标签: 失效机理

FLIP CHIP焊点失效机理     FLIP CHIP 所谓倒装芯片字面意思为“将芯片翻转过来”，针对以往的引线接合结构（芯片面向上，用引线连接，其引线连接到引线框的结构称为Face-up结构），倒装芯片的结构则是将功能面  ，与基板直接用焊料凸点（solder bump）接合的结构。倒装芯片技术可大大缩小封装体积，在高密度和低成本上有一定的优势。     倒装芯片可靠性要求 倒装芯片组装品曝露的环境跨度很大，其中包含有：机械性冲击及振动、制造过程中受化学性／温度环境的影响、使用环境下的环境应力等。 由环境诱导的热膨胀和机械应力分散在所有的焊料接合处，而且焊料接合处的形状因工艺的差异、最终组装品强度的不同而成为决定性因素。     为提高倒装芯片组装品的可靠性，可在芯片底部填充树脂填料（under fill）。适当的底部填料可以分散因热膨胀系数不同引起的应力，其结果可以缓和互连部分应力，延长寿命。底部填料除了可用于更严酷的环境下，更适用于大型芯片，但是并不能说所有的组装品都需要。如果材料和生产工艺控制不当，采用底部填料有时也会诱发其它失效模式。     失效机理 影响软钎焊可靠性的主要失效机理是由于可诱发蠕变和疲劳等热-机械性工艺造成的损伤蓄积引起的。此外还有造成短路和开路的电子迁移、热迁移而产生故障。与热-机械性故障同时发生的电气故障则是由于存在产生化学反应或造成腐蚀的特定物质，存在加速迁移的金属离子等参与的结果。     热疲劳和蠕变的相互作用 焊料接合处在温度循环过程中会产生很大的剪切应力，剪切应力是由于裸芯片与衬底间热膨胀率不匹配而产生的，周期性温度变化引起焊料接合处周期性应力变化。从这种意义来讲，在焊料接合处产生了热疲劳。 蠕变是指材料在长时间的恒温、恒应力（即使应力小于该温度下的屈服强度）作用下缓慢产生塑性变形，这种变形最终会导致断裂。当约比温度大于0.4时最容易发生蠕变（约比温度＝T/Tm ，T：环境温度；Tm：焊料熔点，均为绝对温度）。器件的温度循环通常在0.4Tm～0.8Tm之间，当被施加载荷时，蠕变变形通过位错滑移、晶界滑动及空位扩散等方式进行。 器件在实际使用过程中热疲劳和蠕变同时发生相互作用，共同对产品可靠性产生影响。     剪切应力 剪切应力对焊料接合处影响是显著的。剪切应力和焊料接合处的形状密切相关，剪切应力与接合高度成反比。最理想的是瘦长形焊料柱将应力分散在焊料接合处内部，可延长疲劳寿命。矮胖形且有近似凹型under fill凸点合金（UBM）的接合，其寿命较短。     加速寿命试验 要对实际使用状态下的器件做寿命试验，则需要与设计寿命相当的时间。所以封装品要通过加速温度循环来试验，即扩大温度范围、缩短各自高低温的曝露时间。通过扩大温度范围，焊料接合处曝露于因不同材料间热膨胀率不匹配产生的剪切应力中。扩大温度范围，虽然焊料接合处蓄积的损伤会增加，但如果有充足时间焊料接合处应力就会缓和，如果温度上升/下降时间或曝露时间小于应力缓和所需的时间，那就是真正典型的加速试验了，也就是说试验中的应力累积不会使接合处的应力完全达到缓和状态。但是我们也要认识到大大超过实际使用温度的试验会产生多种在实际使用过程中不可能发生的失效模式。

5 金属化纸介电容失效机理 金属化纸介电容器的极板是真空蒸发在电容器纸表面的金属膜 A 、电参数恶化失效 “自愈”是金属化电容器的一个独特优点，但自愈过程颇为复杂，自愈虽能避免电容器立即因介质短路而击穿，但自愈部位肯定会出现金属微粒迁移与介质材料受热裂解的现象。电容器纸由纤维组成，纤维素是碳水化合物类的高分子物质。在高温下电容器纤维素解成游离状态的碳原子或碳离子，使自愈部位表面导电能力增加，导致电容器电阻下降、损耗增大与电容减小。严重时可使电容器因电参数恶化程度超过技术条件许可范围而失效。   金属化纸介电容器在低于额定工作电压的条件下工作时，自愈能量不足，电容器纸中存在的导电杂质在电场作用于下形成低阻通路，也可导致电容器绝缘电阻降低和损耗增大。   电容器纸是多孔性的极性有机介质材料，极易吸收潮气。电容器芯子虽浸渍处理，但如果工艺不当或浸渍不纯，或在电场作用下工作相当时间后产生浸渍老化现象，则电容器的绝缘电阻将因此降低，损耗也将因此增大。   电容量超差失效产金属化纸介电容器的一种失效形式。在高温条件下储存时金属化纸介电容器可能因电容量增加过多而失效，在高温条件下加电压工作时又可能因电容量减少过多而失效。高温储存时半密封型金属化纸介电容器免不了吸潮，水是强极性物质，其介电常数接近浸渍电容器介电常数的 20 倍。因此，少量潮气侵入电容器芯子，也会引起电容量显著增大。烘烤去湿后电容呈会有所下降。如果电容器在高温环境中工作，则水分和电场的共同作用会使金属膜电极产生电解性腐蚀，使极板有效面积减小与极板电阻增大，导致电容量大幅度下降。如果引线与金属膜层接触部位产生腐蚀，则接触电阻增大，电容器的有效电容量将更进一步减小。个别电容器的电容量可降到接近于开路的程度。   B 、引线断裂失效 金属化纸介电容器在高湿环境中工作时，电容器正端引线根部会遭到严重腐蚀，这种电解性腐蚀导致引线机械强度降低，严重时可造成引线断裂失效   6 铝电解电容器的失效机理 铝电解电容器正极是高纯铝，电介质是在金属表面形成的三氧化二铝膜，负极是黏稠状的电解液，工作时相当一个电解槽。铝电解电容器常见失效模式有：漏液、爆炸、开路、击穿、电参数恶化等，有关失效机理分析如下。   A 、漏液 铝电解电容器的工作电解液泄漏是一个严重问题。工作电解液略呈现酸性，漏出的工作电解液严重污染和腐蚀电容器周围的其他元器件和印刷电路板。同时电解电容器内部，由于漏液而使工作电解液逐渐干涸，丧失修补阳极氧化膜介质的能力，导致电容器击穿或电参数恶化而失效。   产生漏液的原因很多，主要是铝电解电容器密封不佳。采用铝负极箔夹在外壳边与封口板之间的封口结构时很容易在壳边渗漏电解液。采用橡胶塞密封的电容器，也可能因橡胶老化、龟裂而引起漏液。此外，机械密封工艺有问题的产品也容易漏液。总之，漏液与密封结构、密封材料与密封工艺有密切的关系。   尤其是水系电容，这种电容为了增大电解液的介电常数，水的比例很大。电解电容的介电材质对温度非常敏感，尤其是水系电解电容，這是因为水系电解电容的水系电解液会随著温度热胀冷缩，温度过高高甚至可能会挥发产生气体，导致电容内部压力过高，当压力超过临界点，外壳裂开电解液溢出。电容容量的公式如下： C = ε 0 · ε ·S/t Q: 电量 ( C ) V: 电压 (V ) C: 电容量 (F) S ：电极面积 t ：介质厚度 ε：相对介电常数 ε 0: 介质在真空状态下的介电常数   B 、爆炸 铝电解电容器在工作电压中交流成分过大，或氧化膜介质有较多缺陷，或存在氯根、硫酸根之类有害的阴离子，以致漏电流较大时电解作用产生气体的速率较快，大部分气体用于修补阳极氧化膜，少部分氧气储存在电容器壳内。工作时间愈长，漏电流愈大，壳内气体愈多，温度愈高。电容器金属壳内外的气压差值将随工作电压和工作时间的增加而增大。如果产品密封不佳，则将造成漏液；如果密封良好，又没有任何防爆措施，则气压增大到一定程度就会引起电容器爆炸。高压大容量电容器的漏电流较大，爆炸可能性更大。目前，已普遍采用防爆外壳结构，在金属外壳上部增加一道褶缝，气压高时将褶缝顶开，增大壳内容积，从而降低气压，减少爆炸危险。   C 、开路 铝电解电容器在高温或潮热环境中长期工作时可能出现开路失效，其原因在于阳极引出箔片遭受电化学腐蚀而断裂。对于高压大容量电容器，这种失效模式较多。此外，阳极引出箔片和阳极箔铆接后，未经充分平，则接触不良会使电容器出现间歇开路。   铝电解电容器内采用以 DMF （二甲基酰胺）为溶剂的工作电解液时， DMF 溶液是氧化剂，在高温下氧化能力更强。工作一段时间后可能因阳极引出箔片与焊片的铆接部位生成氧化膜而引起电容器开路。如果采用超声波焊接机把引出箔片与焊点在一起，可则减少这类失效现象。   D 、击穿 铝电解电容器击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂，导致电解液直接与阳极接触而造成的。氧化铝膜可能因各种材料，工艺或环境条件方面的原因而受到局部损伤。在外加电场的作用下工作电解液提供的氧离子可在损伤部位重新形成氧化膜，使阳极氧化膜得以填平修复。但是如果在损伤部位存在杂质离子或其他缺陷，使填平修复工作无法完善，则在阳极氧化膜上会留下微孔，甚至可能成为穿透孔，使铝电解电容器击穿。   此外，随着使用和储存时间的增长，电解液中溶剂逐渐消耗和挥发，使溶液酸值上升，在储存过程中对氧化膜层发生腐蚀作用。同时，由于电解液老化与干涸，在电场作用下已无法提供氧离子修补氧化膜，从而丧失了自愈作用，氧化膜一经损坏就会导致电容器击穿。工艺缺陷也是铝电解电容器击穿的一个主要原因。如果赋能过程中形成的阳极氧化膜不够致密与牢固，在后续的裁片、铆接工艺中又使氧化膜受到严重损伤。这种阳极氧化膜难以在最后的老炼工序中修补完善，以致电容器使用过程中，漏电流很大，局部自愈已挽救不了最终击穿的命运。又如铆接工艺不佳时，引出箔条上的毛剌严重剌伤氧化膜，刺伤部位漏电流很大，局部过热使电容器产生热击穿。   E 、电参数恶化 电容量下降与损耗增大 铝电解电容器的电容量在工作期间缓慢下降，这是由于负荷过程中工作电解液不断修补并增厚阳极氧化膜所致。铝电解电容器在使用后期，由于电解液耗损较多、溶液变稠，电阻率因黏度增大而上升，使工作电解质的等效串联电阻增大，导致电容器损耗明显增大。同时，黏度增大的电解液难于充分接触经腐蚀处理的凹凸不平铝箔表面上的氧化膜层，这样就使铝电解电容器的极板有效面积减小，引起电容量急剧下降。这也是电容器使用寿命临近结束的表现。   此外，如果工作电解液在低温下黏度增大过多，也会造成损耗增大与电容量急剧下降的后果。硼酸一乙二醇系统工作电解液的低温性能不佳，黏度过大导致等效串联电阻激增，使损耗变大和有效电容量骤减，从而引起铝电解电容器在严寒环境中使用时失效。   漏电流增加 漏电流增加往往导致铝电解电容器失效。赋能工艺水平低，所形成的氧化膜不够致密与牢固，开片工艺落后，氧化膜损伤与沾污严重，工作电解液配方不佳，原材料纯度不高，电解液的化学性质与电化学性质难以长期稳定，铝箔纯度不高，杂质含量多……这些因素均可能造成漏电流超差失效。   铝电解电容器中氯离子沾污严重，漏电流导致沾污部位氧化膜分解，造成穿孔，促使电流进一步增大。此外，铝箔的杂质含量较高，一般铁杂质颗粒的尺寸大于阳极氧化膜的厚度，使电流易于传导。铜与硅杂质的存在影响铝氧化物向晶态结构转变。铜和铝还可在电解质内组成微电池，使铝箔遭到腐蚀破坏。总之，铝箔中金属杂质的存在，会使铝电解电容器漏电流增大，从而缩短电容器的寿命。

电容器失效机理分析 1 潮湿对电参数恶化的影响 空气中湿度过高时，水膜凝聚在电容器外壳表面，可使电容器的表面绝缘电阻下降。此处，对于半密封结构电容器来说，水分还可渗透到电容器介质内部，使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温、高湿环境对电容器参数恶化的影响极为显著。经烘干去湿后电容器的电性能可获改善，但是水分子电解的后果是无法根除的。例如：电容器工作于高温条件下，水分子在电场作用下电解为氢离子（ H+ ）和氢氧根离子（ OH- ），引线根部产生电化学腐蚀。即使烘干去湿，也不可能让引线复原。   2 银离子迁移的后果 无机介质电容多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作时，渗入电容器内部的水分子产生电解。在阳极产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合生成氢氧化银。在阴极产生还原反应、氢氧化银与氢离子反应生成银和水。由于电极反应，阳极的银离子不断向阴极还原成不连续金属银粒，靠水膜连接成树状向阳极延伸。银离子迁移不仅发生在无机介质表面，银离子还能扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时可使两个银电极之间完全短路，导致电容器击穿。   银离子迁移可严重破坏正电极表面银层，引线焊点与电极表面银层之间，间隔着具有半导体性质的氧化银，使无机介质电容器的等效串联电阻增大，金属部分损耗增加，电容器的损耗角正切值显著上升。   由于正电极有效面积减小，电容器的电容量会因此而下降。表面绝缘电阻则因无机介质电容器两电极间介质表面上存在氧化银半导体而降低。银离子迁移严重时，两电极间搭起树枝状的银桥，使电容器的绝缘电阻大幅度下降。   综上所述，银离子迁移不仅会使非密封无机介质电容器电性能恶化，而且可能引起介质击穿场强下降，最后导致电容器击穿。   值得一提的是：银电极低频陶瓷独石电容器由于银离子迁移而引起失效的现象比其他类型的陶瓷介质电容器严重得多，原因在于这种电容器的一次烧成工艺与多层叠片结构。银电极与陶瓷介质一次烧结过程中，银参与了陶瓷介质表面的固相反应，渗入了瓷 - 银接触处形成界面层。如果陶瓷介质不够致密，水分渗入后，银离子迁移不仅可以在陶瓷介质表面发生，还可能穿透陶瓷介质层。多层叠片结构的缝隙较多，电极位置不易精确，介质表面的留边量小，叠片层两端涂覆外电极时银浆渗入缝隙，降低了介质表面的绝缘电阻，并使电极之间的路径缩短，银离子迁移时容易产生短路现象。   3 高湿度条件下陶瓷电容器击穿机理 半密封陶瓷电容器（如：贴片电容）在高湿度环境条件下工作时，发生击穿失效是比较普遍的严重问题。所发生的击穿现象大约可以分为介质击穿和表面极间飞弧击穿两类。介质击穿按发生时间的早晚又可分为早期击穿与老化击穿两种。早期击穿暴露了电容介质材料与生产工艺方面存在的缺陷，这些缺陷导致陶瓷介质电强度显著降低，以致于在高湿度环境中电场作用下，电容器在耐压试验过程中或工作初期，就产生电击穿。老化击穿大多属于电化学击穿范畴。由于陶瓷电容器银的迁移，陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。银迁移形成的导电树枝状物，使漏电流局部增大，可引起热击穿，使电容器断裂或烧毁。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介电容器中，因为击穿时局部发热厉害，较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。   此外，以二氧化钛为主的陶瓷介质中，负荷条件下还可能产生二氧化钛的还原反应，使钛离子由四价变为三价。陶瓷介质的老化显著降低了电容器的介电强度，可能引起电容器击穿。因此，这种陶瓷电容器的电解击穿现象比不含二氧化钛的陶瓷介质电容器更加严重。   银离子迁移使电容器极间边缘电场发生严重畸变，又因高湿度环境中陶瓷介质表面凝有水膜，使电容边缘表面电晕放电电压显著下降，工作条件下产生表面极间飞弧现象。严重时导致电容器表面极间飞弧击穿。表面击穿与电容结构、极间距离、负荷电压、保护层的疏水性与透湿性等因素有关。主要就是边缘表面极间飞弧击穿，原因是介质留边量较小，在潮湿环境中工作时银离子迁移和表面水膜形成使电容器边缘表面绝缘电阻显著下降，引起电晕放电，最终导致击穿。高湿度环境中尤其严重。由于银离子迁移的产生与发展需要一段时间，所以在耐压试验初期，失效模式以介质击穿为主，直到试验 500h 以后，主要失效模式才过渡为边缘表面极间飞弧击穿。   对于高湿度环境引起的失效，在实际应用时可以采用整板安装完器件以后喷涂三防漆。   4 高频精密电容器的低电平失效机理 云母是一种较理想的电容器介质材料，具有很高的绝缘性能，耐高温，介质损耗小，厚度可薄达 25 微米。云母电容器的主要优点是损耗小，频率稳定性好、分布电感小、绝缘电阻大，特别适合在高频通信电路中用做精密电容器。但是，云母资源有限，难于推广使用。近数十年内，有机薄膜电容器获得迅速发展，其中聚苯乙烯薄膜电容器具有损耗小、绝缘电阻大、稳定性好、介质强度高等优点。精密聚苯乙烯电容器可代替云母电容器用于高频电路。需要说明的是：应用于高频电路中的精密聚苯乙烯电容器，一般采用金属箔极板，以提高绝缘电阻与降低损耗。   电容器的低电平失效是 20 世纪 60 年代以来出现的新问题。低电平失效是指电容器在低电压工作条件下出现的电容器开路或容量下降超差等失效现象。 60 年代以来半导体器件广泛应用，半导体电路电压比电子管电路低得多，使电容器的实际工作电压在某些电路中仅为几毫伏，引起电容器低电平失效，具体表现是电容器完全丧失电容量或部分丧失电容量。对于低电平冲击，使电容器的电容量恢复正常。   产生低电平失效的原因主要在于电容器引出线与电容器极板接触不良，接触电阻增大，造成电容器完全开路或电容量幅度下降。   精密聚苯乙烯薄膜电容器一般采用铝箔作为极板，铜引出线与铝箔极板点焊在一起。铝箔在空气中极易氧化；极板表面生成一层氧化铝半导体薄膜，在低电平条件下氧化膜层上的电压不足以把它击穿，因而铝箔间形成的间隙电容量的串联等效容量，间隙电容量愈小，串联等效容量也愈小。因此，低电平容量取决于极板表面氧化铝层的厚薄，氧化铝层愈厚，低电平条件下电容器的电容量愈小。此外，电容器在交流电路中工作时，其有效电容量会因接触电阻过大而下降，接触电阻很大时有效电容量可减小到开路的程度。即使极板一引线间不存在导电不良的间隔层，也会产生这种后果。   引起精密聚苯乙烯电容器低电平失效的具体因素归纳如下： ①引线表面氧化或沾层太薄，以致焊接不牢； ②引线与铝箔点焊接不良，没有消除铝箔表面点焊处的氧化铝膜层； ③单引线结构的焊点数过少，使出现低电平失效的概率增大； ④粗引线根部打扁部分接触面积虽然较大，但点焊后焊点处应力也较大，热处理或温循过程中，可能损伤接触部位，恶化接触情况； ⑤潮气进入电容器芯子，氧化腐蚀焊点，使接触电阻增大。   引起云母电容器低电平失效的具体因素归纳如下： ①银电极和引出铜箔之间以及铜箔和引线卡之间存在一层很薄的地腊薄膜。低电平条件下，外加电压不足以击穿这层绝缘膜，产生间隙电容，并使接触电阻增大； ②银电极和铜箔受到有害气体侵蚀，使接触电阻增大。在潮湿的硫气环境中银和铜容易硫化，使极板与引线间的接触电阻上升。  

塑封器件机械开封的选择和优缺点 天通浙江精电科技有限公司   胡永往 摘   要 介绍如何使用机械方式开封塑封器件，并结合实际案例介绍机械开封后哪些信息有助于揭露真实的失效机理。 关键词 机械 失效机理   大部分民用半导体器件采用塑封方式封装，分析内部芯片时使用的开封方式包括机械开封和化学腐蚀开封两种方式。这里重点介绍机械开封。 机械开封需要使用的设备和工具包括：能加热到 400 度以上的陶瓷加热台、钳子、镊子。       机械开封步骤：器件在 400 度的加热平台上加热直到塑封软化或发烟，使用钳子去除塑封材料。塑封材料较容易从引脚表面和芯片表面脱离，因此使用钳子时，如钳子尽量靠近引脚表面能达到事半功倍的效果。去除过程中需控制好时间，加热时间过长时，芯片与金属衬底间的邦定材料熔化后，芯片与金属衬底脱离，芯片仍镶嵌在塑封材料内，这样再去除芯片周围的塑封材料会比较麻烦。 机械开封在分析中实例： 实例一、 某整流桥在老化试验过程中短路。器件供应商使用化学开封方式在芯片表面观察到击穿点，在击穿点周围存在裂纹，供应商得出的结论为 EOS 失效，并因失效时产生的热量导致芯片裂纹，要求器件使用方检查外围供电。但之后的数周内该失效一直出现。 针对该案例笔者改用机械开封的方式开封器件，除在芯片上观察到裂纹外，在塑封体上也观察到裂纹，并塑封体上的裂纹与芯片裂纹保持连贯性。由此证明外界机械应力是导致芯片裂纹的真实原因。研磨芯片后可观察到芯片裂纹处存在金属。       所以该案例正确的失效机理是：整流桥因外界机械应力导致芯片裂纹，在老化试验时发生极间金属电迁移导致短路。 实例二、 某集成电路引脚开路， X-RAY 检测内部金线断，金线断有可能是大电流烧断或者未打金线。笔者使用机械开封的方式开封器件观察到金线位置的塑封材料不存在空洞，即未有存在金线的痕迹。所以该器件的金线是在封装前已经丢失。     综上可知，机械开封的优点在于能保留塑封材料上的有用信息，并可操作性高，不使用强腐蚀性试剂，安全性高。但机械开封会拉断金线，甚至破坏芯片，因此如需对芯片进行分析时不适合使用机械开封的方式。