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    2019-9-16 15:25
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    大家可能并不陌生 MOS管 ,由于 MOS管不具备防静电、防浪涌。ESD静电和浪涌无处不在,存在于任何的电子产品中,令人防不胜防。 然而 MOS管却又是一个 ESD 静电极具敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。 究竟该如何解决 MOS管被ESD击穿的改善方法,想知道的,阅读完下文,你必有所得。 一、 MOS管 本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压 (U=Q/C),将管子损坏。 虽然 MOS管输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。 组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地。 二、 MOS管电路输入端的保护二极管,其通时电流容限一般为1mA,在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。因此应用时可选择一个内部有保护电阻的MOS管应。 还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件输入端,一般使用时,可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。 MOS管是电压驱动元件,对电压很敏感,悬空的G很容易接受外部干扰使MOS管导通,外部干扰信号对G-S结电容充电,这个微小的电荷可以储存很长时间。 在试验中 G悬空很危险,很多就因为这样爆管,G接个下拉电阻对地,旁路干扰信号就不会直通了,一般可以10~20K。 这个电阻称为栅极电阻,作用 1:为场效应管提供偏置电压;作用2:起到泻放电阻的作用(保护栅极G~源极S)。 第一个作用好理解,这里解释一下第二个作用的原理:保护栅极 G~源极S:场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压,如果不及时把这些少量的静电泻放掉,他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作,甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了保护场效应管的作用。 本文出自深圳市阿赛姆科技有限公司转载请说明出处及链接(http://www.asim-emc.com/)