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    时间: 2019-12-25 10:38
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    N阱多晶硅栅CMOS集成电路版图设计规则《微电子学导论》补充材料N阱多晶硅栅CMOS集成电路版图设计规则M1N阱最小N阱宽度4λM1N阱最小N阱间距8λM2有源区最小有源区宽度4λM2有源区最小有源区间距4λM2有源区N阱对阱内有源区最小覆盖3λM2有源区N阱对阱外有源区最小间距6λM3多晶硅最小多晶硅栅宽度2λM3多晶硅最小多晶硅栅间距2λM3多晶硅多晶硅栅在场区的最小出头2λM3多晶硅多……