源汽车800V高压快充技术的兴起，SiC凭借其高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率以及高键合能等一系列显著优势，成为功率半导体产业竞相追逐的“风口”。在实际应用中，搭载碳化硅功率器件的高压系统通常能够在短短十多分钟内将电池电量从10%快速充至80%。然而，SiC功率器件在运行时会承受复杂的电-磁-热-机械应力，其电压电流能力的提升，开关速度和功率密度的提升，对器件的性能和可靠性提出了更高的要求。 功率半导体器件在使用过程中可能会因为多重因素导致失效，而这些不同因素所引发的失效形式也各不相同。因此，对失效机理进行深入分析以及准确辨识缺陷，是提高器件性能的重要前提。 功率半导体性能表征 测试挑战 功率半导体的性能表征，最早主要以测试二极管和三极管等分立器件的DC参数为主。MOSFET和SiC、GaN 出现后，测试技术研究的重点放在 GaN HEMT、SiC MOS、IGBT单管、PIM（即IGBT模组）等类型的产品上。根据测试条件不同，功率器件被测参数可分为两大类： 静态特性测试和动态特性测试 。静态特性测试主要是表征器件本征特性指标，如 击穿电压 V (BR)DSS 、漏电流I CES /I DSS /I GES /I GSS 、阈值电压V GS(th) 、跨导G fs 、二极管压降V F 、导通内阻R DS(on) 等；动态参数是指器件开关过程中的相关参数，这些参数会随着开关条件如母线电压、工作电流和驱动电阻等因素的改变而变化，如 开关特性参数、体二极管反向恢复特性参数及栅极电荷特性参数 等，主要采用双脉冲测试进行。 静态参数是动态指标的前提，目前功率半导体器件的静态特性主要是依据半导体器件公司提供的Datasheet来进行测试。然而，功率半导体器件常被应用于高速开通及关断工作状态下，器件绝大部分失效机理都发生在动态变化过程中，因此动、静态参数的测试对功率半导体器件都很重要。此外，以SiC为代表的第三代半导体器件耐压等级更高，且经过串/并联应用于更高电压/功率等级的装备，对制造过程各阶段的测试要求也提出了新的挑战： 1 静态测试高电流电压等级与阈值电压漂移 随着功率半导体器件（如MOSFET、IGBT、SiC MOS）规格的不断提升，静态测试中的电流电压等级要求也越来越高，要求测试系统必须能够稳定、准确地提供和测量高电压和大电流。同时还需要在测试过程中减少施加应力的时间，以防止器件过热损坏。此外，SiC阈值电压漂移是功率器件测试过程中常见的问题，阈值电压漂移会对功率器件的开关特性产生影响，可能会引起器件的误导通，从而导致器件的损坏。 图：JEDEC JEP183、CASAS中Sic VGS(th)的测试标准 2 动态测试寄生电感与寄生电容的 影响 及测试设备要求 在功率半导体器件的动态测试过程中，寄生电感和寄生电容对测试结果影响巨大。寄生电感主要来源于PCB连接线以及器件封装，而功率器件的电流变化率大，使寄生电感对测试结果也会产生影响。同时，双脉冲测试电路中除了器件的结电容外，续流二极管和负载电感上均存在寄生电容，这两个寄生电容对器件的开通过程有明显影响。此外，功率器件的开关速度高，要求测试设备具有较高的带宽以准确采集开关波形的上升沿和下降沿。 3 全测试流程节点增加 对于PIM和IPM等功率模块，实际是由单管组合的，单管的良率和质量将直接影响模块的成本和质量，为降低模块的封装和制造成本，业内已经考虑增加测试节点和测试左移，从 CP+FT 测试，变为 CP + KGD + DBC + FT测试。 普赛斯功率半导体 一站式测试 解决方案 为应对行业对功率半导体器件的测试需求，普赛斯仪表 以核心源表为基础 ，正向设计、精益打造了一站式高精密电压-电流的功率半导体电性能测试解决方案，广泛适用于从实验室到小批量、大批量产线的全方位应用。设备具有高精度与大范围测试能力（10kV/6000A）、多元化测试功能(直流IV/脉冲IV/CV/跨导）、高低温测试能力（-55℃~250℃），满足功率半导体行业对测试能力、精度、速度及稳定性的高要求。 精准始于源头。 普赛斯仪表作为率先自主研发、国内首家将高精密源/测量单元SMU产业化的企业，经过长期深入的研发应用，已经完全掌握了源测量单元的逻辑与算法，确保测试结果的准确性与可靠性。PMST功率器件静态测试系统系列产品采用模块化的设计结构，集成自主研发的高压测试单元、大电流测试单元、小功率测试单元，为用户后续灵活添加或升级测量模块以适应不断变化的测量需求，提供了极大便捷和最优性价比，具有高度易用性和可扩展性，任何工程师都能快速掌握并使用。 目前，普赛斯仪表功率器件静态参数测试系统已经销往全国并出口海外，被国内外多家半导体头部企业认可。我们坚信，通过持续的技术研发与国际合作，秉持创新引领、质量为先的理念，不断突破技术壁垒，优化产品性能，未来普赛斯仪表将为全球客户提供更加精准、高效、可靠的功率半导体测试解决方案。

探针台主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测试。广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。 磁场探针台就是在普通探针台的基础上，增加了磁性测量环境，包括一维、二维、三维磁场，还有水平或者竖直磁场等；既包括电磁铁，也包括亥姆霍兹线圈等。增加了磁场环境之后，结合探针台的优势，对于一些自旋电子学器件或者磁性传感器等的研究就会十分地方便。 磁场探针台主要包括磁场部分、探针台台面部分、探针座探针部分、显微镜部分、光学平台部分、位移台部分、测试线部分以及外接的测试仪表等，以上部分可以根据实际需求增加或者减少，磁场部分以及其它所需部分也可以根据需求进行特殊定制。

探针台使用后的存放相关介绍 1：使用完后需要注意保持清洁，尽量把灰尘吹干尽，以免灰尘将机械精密部件，光学部件，电学接触面污染，导致仪器精度降低。 2：探针台机体清洁时，避免直接泼水清理，以无尘布轻轻擦拭并吹干即可。不可用硬物接触机器，以免发生故障或危险。 3：探针台光学部件清洁时，可用镜头纸蘸无水jiu精从中间向外轻轻的擦拭。无水jiu精是易燃物，注意使用安全。 4：停电或长期不用、外出旅行时，请将电源线插头拔掉以维护机器寿命。 5：操作人员必须严格按要**作，以保证数据的准确和仪器的正常使用。 探针台 ​