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小编今天给大家带来一期合集！ 是关于电子元器件大全及其应用！ 1.电阻的作用、特性及分类详细介绍 （ 点击学习） 2.二极管的作用、特性及分类详细介绍（ 点击学习） 3.电感的作用、特性及分类详细介绍（ 点击学习） 4.电容的作用、特性及分类详细介绍（ 点击学习） 5.工程师必须知道的天线知识及天线图鉴（ 点击学习） 6.冷知识！0欧姆电阻的妙用（ 点击学习） 7.美标线规AWG与公制对照表（ 点击学习） 8.10分钟学会看MOSFET手册（ 点击学习） 9.超级电容，它为什么那么“超级”（ 点击学习） 10.高手说的“Y电容不能大于0.1uf”是为什么？Y电容如何选型（ 点击学习） 11.划重点——功率（PiN）二极管反向恢复机理（ 点击学习） 12.三极管作用，特性及原理--我见过最通俗易懂的讲法（ 点击学习） 13.超全汇总！常见的IC封装形式大全（ 点击学习） 14.从5个方面，详细讲述旁路电容器原理（ 点击学习） 15.漫画电感器＆抗干扰元器件产品及选型指南（ 点击学习） 16.漫画电容器产品及选型指南（ 点击学习） 17.晶振怎么选型，有哪些注意点？这里有详细说明（ 点击学习） 18.什么是LDO，选型时哪些参数最重要（ 点击学习） 19.划重点！什么是隔离变压器？原理和作用是什么（ 点击学习） 20.保险丝额定电流和熔断电流有什么不同（ 点击学习） 21.详解TVS二极管选型攻略，采购不迷路（ 点击学习） 22.经典图文，带你一文搞懂MOS管（ 点击学习） 23.不同“型号”的XH端子，能混用吗？后果可能很严重（ 点击学习） 24.你肯定没有算过！MOSFET开关损耗（ 点击学习） 25.90%的人都不知道！运算放大器没用到的管脚怎么处理（ 点击学习）

前言 之前学习模电的时候，想着应该买台示波器这样才好观察实验现象，但是又苦于没有资金，所以就在网上买了一台mini的示波器 看数据 采样率2.5MHZ，500KHZ带宽 ，这个数据也就只能看看大概的波形，别说什么细节了 大家是怎么看的呢，我觉得这个mini示波器只能看一下波形的变化，但是做项目的话，基本上是很难的。 今天拆解给大家分享一下，看一下做工和用到的芯片，看看值不值百元的价格 外观展示 波形测试（50hz方波） 对于这种最基本的波形，mini示波器开始可以显示的，而且和正常示波器测出来的也大差不差 拆解过程 （一）先拧开后壳四个螺丝，拿下后盖板和亚克力板 （二）然后可以看到屏幕模块和按钮，注意按钮上的按钮帽不要搞丢了 （三）屏幕模块可以单独拆解下来，通过3组排针连接 （四）电池通过排线接在主板上，可以拆卸。应该是方便后期更换 （五）主板看起来还是比较简洁明了的，布局也不错 PCB板&主要芯片 屏幕模块 屏幕主控采用一颗CH32F203RCT6，屏幕则是一块2.4寸的TFT屏幕，24针脚，屏幕驱动应该是ST7789 数据手册https://item.szlcsc.com/5744905.html CortexTM -M3 内核设计的工业级通用微控制器。 系列产品主频高达 144MHz，独立了 GPIO 电压（与系统供电分离）。资源同比增加了随机数单元、4 组 运放比较器、触摸检测，提高串口 USART/UART 数量到 8 组，电机定时器到 4 组。专用接口里：USB2.0 高速接口（480Mbps）内置了 PHY 收发器，以太网 MAC 达到千兆，并集成了 10M-PHY 模块等。搭配时 钟安全、电源管理、双组 DMA、ADC、DAC、SPI、I2C、DVP、SDIO、CAN、FSMC 等资源，可适用于多采 集、多通讯方向的综合类应用场景。 网上的2.4TFT屏幕大多是10引脚的，暂时没有找到24引脚的数据，找到一款20引脚的，应该引脚可以通用 对于CH32F203RCT6这款芯片来说，带这块屏幕还是绰绰有余的，但是网上的资料比较少，所以给大家分享一下类似的lcd代码 不得不说，这款产品的LCD设计真的好看，看来也是花费大量精力去研究ui的 # include "lcd.h" # include "stdlib.h" # include "font.h" # include "stdarg.h" # define LCD_CMD ((u32)0x6001FFFF) # define LCD_DATA ((u32)0x60020000) # define LCD_CLEAR_SEND_NUMBER 5760 u16 BACK_COLOR = BLACK, FORE_COLOR = WHITE; void lcd_write_cmd ( const u8 cmd) { *(__IO u8*)LCD_CMD=cmd; } void lcd_write_data ( const u8 data) { *(__IO u8*)LCD_DATA=data; } void lcd_write_half_word ( const u16 da) 8 ); *(__IO u8*)LCD_DATA=(u8)da; } u8 lcd_read_data ( void ) { vu8 ram; ram = *(__IO u8*)LCD_DATA; return ram; } u8 lcd_read_reg ( const u8 reg) { lcd_write_cmd (reg); delay_us ( 5 ); return lcd_read_data (); } void lcd_fsmc_init ( void ) { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure={ 0 }; FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure={ 0 }; FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming={ 0 }; FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef writeTiming={ 0 }; RCC_AHBPeriphClockCmd (RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE); RCC_APB2PeriphClockCmd (RCC_APB2Periph_GPIOB|RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_14; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init (GPIOB, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0|GPIO_Pin_1|GPIO_Pin_4|GPIO_Pin_5|GPIO_Pin_8|GPIO_Pin_9|GPIO_Pin_10|GPIO_Pin_14|GPIO_Pin_15; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init (GPIOD, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_7|GPIO_Pin_8|GPIO_Pin_9|GPIO_Pin_10|GPIO_Pin_11|GPIO_Pin_12|GPIO_Pin_13|GPIO_Pin_14|GPIO_Pin_15; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init (GPIOE, &GPIO_InitStructure); /* RS--D12 */ GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_12; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init (GPIOD, &GPIO_InitStructure); /* CS: PD11*/ GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_11; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init (GPIOD, &GPIO_InitStructure); GPIO_ResetBits (GPIOD,GPIO_Pin_11); readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x01 ; readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00 ; readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x0f ; readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00 ; readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00 ; readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00 ; readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; writeTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00 ; writeTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00 ; writeTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03 ; writeTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00 ; writeTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00 ; writeTiming.FSMC_DataLatency = 0x00 ; writeTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_8b; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Enable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = FSMC_NORSRAMInit (&FSMC_NORSRAMInitStructure); FSMC_NORSRAMCmd (FSMC_Bank1_NORSRAM1, ENABLE); } /******************************************************************************* * Function Name : TIM1_PWMOut_Init * Description : Initializes TIM1 PWM output. * Input : arr: the period value. * psc: the prescaler value. * ccp: the pulse value. * Return : None *******************************************************************************/ void TIM1_PWMOut_Init ( u16 arr, u16 psc, u16 ccp ) { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; TIM_OCInitTypeDef TIM_OCInitStructure; TIM_TimeBaseInitTypeDef TIM_TimeBaseInitStructure; RCC_APB2PeriphClockCmd ( RCC_APB2Periph_GPIOB | RCC_APB2Periph_TIM1, ENABLE ); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_14; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init ( GPIOB, &GPIO_InitStructure ); TIM_TimeBaseInitStructure.TIM_Period = arr; TIM_TimeBaseInitStructure.TIM_Prescaler = psc; TIM_TimeBaseInitStructure.TIM_ClockDivision = TIM_CKD_DIV1; TIM_TimeBaseInitStructure.TIM_CounterMode = TIM_CounterMode_Up; TIM_TimeBaseInit ( TIM1, &TIM_TimeBaseInitStructure); # if (PWM_MODE == PWM_MODE1) TIM_OCInitStructure.TIM_OCMode = TIM_OCMode_PWM1; # elif (PWM_MODE == PWM_MODE2) TIM_OCInitStructure.TIM_OCMode = TIM_OCMode_PWM2; # endif TIM_OCInitStructure.TIM_OutputState = TIM_OutputState_Enable; TIM_OCInitStructure.TIM_Pulse = ccp; TIM_OCInitStructure.TIM_OCPolarity = TIM_OCPolarity_High; TIM_OC1Init ( TIM1, &TIM_OCInitStructure ); TIM_CtrlPWMOutputs (TIM1, ENABLE ); TIM_OC1PreloadConfig ( TIM1, TIM_OCPreload_Disable ); TIM_ARRPreloadConfig ( TIM1, ENABLE ); TIM_Cmd ( TIM1, ENABLE ); } void lcd_gpio_init ( void ) { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; RCC_APB2PeriphClockCmd (RCC_APB2Periph_GPIOD, ENABLE); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_13; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init (GPIOD, &GPIO_InitStructure); GPIO_SetBits (GPIOD,GPIO_Pin_13); GPIO_ResetBits (GPIOD,GPIO_Pin_13); //wait at least 100ms for reset delay_ms ( 100 ); GPIO_SetBits (GPIOD,GPIO_Pin_13); // TIM1_PWMOut_Init( 1000, 48000-1, 50 ); } void lcd_init ( void ) { u16 id= 0 ; lcd_gpio_init (); lcd_fsmc_init (); lcd_write_cmd ( 0X04 ); id = lcd_read_data (); //dummy read id = lcd_read_data (); //读到0X85 id = lcd_read_data (); //读取0X85 id <<= 8 ; id |= lcd_read_data (); //读取0X52 printf ( "id = %x\r\n" ,id); delay_ms ( 50 ); /* Memory Data Access Control */ lcd_write_cmd ( 0x36 ); lcd_write_data ( 0x00 ); /* RGB 5-6-5-bit */ lcd_write_cmd ( 0x3A ); lcd_write_data ( 0x05 ); /* Porch Setting */ lcd_write_cmd ( 0xB2 ); lcd_write_data ( 0x0C ); lcd_write_data ( 0x0C ); lcd_write_data ( 0x00 ); lcd_write_data ( 0x33 ); lcd_write_data ( 0x33 ); /* Gate Control */ lcd_write_cmd ( 0xB7 ); lcd_write_data ( 0x00 ); /* VCOM Setting */ lcd_write_cmd ( 0xBB ); lcd_write_data ( 0x3F ); /* LCM Control */ lcd_write_cmd ( 0xC0 ); lcd_write_data ( 0x2C ); /* VDV and VRH Command Enable */ lcd_write_cmd ( 0xC2 ); lcd_write_data ( 0x01 ); /* VRH Set */ lcd_write_cmd ( 0xC3 ); lcd_write_data ( 0x0D ); /* VDV Set */ lcd_write_cmd ( 0xC4 ); lcd_write_data ( 0x20 ); /* Frame Rate Control in Normal Mode */ lcd_write_cmd ( 0xC6 ); lcd_write_data ( 0x03 ); //60Hz-0x0F 82Hz-0x07 99Hz-0x03 /* Power Control 1 */ lcd_write_cmd ( 0xD0 ); lcd_write_data ( 0xA4 ); lcd_write_data ( 0xA1 ); /* Positive Voltage Gamma Control */ lcd_write_cmd ( 0xE0 ); lcd_write_data ( 0xF0 ); lcd_write_data ( 0x03 ); lcd_write_data ( 0x09 ); lcd_write_data ( 0x03 ); lcd_write_data ( 0x03 ); lcd_write_data ( 0x10 ); lcd_write_data ( 0x2D ); lcd_write_data ( 0x43 ); lcd_write_data ( 0x3F ); lcd_write_data ( 0x33 ); lcd_write_data ( 0x0D ); lcd_write_data ( 0x0E ); lcd_write_data ( 0x29 ); lcd_write_data ( 0x32 ); /* Negative Voltage Gamma Control */ lcd_write_cmd ( 0xE1 ); lcd_write_data ( 0xF0 ); lcd_write_data ( 0x0C ); lcd_write_data ( 0x10 ); lcd_write_data ( 0x0E ); lcd_write_data ( 0x0E ); lcd_write_data ( 0x0A ); lcd_write_data ( 0x2D ); lcd_write_data ( 0x33 ); lcd_write_data ( 0x45 ); lcd_write_data ( 0x3A ); lcd_write_data ( 0x14 ); lcd_write_data ( 0x19 ); lcd_write_data ( 0x31 ); lcd_write_data ( 0x37 ); /* Display Inversion On */ lcd_write_cmd ( 0x21 ); /* Sleep Out */ lcd_write_cmd ( 0x11 ); /* wait for power stability */ delay_ms ( 100 ); lcd_clear (BLACK); /* display on */ GPIO_SetBits (GPIOB,GPIO_Pin_14); lcd_write_cmd ( 0x29 ); } /** * Set background color and foreground color * * @param back background color * @param fore fore color * * @return void */ void lcd_set_color (u16 back, u16 fore) { BACK_COLOR = back; FORE_COLOR = fore; } void lcd_display_on ( void ) { GPIO_SetBits (GPIOB,GPIO_Pin_14); } void lcd_display_off ( void ) { GPIO_ResetBits (GPIOB,GPIO_Pin_14); } /* lcd enter the minimum power consumption mode and backlight off. */ void lcd_enter_sleep ( void ) { GPIO_ResetBits (GPIOB,GPIO_Pin_14); delay_ms ( 5 ); lcd_write_cmd ( 0x10 ); } /* lcd turn off sleep mode and backlight on. */ void lcd_exit_sleep ( void ) { GPIO_SetBits (GPIOB,GPIO_Pin_14); delay_ms ( 5 ); lcd_write_cmd ( 0x11 ); delay_ms ( 120 ); } /** * Set drawing area * * @param x1 start of x position * @param y1 start of y position * @param x2 end of x position * @param y2 end of y position * * @return void */ void lcd_address_set (u16 x1, u16 y1, u16 x2, u16 y2) { lcd_write_cmd ( 0x2a ); lcd_write_data 8 ); lcd_write_data (x1); lcd_write_data 8 ); lcd_write_data (x2); lcd_write_cmd ( 0x2b ); lcd_write_data 8 ); lcd_write_data (y1); lcd_write_data 8 ); lcd_write_data (y2); lcd_write_cmd ( 0x2C ); } /** * clear the lcd. * * @param color Fill color * * @return void */ void lcd_clear (u16 color) { u16 i, j; u8 data = { 0 }; data = color >> 8 ; data = color; lcd_address_set ( 0 , 0 , LCD_W - 1 , LCD_H - 1 ); /* 5760 = 240*240/20 */ for (i = 0 ; i < LCD_W; i++) { for (j = 0 ; j < LCD_H; j++) { *(__IO u8*)LCD_DATA=data ; *(__IO u8*)LCD_DATA=data ; } } } /** * display a point on the lcd. * * @param x x position * @param y y position * * @return void */ 主控模块 示波器的原理，可以简单给大家说一下，但是这款产品用的什么方法，我也不清楚，给大家提供一个思路 一、信号输入与预处理 信号输入 ：被测电压信号首先进入数字示波器的采集前端。 预处理 ：在采集前端，信号会经过前置放大器和滤波器等元件进行处理。前置放大器用于调整信号的幅度，以满足后续处理的需要；滤波器则用于滤除不需要的频率成分，以改善信号的信噪比。 二、模拟到数字的转换（A/D转换） 模数转换器（ADC） ：经过预处理的模拟信号被送入模数转换器（ADC）。ADC的作用是将模拟信号转换为数字信号。这一转换过程包括采样和量化两个步骤，即将连续的模拟信号在时间上离散化，并在幅度上量化成一系列的数字值。 数字信号存储 ：转换后的数字信号被存储在数字示波器的内部存储器中，如FLASH或DDRAM等。这些存储器具有高速、大容量的特点，能够实时地保存大量的采样数据。 三、数据处理与显示 数据处理 ：存储在内部存储器中的数字信号可以通过软件编程进行各种分析和处理，如波形重构、频谱分析、噪声抑制等。这些处理功能使得数字示波器能够提供更丰富、更准确的测试信息。 波形显示 ：处理后的数字信号最终以波形、图表等形式显示在数字示波器的屏幕上。用户可以通过调整示波器的设置（如时基、垂直档位、偏移等）来观察和分析波形。 主控芯片 CH32F203CBT6 CortexTM -M3 内核设计的工业级通用微控制器。 系列产品主频高达 144MHz，独立了 GPIO 电压（与系统供电分离）。资源同比增加了随机数单元、4 组 运放比较器、触摸检测，提高串口 USART/UART 数量到 8 组，电机定时器到 4 组。专用接口里：USB2.0 高速接口（480Mbps）内置了 PHY 收发器，以太网 MAC 达到千兆，并集成了 10M-PHY 模块等。搭配时 钟安全、电源管理、双组 DMA、ADC、DAC、SPI、I2C、DVP、SDIO、CAN、FSMC 等资源，可适用于多采 集、多通讯方向的综合类应用场景。 充放电管理芯片 TP5400 TP5400 为一款移动电源专用的单节锂离子电池充电器和恒定 5V 升压控制器，充电 部分集高精度电压和充电电流调节器、预充、充电状态指示和充电截止等功能于一体， 可以输出最大 1A 充电电流。 电路设计也是和IP5306和TP4054一样简单 电荷泵电压反转器 ME7760C ME7660 是一 DC/DC 电荷泵电压反转器专用集成电路 芯片采用成熟的 AL 栅 CMOS工艺及优化的设计 芯片能将输入范围为+1.5V至+10V的电压转换成相应的-1.5V 至-10V 的输出 并且只需外接两只低损耗电容 无需电感 降低了损耗 面积及电磁干 扰 芯片的振荡器额定频率为 10KHZ 应用于低输入电流情况时 可于振荡器与地之间 外接一电容 从而以低于 10KHZ 的振荡频率正常工作 特点 1 转换逻辑电源+5V 为 5V 双相电压 2 输入工作电压范围广 1.5V 10V 3 电压转换精度高 99.9% 4 电源转换效率高 98% 5 低功耗 静态电流为 90 A(输入 5V 时) 6 外围元器件少 便于使用 只需两只外接电容 7 8-Pin DIP 和 8-Pin SOIC 小封装 8 符合 RS232 负电压标准 9 静电击穿电压高 可达 3KV 10 高电压工作时 无 Dx 二极管需求 用途我猜测是 （一）当电压发生反转时，示波器能够清晰地显示出这种反转现象，包括反转的起始点、持续时间以及反转后的电压幅值等关键参数。 （二）当电压信号发生反转时，示波器电压反转器（或类似功能）能够捕捉并显示这种变化 运算放大器 GS8094 在我的理解里 （一）运放可以增强微弱信号的幅度，使其更容易在示波器屏幕上显示和观测。 （二）对输入信号进行初步放大，以确保信号在后续处理过程中保持足够的幅度和信噪比。 （三）高质量的运算放大器通常具有极低的噪声水平，这有助于减少测量过程中的噪声干扰，提高测量精度。 输入失调电压(Vos) ： 8mV 电源抑制比(PSRR) ： 80dB 存储温度 ： -55~+150℃ 封装/外壳 ： SOP14_150MIL -3db带宽 ： 350MHz 通道数 ： 4 输入偏置电流 ： 1pA 压摆率 ： 232V/μs 增益带宽积（GBP） ： 195MHz 共模抑制比 - CMRR ： 80dB 输出类型 ： Rail-to-Rail 工作温度 ： -40℃~+125℃ 长x宽/尺寸 ： 8.63 x 3.90mm 高度 ： 1.75mm 引脚数 ： 14Pin 脚间距 ： 1.27mm 8通道模拟多路复用器 74hc4051D 宽工作温度范围:Topr =-40至125 ℃ 低功耗:Icc = 4.0 uA(最大值)(Vcc = 6.0 V，VEe = GND，Ta = 25 ℃) 低导通电阻:RoN = 50(典型值。) 在Vcc-VEE = 9 V时高线性度:THD = 0.02%(典型值。)Vcc -VBg=9 V时 复用器的作用应该是将信号汇总处理，提高精度 隔离电压 TLP785GB 用于隔离高电压的元器件，避免输入220V的电压导致击穿主控芯片 示例代码 由于网上CH32相关芯片的代码比较少，而且大家学习还是以stm32为主，所以我找了stm32的示例程序分享给大家看一下，大家一起学习 # define NPT 1024 //一次完整采集的采样点数 /****************************************************************** 函数名称:GetPowerMag() 函数功能:计算各次谐波幅值 参数说明: 备　　注:先将lBufOutArray分解成实部(X)和虚部(Y)，然后计算幅值(sqrt(X*X+Y*Y) *******************************************************************/ void GetPowerMag ( void ) { float X,Y,Mag,magmax; //实部，虚部，各频率幅值，最大幅值 u16 i; //调用自cr4_fft_1024_stm32 cr4_fft_1024_stm32 (fftout, fftin, NPT); //fftin为傅里叶输入序列数组，ffout为傅里叶输出序列数组 for (i= 1 ; i

【哔哥哔特导读】以“数智新能源，新生态提质”为主题的第五届电子峰会将于8月24号盛大开幕，快来提前看看这场电子盛宴都有哪些“硬核”亮点吧！ 今年两会上，政府工作报告特别强调了新质生产力的重要性。新质生产力背景下，随着新能源等技术的不断突破，电子元器件行业注入了许多强劲的发展动力，人工智能、新能源汽车、光储充正成为行业内焦点议题。 9月27号，由Big-Bit商务网主办的第五届中国电子热点解决方案创新峰会(华东站)将在苏州太湖万豪酒店隆重开幕。 本届峰会以“ 数智新能源，新生态提质 ”为主题，聚焦800V超充技术、智能网联汽车电子、光伏逆变器等新能源热门议题， 特设五大论坛探讨新能源前沿科技，特邀十余位新能源全产业链专家分析市场趋势，特请几十家国内外代表性展商展示科技创新成果 。 五大论坛 | 深入探讨新能源议题 为了更精准地追踪新能源市场动态、更深度垂直地剖析新能源市场趋势与需求，本次峰会专门针对不同的新能源议题，开设了五大论坛，每个论坛开展为期一天的研讨，与高校学者、行业专家深入讨论尖端科技议题，全面捕捉新能源行业最新资讯、前沿技术、市场趋势! 光伏储能逆变器论坛： 涵盖光伏逆变器、储能技术等话题 大功率数字电源论坛： 涵盖服务器电源、大功率照明电源、汽车电源、通信电源等研发与技术管理等内容 锂电BMS论坛： 涵盖锂电BMS的关键技术;锂电BMS未来的发展趋势和应用前景;新能源汽车电池管理系统(BMS)以及电池组的设计和优化等话题 智能网联汽车电子论坛： 涵盖智能互联网汽车感知与识别技术;通信与网络技术;导航与定位技术;车载娱乐与信息系统等 800V超充技术论坛： 涵盖800V超充技术案例分析和商业应用;充电设施进行升级和改造;800V超充技术在电动汽车充电领域的应用前景等 会上将围绕整机工程师最关心的新能源热门话题，从新能源产业趋势到技术动态，从新能源前沿学术研究到最新应用方案，全方位探讨新能源相关领域的热点议题和技术难题。 其中包括新能源汽车智能网联技术、商储解决方案、新能源汽车高压化发展、电力电子磁集成、全场景充换电解决方案等十几种新能源热门议题。 重磅嘉宾 | 获取新能源行业最新动态 本次峰会将特邀十六位来自顶尖高校的教授、头部元器件名企专家、整机工程师，邀约数十位半导体、磁元件、连接器等知名元器件厂商资深行业专家。重磅特邀嘉宾包括对电力电子行业有深度研究的杨玉岗教授、专研新能源汽车领域技术的张炳力教授、担任东风汽车研发总院室主任兼PTO的史来锋等整机技术专家以及行业资深大咖等，将分别从专业理论、实战经验等不同角度，呈现出极具深度和实用价值的专家报告与案例分享，深度聚焦新能源产业链无限创新可能。 ▲华东电子峰会演讲嘉宾 持续更新中 知名厂商 | 洞悉新能源行业最新技术 在这场元器件行业齐聚的盛会中，全球知名的半导体企业ADI将带来新能源汽车BMS领域成熟可靠的解决方案和产品;磁性元器件企业磁极或将带来今年推出的直流共模电感新方案。除此之外，凯通、科峰、东睦科达、泛瑞新材等材料领域的领头企业以及设备供应商致茂电子等众多知名元器件企业将推出最新的产品和研发成果。 ▲华东电子峰会演讲/展示企业 持续更新中 近几年，电子制造业呈现出蓬勃的发展态势，但同时也存在着许多难题亟需解决。Big-Bit商务网主办的第五届电子峰会为行业内搭建了技术对话平台，以期与各位行业同仁一并助力产业升级，推动电子行业朝着更加新质方向发展。 9月27号，华东电子峰会期待与您相约苏州太湖，不见不散！参与线下活动，还将有机会获得现场大奖，超多福利不容错过！ ▲电子峰会报名进入哔哥哔特商务网填写资料即可。 若您有任何方面的技术疑问，欢迎与知名工程师展开讨论。

在中国电子热点解决方案创新峰会(华东站)上，ADI将带来哪些分享? 在储能和电动汽车产品中，通常会使用大量电池进行能量存储，而电池管理系统(BMS)则负责对这些电池进行高精度和高可靠性的管理。因此，BMS在新能源领域至关重要，因为它确保电池在安全范围内运行，防止过充、过放和过热等危险情况，提高系统的安全性和可靠性。 同时，BMS通过精确平衡电池单元的电量，延长电池寿命，提高整体性能和能量利用率。此外，BMS还记录和分析电池运行数据，提供预防性维护和状态评估，帮助运营者及时发现并解决潜在问题，从而减少停机时间和维护成本。 在本届电子峰会华东站，主办方特别邀请了全球知名的半导体企业ADI参加。作为BMS领域的领导者，ADI通过其创新的无线电池管理系统(wBMS)和高精度测量技术，不仅提升了电池管理的效率和安全性，还推动了电动汽车和可再生能源储能系统的发展。其在BMS领域的优势具体表现在以下几个方面： · 精度和准确性 ：ADI的BMS解决方案能够提供高精度的电池单元测量，这是监控每个电池单元荷电状态(SoC)和健康状态(SoH)的关键。这种精度通过先进的技术实现，如埋入式齐纳转换参考，确保低漂移、低温度系数和低滞后，从而提供稳定可靠的长期测量。 · 主动和被动电池平衡 ：ADI提供主动和被动电池平衡技术，对于保持电池组的健康和效率至关重要。主动平衡在充电和放电周期中重新分配电荷，提高系统运行时间和充电效率。被动平衡则更简单且成本效益高，确保低容量电池不会过充，从而防止提前老化和容量损失。 · 强大的通信接口 ：ADI的BMS包括稳健的通信协议如isoSPI，能够在高压障碍之间安全可靠地传输数据，这对电动汽车和大型储能系统等高压应用至关重要。此功能确保整个电池系统的安全和高效运行。 · 无线BMS(wBMS) ：ADI开发了无线BMS解决方案，消除了复杂的线束需求，减轻了车辆重量并简化了制造过程。wBMS系统使用先进的无线通信技术，提供可靠的实时电池单元监控，提升了整体系统的安全性和性能。 · 在高要求应用中的高性能 ：ADI的BMS解决方案在高性能应用中表现出色，例如电动超跑。在这些应用中，最大能量提取和精确控制至关重要。例如，Rimac Automobili使用ADI的精密BMS集成电路，在其电动超跑中实现了卓越的性能、准确性和可靠性，展示了ADI解决方案在最苛刻环境中的能力。 目前，ADI在BMS领域有着诸多成熟可靠的解决方案和产品，覆盖了BMS的各个方面，包括Battery Monitor、Pack Monitor、Active Balancer、SPI Isolator等。在本届电子峰会上，来自ADI的应用工程师将重点介绍ADI电池管理系统(BMS)的解决方案及产品应用要点。 对BMS领域以及ADI在BMS领域的产品和解决方案感兴趣的工程师们千万不要错过此次峰会。此外，还有更多参会厂商正在持续更新中。敬请关注后续报道及官网信息。 8月24日，2024年(第五届)中国电子热点解决方案创新峰会(华东站)期待与您相见! 【报名进入哔哥哔特商务网填写资料即可】 接下来，我们将持续推出和更新电子峰会相关信息，欢迎大家关注公众号获取电子峰会的相关动态。 若您有任何方面的技术疑问，欢迎和知名工程师展开讨论～

【哔哥哔特导读】在数字化转型的浪潮中，博威合金以产品创新与大数据分析、云计算、AI等前沿技术为翼，为电子行业赋能，实现提质增效。在慕尼黑上海电子展上，我们探寻到了博威合金为行业带来的新趋势。 数字化带来连接器选材新模式 近年来，随着新能源汽车蓬勃发展，以及消费电子和通讯领域的更新换代，连接器行业前景显得尤为广阔，但伴随而来的，也是更为激烈的竞争。面对行业的“卷”，如何实现质量和效率的双重提升，成为众多企业共同探索的课题。 在深耕的领域，如何超越同行，实现更快的产品迭代与更新?在新兴领域，如何掌握关键技术，抢占市场先机?这些问题无不对企业的研发能力提出了更严苛的要求。幸运的是，在研发设计和材料选型的关键阶段，数字化前沿技术的引入为企业提供了强有力的支持。通过AI、云计算、大数据分析等工具辅助，提高效率，把更多的精力投入到加工、装配、磨合以及测试中，从而真正实现提质增效的目标。 最近，在慕尼黑上海电子展上，《国际线缆与连接》的记者来到博威合金展台，特别就数字化研发与前沿技术快速实现产品开发与迭代这一话题，与博威合金板带技术市场部亚太区总监张敏进行了深入对话。张敏强调了数字化在智能材料选型、一站式材料检测、定制化材料设计中的关键作用，还通过实际案例，向记者特别展示了智能材料选择这一创新应用的具体实施。 ▲博威合金板带技术市场部亚太区总监张敏（右） 张敏表示：“借助‘数据+算法+算力’，博威合金依托过去30年积累的1200多万条“研发-制造-应用”数据，成功打造的智能铜合金选材平台，运用云计算技术建立了大数据分析仿真模拟能力，涵盖市场洞察-需求转化-成分设计-工艺设计-应用研究等阶段，有效支撑了有色合金新材料研发全过程。在这个平台上，汇聚了带材、棒材、线材、精密细丝等百余种合金材料，行业覆盖面广、品种全，并实现了产品相关数据的标准化管理，通过机器学习建模，客户可以在线上，输入加工工艺、应用领域等关键信息，平台就能按照不同的需求进行精确查找与产品相匹配的材料，提高产品设计效率，快速迭代产品性能，提升客户的市场竞争力。此外，该平台还能根据用户设定的性能需求，生成物理性能、化学性能、力学性能等数据详尽的材料分析报告，助力客户做出更精准的材料选择。” ▲博威合金智能选材工具 这个选材平台的推出，不仅加深了连接器厂商对合金材料的理解，通过对比选择出了适合的材料，而且在合适场景下，甚至能够帮助厂商链接上下游资源，实现一站式解决方案，极大地缩短了研发周期，为实现提质增效提供有力支撑。这一新应用的落地，无疑为连接器行业的未来发展开辟了新的道路。 数字化转型：提升企业竞争力的可行路径 博威合金这一智能选材平台，只是博威数字化转型的结晶之一。 实际上，自2019年起，博威合金就全面推进数字化转型战略，通过数字化营销、数字化研发、数字化制造、数字化供应链等多方面的布局，构建了一个具备持续创新能力的自进化型的数字化组织。这一转型不仅实现了业务的高质量增长与智能运营，更为企业的长远发展奠定了坚实基础。 在谈及公司数字化转型成效时，张敏表示：“每一个领域的数字化转型都为公司带来了显著的提升。以数字化研发为例，过去研发一款新的合金材料，往往需要三年甚至五年以上的时间，而现在，博威已经能够将这一周期缩短到18个月以内。这为我们的技术迭代和新品开发带来了巨大的优势。” “依托大数据分析、云计算等技术实现的数字化转型，不仅缩短了产品的研发周期，更是助力博威更好地洞察市场需求，推出更贴近用户端需求的产品。”张敏表示。 “以博威合金自主研发的boway 70318、boway 19920、boway 42300等新品为例，这些产品都是我们在深入研究市场上热门需求后，精心打造的。这些产品的性能指标不仅在国内处于领先地位，与国际竞品相比也毫不逊色。例如，以boway 70138为例，该材料具有更高的屈服强度，可以做到980MPa甚至1000MPa以上，同时保持出色的加工性能，在屈服强度更高的基础上，RT比能做到0，导电率也接近50%IACS。” ▲boway 42300合金材料 ▲博威合金展位 从数字化前沿技术到铜合金新品的推出，博威合金在慕尼黑上海电子展上展示的不仅仅是几款产品的简单展示，更是一种新思路的启发与传递。在竞争日趋激烈的今天，企业只有不断加深对产业与客户需求的理解、充分运用数字化工具以及抓住数字化转型的契机，才能在市场上脱颖而出，给出更有竞争力的选择。 随着“新质生产力”的持续落地，我们期待能涌现更多像博威合金这样的优秀企业，共同推动电子行业的高质量发展。 本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载