标签: 晶振指标

  •标称频率             晶体元件规范所指定的频率。 •调整频差             基准温度时，工作频率相对于标称频率的最大允许偏离。常用ppm（1/106）表示。 •温度频差              在整个温度范围内工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离。常用ppm（1/106）表示。 •谐振电阻（Rr）              晶体元件在串联谐振频率Fr时的电阻值。 • 负载电容（CL）               与晶体元件一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容 •静态电容（C0）              等效电路静态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺。它的常用计算公式为：             C0=KC0×Ae×F0＋C常数                                                                     KC0——电容常数，其取值与装架形              式、晶片形状有关;      Ae——电极面积，单位mm2；      F0——标称频率，单位KHz；     C常数——常数，单位PF; •动态电容（C1）              等效电路中动态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积，另外还和晶片平行度、微调量的大小有关。它的常用公式为：                               C1=KC1×Ae×F0＋C常数      KC1——电容常数； •品质因数（Q）              品质因数又称机械Q值，它是反映谐振器性能好坏的重要参数，它与L1和C1有如下关系                             Q=wL1/Rr=1/wRrC1                       如上式，R1越大，Q值越低，功率耗散越大，而且还会导致频率不稳定。反之Q值越高，频率越稳定。