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  • 2025-5-9 16:34
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      基于STM32设计的SD卡数据读取与上位机显示系统   演示视频: 基于STM32设计的SD卡数据读取与上位机显示系统(SDIO接口驱动、雷龙SD卡)——资料下载见简介或私信_哔哩哔哩_bilibili   基于STM32设计的SD卡数据读取与上位机显示系统   简介:本研究的主要目的是基于STM32F103微控制器,设计一个能够读取SD卡数据并显示到上位机的系统。SD卡的数据扇区读取不仅是为了验证存储设备的性能,还为了提高嵌入式系统的数据处理与存储能力。通过SDIO接口实现与SD卡的高速通信,并将存储在SD卡上的数据通过串口传输至上位机,能够实现数据的显示与分析。SD卡采用的是雷龙的一款SD卡型号为CSNP4GCR01-DPW工业级SD卡(SD NAND-雷龙发展有限公司 (longsto.com))。   此外,本项目的实现将为嵌入式系统与大容量存储设备之间的通信提供参考,为未来在物联网、大数据采集、工业监测等领域的应用提供技术积累。   目录   1. 引言   1.1 研究背景   1.2 研究目的   1.3 研究内容概述   2. 系统概述   2.1 STM32微控制器简介   2.2 SD卡概述   2.3 SDIO接口简介   3. 硬件设计   3.1 STM32硬件设计   3.2 SD卡接口设计   4. 软件设计   4.1 SDIO接口详细设计   4.1.1 SD卡初始化   4.1.2 数据传输模式   4.2 软件设计流程   4.2.1 SD卡初始化代码实现   4.2.2 数据读取与写入代码实现   4.2.3 DMA模式下的读写操作   5. 系统实现   5.1 系统架构   5.2 硬件连接与调试   6. 实验与测试   6.1 实验方案设计   6.2 实验过程   6.2.1 SD卡初始化测试   6.2.2 SD卡读写速度测试   6.2.3 数据完整性测试   6.2.4 系统稳定性测试   6.2.5 电源管理测试   6.3 实验结果分析   7. 总结与展望   7.1 研究总结   7.2 存在问题与改进方向   7.3 未来工作展望   1. 引言   1.1 研究背景   随着嵌入式系统的发展,数据存储和数据传输在工业和日常应用中变得越来越重要。尤其在工业自动化、物联网(IoT)以及智能家居等领域中,系统不仅需要实时采集大量的传感器数据,还需要将数据进行高效的存储和传输,以便进行后续处理与分析。在这种背景下,采用性能稳定、成本较低的嵌入式微控制器和存储设备成为一个合理的选择。   在嵌入式系统中,SD卡凭借其大容量、高可靠性和可移除性,已经成为一种常见的存储设备。尤其是工业级SD卡(如CSNP4GCR01-DPW),由于其支持广泛的工作温度范围、抗震能力强,并具有内置纠错功能,成为在恶劣环境下数据存储的首选。而在嵌入式系统中,使用STM32微控制器与SD卡进行数据交互并通过SDIO(Secure Digital Input Output)接口进行高速数据传输,是一个具有广泛应用前景的解决方案。   本研究旨在设计一个基于STM32的系统,能够实现SD卡的数据读取,并通过上位机显示相关数据。通过对系统硬件设计、SDIO接口通信以及软件架构进行详细阐述,展示该系统的设计过程和关键技术。   1.2 研究目的   本研究的主要目的是基于STM32F103微控制器,设计一个能够读取SD卡数据并显示到上位机的系统。SD卡的数据读取不仅是为了验证存储设备的性能,还为了提高嵌入式系统的数据处理与存储能力。通过SDIO接口实现与SD卡的高速通信,并将存储在SD卡上的数据传输至上位机,能够实现数据的远程显示与分析。   此外,本项目的实现将为嵌入式系统与大容量存储设备之间的通信提供参考,为未来在物联网、大数据采集、工业监测等领域的应用提供技术积累。   1.3 研究内容概述   本文的研究内容包括硬件设计、软件开发、SD卡读写流程、以及数据在上位机的显示。具体而言,使用STM32F103微控制器通过SDIO接口与CSNP4GCR01-DPW工业级SD卡进行通信,实现SD卡的初始化、数据读取和数据存储。随后,将读取的数据传输至上位机进行显示和分析。为实现这一目标,本文将重点探讨以下几个技术要点:   STM32与SD卡的硬件接口设计;   SDIO接口的配置与通信协议实现;   SD卡的读写操作以及数据完整性校验;   上位机显示的实现。   通过上述研究,将展示嵌入式系统中如何实现高效、可靠的SD卡数据读取与显示功能。   2. 系统概述   2.1 STM32微控制器简介   STM32系列微控制器是STMicroelectronics公司推出的一种基于ARM Cortex-M核心的32位嵌入式处理器,广泛应用于工业控制、消费电子、物联网等领域。STM32F103系列属于STM32家族中的F1系列,具有高性能、低功耗的特点。它集成了丰富的外设接口,如I2C、SPI、USART、USB等,特别是支持SDIO接口,使其非常适合应用于需要与SD卡进行高速通信的场景中。   STM32F103的核心采用了Cortex-M3架构,能够在72MHz的主频下工作,并拥有64KB至128KB的片上闪存和20KB的SRAM,适合处理大量数据的传输与存储操作。在本项目中,选用STM32F103微控制器不仅因为其具备强大的外设支持,还因为其丰富的开发生态,使得开发者能够快速实现复杂的系统功能。   在硬件设计中,STM32F103通过SDIO接口与SD卡进行通信,该接口能够支持高达50MHz的时钟频率,数据传输速率最高可达25MB/s。通过使用该接口,系统能够实现对SD卡的高速读写操作,并在传输过程中保持数据的完整性。   2.2 SD卡概述   SD卡(Secure Digital Memory Card)是一种常见的闪存存储设备,广泛应用于数码相机、智能手机、嵌入式系统等各种需要数据存储的设备中。与传统的EEPROM和NOR闪存相比,SD卡具备更大的存储容量、更快的读写速度,并且价格相对较低,因此在嵌入式应用中被广泛使用。   CSNP4GCR01-DPW是一款工业级SD卡,具有4GB的存储容量,支持SD 2.0协议标准。它具有较强的纠错能力,即使在非正常断电的情况下,也能够保证数据的完整性。此外,CSNP4GCR01-DPW能够在-40℃至+85℃的工作环境中稳定运行,适合在恶劣环境中使用,如工业自动化设备或户外监控设备。   该SD卡支持标准的SDIO接口,默认时钟频率为25MHz,在高速模式下可以达到50MHz,从而使得数据传输速率能够达到25MB/s。在本项目中,选择CSNP4GCR01-DPW作为存储设备的原因是其良好的工业适用性、稳定性以及较高的数据传输效率。   2.3 SDIO接口简介   SDIO接口是SD卡标准中的一个扩展接口,它不仅支持存储卡的读写操作,还可以通过该接口扩展其他外设功能。SDIO接口的优点在于其传输速度较快,尤其在4位数据线模式下,能够显著提高数据传输效率。   在STM32F103中,SDIO控制器能够通过1位或4位数据线与SD卡进行通信,支持高速(50MHz)和标准(25MHz)模式。在系统设计中,SD卡的读写操作通过SDIO命令进行控制,如初始化命令CMD0、获取卡状态的命令CMD13、数据读写命令CMD17和CMD24等。   SDIO的初始化过程较为复杂,首先需要通过发送CMD0命令复位SD卡,随后通过发送ACMD41命令检测SD卡的电压范围和容量。在确认SD卡已经准备好后,系统会进入数据传输模式,通过CMD17命令进行单块数据的读取,或通过CMD24命令进行单块数据的写入。整个过程需要根据SD卡的响应进行实时的调整,以确保数据传输的正确性和稳定性。   3. 硬件设计   3.1 STM32硬件设计   在本项目中,STM32F103与SD卡通过SDIO接口连接,具体的硬件连接需要确保信号完整性和电源稳定性。在STM32的硬件设计中,以下几点是设计的关键:   SD卡与STM32的连接:   SD卡通过8个引脚与STM32相连,包括电源引脚(VCC、VSS)、命令引脚(CMD)、时钟引脚(SCLK)以及数据引脚(D0-D3)。在硬件设计中,必须保证SD卡的电源稳定,VCC电压通常为3.3V,VSS为地。在实际电路设计中,需要在VCC与地之间接入一个电容,以过滤电源噪声,确保SD卡能够在高速传输过程中保持稳定。   SDIO接口的电路设计:   SDIO接口的时钟频率较高,在高速模式下可以达到50MHz,因此对信号完整性有较高要求。在设计中,必须在命令线和数据线之间加入适当的电阻,以防止反射信号对数据传输的干扰。此外,PCB设计中需要尽量减少信号线的长度,确保信号传输的时延保持在合理范围内。   电源管理设计:   STM32F103在不同的工作模式下对电源有不同的要求。在设计中,需要确保电源能够提供足够的电流,以支持SD卡的高速读写操作。此外,为了降低系统功耗,STM32的休眠模式和低功耗模式也应被合理使用,在不需要进行数据传输时,可以关闭部分外设电源,进入低功耗模式。   3.2 SD卡接口设计   在SD卡接口设计中,主要需要解决的是SD卡与STM32之间的高速数据传输问题。通过SDIO接口,STM32能够与SD卡进行全双工通信,但这需要确保以下几个方面的设计合理:   信号时钟的设置:   SD卡的时钟频率决定了数据传输的速度。初始时,SD卡以400kHz的时钟频率启动,并在初始化完成后,系统将时钟频率提升至25MHz或50MHz。在电路设计中,时钟信号的完整性是决定数据传输速率和可靠性的关键。因此,必须采用适当的滤波器和阻抗匹配,以减少时钟信号的抖动。   数据传输模式的选择:   SD卡支持1位和4位两种数据传输模式。在1位模式下,数据通过一根数据线进行串行传输,而在4位模式下,数据并行传输,速度更快。在本项目中,采用4位模式进行数据传输,以提高系统的数据传输速率。   SD卡的初始化与检测:   SD卡的初始化过程需要遵循SD协议规范,系统首先通过发送CMD0命令复位SD卡,随后通过ACMD41命令检测SD卡的电压范围和存储容量。在初始化过程中,系统需要持续发送命令,直到SD卡准备好为止。   4. 软件设计   4.1 SDIO接口详细设计   在本系统中,使用了STM32F103微控制器的SDIO接口与CSNP4GCR01-AMW工业级SD卡进行通信。SDIO接口是一种用于SD卡数据传输的标准接口,它不仅支持存储卡的读写操作,还可以通过SDIO接口扩展其他外设功能。在本项目中,SDIO接口的使用涵盖了从SD卡的初始化、数据传输模式的切换、到数据的读取与写入的整个过程。   4.1.1 SD卡初始化   在系统启动时,首先需要对SD卡进行初始化操作,以确保后续数据读写过程的顺利进行。SD卡的初始化包括以下几个步骤:   发送CMD0命令复位SD卡:   系统启动后,首先通过发送CMD0命令,将SD卡置于初始状态。CMD0命令是所有SD卡操作的起点,它将SD卡置为待机状态,使其能够接收后续的命令。   发送ACMD41命令检测电压范围:   复位完成后,系统通过发送ACMD41命令来检测SD卡的电压范围。该命令用于让SD卡告知主控设备其支持的电压范围以及容量状态。在此过程中,系统需要不断发送ACMD41命令,直到SD卡的忙碌位被清除,表示SD卡已经准备好进入数据传输模式。   设置总线宽度:   完成初始化后,系统需要设置SD卡的总线宽度。在本系统中,使用了SD卡的4位模式,该模式下数据通过4条数据线进行并行传输,能够显著提高数据传输速率。总线宽度的设置通过发送CMD55命令来完成,该命令能够使SD卡进入“应用特定命令”模式,然后通过ACMD6命令设置总线宽度为4位(CSNP4GCR01-AMW (V1.3)工业级)。   设置时钟频率:   SDIO接口支持两种时钟模式:默认模式和高速模式。默认模式下的时钟频率为25MHz,高速模式下的时钟频率为50MHz。为了保证数据传输的稳定性,在SD卡初始化时,系统首先使用较低的时钟频率进行通信(通常为400kHz),然后在初始化完成后,将时钟频率提升至25MHz或50MHz。   4.1.2 数据传输模式   在完成SD卡的初始化之后,系统进入数据传输模式。在此模式下,STM32通过SDIO接口与SD卡进行数据的读写操作,使用不同的命令控制数据的传输方向与模式。   读取数据:   在数据传输模式下,使用CMD17命令读取SD卡中的单个数据块。CMD17命令的作用是读取SD卡中指定扇区的数据,并将其传输到主控设备。具体操作过程如下:   系统首先向SD卡发送CMD17命令,并指定要读取的扇区地址。   SD卡接收到命令后,会将相应的数据块传输到SDIO接口,通过数据线发送至STM32的内部存储器。   系统通过检查CRC校验码来判断数据是否传输正确。如果CRC校验失败,系统将重新发送CMD17命令进行读取,直到数据正确为止。   写入数据:   类似于数据读取操作,数据写入操作则使用CMD24命令进行。CMD24命令用于将主控设备中的数据写入SD卡的指定扇区。具体操作步骤为:   系统通过CMD24命令指定写入的扇区地址和要写入的数据块。   SD卡接收到数据后,会执行写操作,并将数据存储在指定的扇区中。   在写操作完成后,系统需要进行CRC校验,以确保数据写入的完整性。如果CRC校验失败,系统将重新尝试写操作。   DMA模式:   为了提高数据传输的效率,本项目中还采用了DMA(Direct Memory Access)模式。通过使用DMA,系统可以在后台自动完成大块数据的传输,而无需占用CPU的资源。DMA模式能够极大地提升系统的数据处理能力,特别是在进行大规模数据读写时,能够显著降低系统的响应时间。   4.2 软件设计流程   在本系统的软件设计中,使用了STM32 HAL库来简化硬件控制的复杂度。HAL库提供了与硬件外设的高级接口,使开发者可以通过API调用来完成复杂的硬件控制。在本项目中,SD卡的初始化、读写操作以及数据存储的实现,均通过HAL库中的SDIO和DMA接口来完成。   4.2.1 SD卡初始化代码实现   以下是SD卡初始化的主要代码: HAL_SD_CardStateTypedef SDCard_Init(void) { HAL_SD_CardInfoTypedef SDCardInfo; // 初始化SD卡 if(HAL_SD_Init(SDCardInfo) != HAL_OK) { // 初始化失败,返回错误状态 return HAL_SD_ERROR; } // 配置SDIO总线宽度为4位模式 if(HAL_SD_ConfigWideBusOperation(SDCardInfo, SDIO_BUS_WIDE_4B) != HAL_OK) { // 总线配置失败 return HAL_SD_ERROR; } // 配置时钟频率为高速模式 HAL_SD_SetClockFreq(SDCardInfo, SDIO_CLOCK_HIGH_SPEED); return HAL_SD_OK; }   在该代码中,HAL_SD_Init函数用于完成SD卡的初始化操作,包括电压检测、CMD命令发送等。HAL_SD_ConfigWideBusOperation函数则用于配置总线宽度,确保系统能够在4位模式下进行数据传输。最后,HAL_SD_SetClockFreq函数用于设置SD卡的时钟频率至高速模式。   4.2.2 数据读取与写入代码实现   对于数据读取与写入操作,系统分别使用了HAL_SD_ReadBlocks和HAL_SD_WriteBlocks函数来实现单个数据块的读写操作。   以下是数据读取的主要代码: HAL_StatusTypeDef SDCard_Read(uint32_t *pData, uint32_t BlockAddr, uint32_t NumOfBlocks) { HAL_SD_CardStateTypedef cardState; // 读取数据块 cardState = HAL_SD_ReadBlocks(hSD, pData, BlockAddr, NumOfBlocks, HAL_MAX_DELAY); if(cardState != HAL_SD_OK) { // 读取失败,返回错误状态 return HAL_ERROR; } // 校验数据完整性 if(HAL_SD_CheckReadOperation(hSD, HAL_MAX_DELAY) != HAL_SD_OK) { return HAL_ERROR; } return HAL_OK; }   此函数中,HAL_SD_ReadBlocks用于从SD卡的指定扇区读取数据,并存储到pData指针指定的内存区域。读取完成后,HAL_SD_CheckReadOperation函数用于检查读取操作是否成功。如果读取过程中发生错误,系统将返回错误状态。   类似地,写入数据的代码如下: HAL_StatusTypeDef SDCard_Write(uint32_t *pData, uint32_t BlockAddr, uint32_t NumOfBlocks) { HAL_SD_CardStateTypedef cardState; // 写入数据块 cardState = HAL_SD_WriteBlocks(hSD, pData, BlockAddr, NumOfBlocks, HAL_MAX_DELAY); if(cardState != HAL_SD_OK) { // 写入失败,返回错误状态 return HAL_ERROR; } // 校验写入操作是否成功 if(HAL_SD_CheckWriteOperation(hSD, HAL_MAX_DELAY) != HAL_SD_OK) { return HAL_ERROR; } return HAL_OK; }   该函数通过HAL_SD_WriteBlocks将数据写入SD卡的指定扇区,并通过HAL_SD_CheckWriteOperation校验写入操作是否成功完成。   4.2.3 DMA模式下的读写操作   在数据传输量较大的情况下,使用DMA模式能够显著提升数据传输效率。DMA模式下,数据传输可以在后台进行,CPU资源得以解放,系统响应时间也大幅缩短。   以下是DMA模式下的读写操作代码: HAL_StatusTypeDef SDCard_DMA_Read(uint32_t *pData, uint32_t BlockAddr, uint32_t NumOfBlocks) { HAL_StatusTypeDef status; // 使用DMA进行数据读取 status = HAL_SD_ReadBlocks_DMA(hSD, pData, BlockAddr, NumOfBlocks); if(status != HAL_OK) { // DMA读取失败 return HAL_ERROR; } // 等待读取操作完成 HAL_SD_DMA_ReadCompleteCallback(hSD); return HAL_OK; }   此函数使用HAL_SD_ReadBlocks_DMA启动DMA数据读取操作,并通过回调函数HAL_SD_DMA_ReadCompleteCallback确认数据读取完成。类似的,DMA模式下的数据写入操作也可以通过类似的方法实现。   5. 系统实现   5.1 系统架构   本系统的整体架构包括STM32F103微控制器、CSNP4GCR01-DPW SD卡以及数据传输模块。STM32F103通过SDIO接口与SD卡进行通信,并使用DMA模式提升数据传输效率。系统的主要功能模块包括SD卡的初始化、数据读取与写入、错误检测与纠正、以及数据的缓存和传输。每个模块相对独立,但通过HAL库实现紧密配合。   在具体的实现中,系统在启动后首先完成SD卡的初始化,随后进入数据传输模式,系统能够通过上位机指令或外部触发器,读取或写入SD卡中的数据。系统架构中的关键模块包括以下几个部分:   SD卡控制模块:通过SDIO接口实现SD卡的初始化、读写操作。   DMA传输模块:用于在大规模数据传输时提高传输效率。   存储管理模块:负责管理数据的存储位置、读取扇区以及写入扇区的记录。   数据校验模块:用于确保数据在传输过程中的完整性,特别是在写入过程中进行CRC校验。   5.2 硬件连接与调试   在硬件实现过程中,SD卡通过SDIO接口与STM32F103相连,并通过适当的电源管理和信号调节,确保系统在高速模式下能够稳定工作。调试过程中需要关注以下几个关键问题:   信号完整性:由于SD卡的数据传输速率较高,因此在电路设计中需要确保信号的完整性,避免传输过程中产生干扰或信号丢失。   电源管理:SD卡在高速模式下的功耗较大,系统需要为其提供足够稳定的电源。此外,在非传输时段,系统可将SD卡置于低功耗模式,以节省能源。   6. 实验与测试   为了验证设计的系统在实际应用中的性能,本节将详细介绍实验的方案设计、具体实施过程以及实验结果分析。主要测试内容包括SD卡数据的读写速度、数据完整性、系统稳定性和电源管理性能等。通过一系列的实验,进一步验证了该系统在不同工作模式下的表现。   6.1 实验方案设计   实验的主要目标是验证系统在使用SD卡进行数据读写时的性能和稳定性,以及不同模式下的传输效率。为了达成这一目标,实验方案包括以下几个主要部分:   SD卡初始化测试:通过测试系统对SD卡的初始化速度,确保SD卡能够在系统启动后正确识别和初始化。   SD卡读写速度测试:在不同的数据块大小和总线宽度下,测试SD卡的读写速度,评估系统的传输性能。   数据完整性测试:在数据传输过程中,通过CRC校验确保数据传输的准确性,并验证在高负载下是否存在数据丢失或传输错误的情况。   系统稳定性测试:在长时间、大规模数据传输过程中,测试系统的稳定性,评估是否存在因长时间工作或温度波动导致的系统故障。   电源管理测试:评估系统在不同功耗模式下的表现,尤其是在空闲状态下的低功耗模式是否有效降低了功耗。   6.2 实验过程   实验过程分为多个步骤,以下是详细的操作流程和测试步骤说明。   6.2.1 SD卡初始化测试   在系统启动后,首先需要对SD卡进行初始化。该过程包括发送命令CMD0、ACMD41等,完成SD卡的电压检测、容量识别以及总线宽度的设置。在实验中,我们通过测量SD卡的初始化时间,评估系统在不同工作模式下的初始化速度。   具体的实验步骤如下:   系统上电,STM32启动并执行初始化程序。   启动定时器,开始计时。   系统向SD卡发送初始化命令(CMD0、ACMD41等)。   初始化完成后,停止计时,记录总时间。   通过多次重复实验,可以得出系统在不同环境条件下的SD卡初始化时间。   6.2.2 SD卡读写速度测试   为了测试系统的读写速度,我们分别在1位模式和4位模式下测试SD卡的读写性能。在每种模式下,使用不同的数据块大小进行测试,从512字节到4MB不等,以评估系统在不同数据传输负载下的性能表现。   具体步骤如下:   系统初始化完成后,启动定时器。   使用CMD17命令读取指定扇区的数据,并记录传输的起始和结束时间。   同理,使用CMD24命令写入指定扇区的数据,记录传输时间。   将实验数据记录在表格中,并计算出平均读写速率。   测试不同模式下的传输速率,并对比1位和4位模式下的性能差异。实验数据如下:   从实验数据中可以看出,4位模式下的读写速度明显优于1位模式,特别是在大数据块传输时,4位模式能够显著提升数据传输效率。   6.2.3 数据完整性测试   为了验证数据传输过程中的完整性,实验中加入了CRC校验机制。在每次数据传输完成后,系统将生成的CRC校验值与接收到的数据进行比对,以确保传输的正确性。如果校验失败,系统会重新进行数据传输。   实验步骤如下:   系统在数据传输前,计算待传输数据的CRC值。   数据传输完成后,计算接收到数据的CRC值,并与传输前的值进行对比。   记录校验成功与失败的次数。   通过多次数据传输实验,实验结果表明,系统在不同的数据块大小下,传输的CRC校验均成功,没有发生数据丢失或错误传输的情况。这表明,系统的SDIO接口在高速模式下能够保持数据传输的稳定性与准确性。   6.2.4 系统稳定性测试   为了验证系统在长时间运行下的稳定性,我们进行了长时间的数据读写测试。在该实验中,系统每隔10秒读取一次SD卡中的数据,并将数据传输至上位机。实验持续时间为24小时,期间记录系统的工作状态。   实验过程中,我们每隔1小时记录系统的状态,包括是否出现异常情况(如系统崩溃、数据丢失等)。实验结果显示,系统在长时间连续工作的条件下,没有出现任何异常情况,表明该系统具有良好的稳定性,适合在工业场景中使用。   6.2.5 电源管理测试   在实验的最后阶段,我们测试了系统在不同功耗模式下的表现,特别是在SD卡空闲时系统的功耗。在STM32的低功耗模式下,系统将关闭SDIO外设的时钟,进入休眠状态,以降低功耗。   具体实验步骤如下:   系统初始化并进入低功耗模式。   使用电源测试仪记录系统在空闲状态下的电流消耗。   系统进行一次数据传输操作,随后再次进入低功耗模式,记录电流消耗的变化。   实验结果表明,系统在低功耗模式下,电流消耗显著降低,空闲状态下的电流仅为正常工作时的20%。这表明系统的电源管理设计有效,适合长时间运行的嵌入式应用。   6.3 实验结果分析   通过以上的实验可以看出,该系统在SD卡数据传输方面具有较高的性能和稳定性。以下是实验结果的总结与分析:   SD卡的初始化速度:系统在不同模式下能够快速完成SD卡的初始化,实验表明高速模式下的初始化速度相较于普通模式更为快速,适合需要频繁进行数据操作的应用场景。   读写速度分析:在4位模式下,SD卡的数据读写速度显著提升,特别是在大数据块传输时,能够达到每秒30MB以上的传输速率。这表明SDIO接口在并行数据传输模式下的高效性。   数据完整性与稳定性:实验中通过CRC校验确保了数据传输的正确性,系统能够在高负载下保持稳定运行,未出现数据丢失或传输错误的情况。长时间测试表明系统具备良好的稳定性,适合应用于工业级环境中。   低功耗表现:系统在低功耗模式下的电流消耗显著降低,尤其是在SD卡空闲时,能够有效降低系统功耗,延长系统的工作时间。   通过这些实验结果,我们可以得出结论,该系统不仅能够高效地实现SD卡数据的读写操作,同时还具备良好的数据完整性和系统稳定性,适用于需要长时间运行的嵌入式系统应用中。   7. 总结与展望   7.1 研究总结   本文基于STM32F103微控制器和CSNP4GCR01-AMW工业级SD卡,设计了一个能够实现SD卡数据读写与传输的嵌入式系统。通过实验验证,系统具备以下优点:   高效的数据传输:在SDIO接口的4位模式下,系统能够实现高达每秒30MB的读写速度,满足了大多数嵌入式数据存储的需求。   稳定的系统性能:系统在长时间、大规模数据传输中的表现稳定,适合在工业环境中进行大数据量的实时存储与处理。   低功耗设计:系统能够通过电源管理模块有效降低功耗,特别是在SD卡处于空闲状态时,功耗显著降低,为低功耗嵌入式应用提供了理想的解决方案。   通过本项目的实现,我们验证了STM32与SD卡之间通过SDIO接口进行高速通信的可行性,并为未来的工业级嵌入式系统开发提供了参考。   7.2 存在问题与改进方向   尽管系统在实验中表现出色,但仍有一些问题和改进空间:   系统扩展性有限:当前系统仅支持SD卡的基本读写操作,未来可以进一步扩展为支持更多种类的存储设备,如eMMC或UFS存储器。   数据安全性:虽然实验中验证了数据的完整性,但在实际应用中,还可以加入更多的数据安全措施,如数据加密、双重校验机制等,以确保数据传输的安全性和可靠性。   传输速率的优化:虽然当前系统已经实现了较高的数据传输速率,但在未来,随着SD卡技术的发展,仍有进一步提升速率的空间,可以探索SD卡最新协议和技术的应用。   7.3 未来工作展望   在未来的工作中,系统可以继续扩展和优化,包括:   支持更多类型的存储设备:未来的研究可以探索与其他类型存储设备的接口通信,实现更加灵活的嵌入式存储解决方案。   优化功耗管理:针对更低功耗的应用场景,可以进一步优化系统的功耗管理策略,实现更加智能的电源控制和节能设计。   多任务并行处理:通过多任务操作系统(如FreeRTOS)实现对多个存储设备的并行处理和数据管理,提高系统的整体处理能力。   总之,本研究为嵌入式系统中SD卡数据存储与读取提供了一个高效的解决方案,未来可继续在工业自动化、物联网等领域中得到更广泛的应用与发展。 深圳市雷龙发展 专注存储行业13年,专业提供小容量存储解决方案。
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    2024-1-11 17:24
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    stm32 CubeMx 实现SD卡/sd nand FATFS读写测试。   材料:stm32F407ZGT6开发板、雷龙公司的SD_NAND 测试板(CSNP1GCR01-AOW)。(一开始是使用 Nandflash的操作起来不太方便而且 stm32cubemx自带的 fatfs还没有磨损平衡算法,很是难受。)   CSNP1GCR01-AOW的优势:   不用写驱动程序自带坏块管理的NAND Flash(贴片式TF卡),尺寸小巧,简单易用,兼容性强,稳定可靠,固件可定制,LGA-8封装,标准SDIO接口,兼容SPI/SD接口,兼容各大MCU平台,可替代普通TF卡/SD卡,尺寸6x8mm毫米,内置SLC晶圆擦写寿命10万次,通过1万次随机掉电测试耐高低温,支持工业级温度-40°~+85°,机贴手贴都非常方便,速度级别Class10(读取速度23.5MB/S写入速度12.3MB/S)标准的SD 2.0协议使得用户可以直接移植标准驱动代码,省去了驱动代码编程环节。支持TF卡启动的SOC都可以用SD NAND,提供STM32参考例程及原厂技术支持,主流容量:128MB/512MB/4GB/8GB,比TF卡稳定,比eMMC便宜,样品免费试用(可到官网找客服小姐姐领取样品哦)。雷龙官网   话不多说开始正文:   stm32cubeMX 版本:6.6.1   MDK5 版本5.35   开始配置STM32   1、 配置时钟:   系统时钟树配置(我这里直接拉满,实际使用根据功耗要求作相应的调整)   2、 配置调试接口   注意DEBUG这个一定要配置,如果是默认的那下载一次程序之后第二次就下载不进去了.   3、配置SDIO:   (我这里还是用了DMA 减少mcu的资源开销)   配置完成之后随便选一个IO口作为SD_NAND的插入检测引脚(没有检测脚的也选上不然在生成代码的时候会有警告,看着很不舒服,我这里选的是 PE4 引脚)   4、配置SDIO的DMA   5、添加文件系统  6、配置堆栈大小(稍微调大一点,不然在读写大一点的数据的时候可能会出错)   7、生成代码   8、生成代码后在 bsp_driver_sd.c这个文件中将这三行代码注释(这是检测SD卡是否接入的引脚 如果不注释在挂载sdnand的时候会提示 not_ready)   9、在main.c中 添加测试代码 */ /* USER CODE END Header */ /* Includes ------------------------------------------------------------------*/ #include "main.h" #include "dma.h" #include "fatfs.h" #include "sdio.h" #include "gpio.h" /* Private includes ----------------------------------------------------------*/ /* USER CODE BEGIN Includes */ /* USER CODE END Includes */ /* Private typedef -----------------------------------------------------------*/ /* USER CODE BEGIN PTD */ FATFS fs; /* FatFs 文件系统对象 */ FIL file; /* 文件对象 */ FRESULT f_res; /* 文件操作结果 */ UINT fnum; /* 文件成功读写数量 */ BYTE ReadBuffer = {0}; /* 读缓冲区 */ BYTE WriteBuffer */ void* work, /* Pointer to working buffer */ UINT len /* Size of working buffer */ )  f_mkfs 这个函数有五个参数,老版本的只有三个参数   所以在格式化的时候得这么来操作 f_res = f_mkfs("0:/",FM_FAT|FM_SFD,0,&ReadBuffer,sizeof(ReadBuffer));
  • 2023-10-13 16:55
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    前言 嵌入式项目中,比较常见的存储扩展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各种方案都有其优缺点,而SD NAND相对于上述方案具备很多优势,是目前嵌入式项目中存储扩展方案的一个非常不错的选择,正好一个项目在选择NAND存储方案, 恰巧论坛中联系到雷龙公司申请到了两片SD NAND,所以就进行一下测试评估。 SD NAND是什么? 为什么选择SD NAND? 其与TF/SD卡,EMMC,RAW NAND比有什么优势, 我们可以从深圳市雷龙发展有限公司的官网找到答案http://www.longsto.com/news/。 该公司SD NAND 二代产品介绍可以参考如下地址http://longsto.com/product/list-39.html,有1Gb,4Gb,32Gb,64Gb的容量可选,我这里申请到的是两片32Gb的芯片和测试板. 焊接后如下: 测试过程 申请样品时官方提供了野火版的STM32测试程序,但是手里只有精英STM32F103开发板 V2开发板, 稍微改以下即可使用。 使用工程SDIO模式SD测试例程\\SDIO-HAL库代码\\36-SDIO—SD卡读写测试\\Project\\Fire_F103VE.uvprojx 修改下芯片型号 修改下编译器,我这里使用的是新版本的MDK所以是AC6 选择下对应的仿真器 User\\key\\bsp_key.h中修改下按键,按照开发板原理图改为PE3 #define KEY1_PIN GPIO_PIN_3 #define KEY1_GPIO_PORT GPIOE #define KEY1_GPIO_CLK_ENABLE __HAL_RCC_GPIOE_CLK_ENABLE 由于AC6只能使用UTF-8编码,而原来的文件使用GB2312编码,所以需要修改下main.c的编码,用VSCODE打开main.c Save with Encodeing选择UTF8,这样就改为UTF-8格式了。 编译下载按Key1按键, 串口打印测试结果如下 实际上CS SD NAND是完全兼容SD/TF卡的,所以直接使用精英STM32F103开发板 V2开发板的SD卡测试程序也是可以的 使用工程 【正点原子】精英STM32F103开发板 V2-资料盘(A盘)\\4,程序源码\\2,标准例程-HAL库版本.zip\\2,标准例程-HAL库版本\\实验34 SD卡实验 编译下载运行,可以看到串口打印如下 以上测试可以看出,用SD卡的程序完全可以不做任何修改应用于CS SD NAND, 软件可以无缝切换。 总结: CS创世SD NAND相对于TF卡的优势 焊接在PCB稳定,LGA-8封装容易焊接 尺寸小 结构更容易做到防水 内置SLC 擦写寿命长 一致性好 SD NAND与eMMC比具备以下优劣 尺寸小 方便焊接 容量可选多,适合实际应用 PIN脚少 功耗低 擦写寿命长 性能稳定 使用SLC/MLC CS创世 SD NAND相对于Raw NAND具有以下优势 免驱动使用 性能更稳定。 尺寸更小。 SD NAND可选容量更多 SD NAND的读写速度更快 在使用上程序完全兼容TF/SD卡,原来的程序无需任何修改即可使用,无缝切换. 而SD NAND又相对于其他方案具备上述诸多优势,所以是一个非常不错的选择. 综上,还在使用TF卡吗,是时候考虑用SD NAND替换了。
  • 热度 9
    2023-8-29 18:02
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    文章目录 FATFS文件系统详解 1. 简介 2. 基础概念 3. FAT文件系统组成介绍 4. FAT文件系统分析 4.1 采用FAT格式格式化SD nand/sd卡 4.2 引导扇区分析 4.3 分区偏移及大小计算 4.4 FAT子类型确认 4.4 访问FAT条目 4.5 文件与簇之间的关系 4.6 FSInfo扇区结构及备份引导扇区 4.7 FAT目录 4.7.1 SFN 短文件名目录 4.7.2 LFN长文件名 4.7.3 LFN系统对于SFN的兼容 5. 分区分析 5.1 保留分区分析 5.2 FAT区分析 5.3 根目录区分析 5.4 数据区分析 5.5 新增文件测试 6. 总结 1. 简介 在早期计算机刚发展的时候,那时候硬盘大小、flash设备容量都比较小,随着技术的不断迭代更新,硬盘容量越来越大。在早期,面对小容量的硬盘/flash,往往采用对应地址存放对应数据的方案,由于数据量不大,操作起来尚还可以。但是发展到今天,随着硬盘/flash容量不断增大,存储的数据也越来越多,早期单一的对应地址存放对应数据的方案已经无法满足我们的需求,操作硬盘/flash会变得异常的困难复杂。 因此针对上述问题,一群大佬们便开始设计文件系统这样一个东西,用来管理硬盘/flash上的数据信息,像我们电脑上打开文件夹,访问里面的文件,这其实就是基于文件系统访问电脑硬盘上数据的一个操作。 发展至今,文件系统已有众多版本,本文主要分享 关于FAT文件系统的详细设计, FAT文件系统适用于嵌入式设备,如SD卡、SD nand、spi nor flash等众多存储设备,同时基于此文件系统的文件亦能被电脑正常读取。 2. 基础概念 在研究文件系统之前,我们需要首先弄清楚关于内存这块的几个基本概念: 2.1.区分 扇区、块、簇的概念 扇区(sector):flash可操作的最小单元,通常指我们擦除的最小单元大小,以sd nand举例,通常最小为512Byte 块(block) 以及 簇(cluster):其实这是两个相同的概念,只是由于历史原因,在不同系统上的不同称呼,在windows中称簇,而在linux中称块。一个簇/块由多个扇区组成,由于一个扇区的空间较小,因此文件系统通过会将多个扇区组合在一起形成一个簇,并以簇为单位进行读写操作! 一个簇通常可以由 2、4、8、… 、2的n次方个扇区组成。 2.2.FAT文件系统总共由FAT12、FAT16以及FAT32三个版本,这是由于随着存储技术不断发展,FAT文件系统迭代导致,数字越大,版本越新,新版本对老版本完全兼容! 3. FAT文件系统组成介绍 Fat文件系统官方文档: http://elm-chan.org/docs/fat_e.html FAT文件系统在flash上的布局如下图所示,总共由四个区域组成: 保留区 FAT区 根目录区 (FAT32类型不包含此区域) 数据区 编辑 ​ 编辑 ​ 接下来,我们对一张格式化为FAT格式的SD卡进行分析,理解FAT文件系统的实现细节: 4. FAT文件系统分析 4.1 采用FAT格式格式化SD nand/sd卡 1.使用win10格式化一张118.5M的SD nand / sd卡,我这里用的是手上的一颗 创世CS 家的sd nand加一块转接板,和SD卡完全没有区别,且SD nand在稳定性上比SD卡具有优势。 编辑 ​ 编辑 ​ 此处由于SD nand(SD卡)大小原因,默认采用FAT16进行了格式化!因此在下文中我们先以FAT16进行分析,之后再重新格式化为FAT32进行分析,就很容易懂了! 4.2 引导扇区分析 1.使用 winhex 工具打开对应磁盘,注意需使用管理员权限运行 编辑 ​ 2.打开后我们可以以二进制的格式查看SD卡上所有数据,首先看到第一个扇区,也就是对应的引导扇区 boot sector,注意引导扇区位于保留区! 编辑 ​ 3.接下来我们根据 官方文档 对引导扇区进行分析 注意,FAT文件系统数据均采用小端格式! a) 首先是FAT12/16/32公共部分,(偏移值 0 - 35): EB 3C 90:BS_JmpBoot,跳转指令 4D 53 44 4F 53 35 2E 30:BS_OEMName,MSDOS 5.0,一个名字,指示创建此卷的操作系统,无其他作用 00 02:BPB_BytsPerSec,扇区大小 512 字节 04:BPB_SecPerClus,每次操作的最小扇区数,簇 Cluster,4 (与格式化时选择的大小匹配 2048 = 512 * 4) 06 00:BPB_RsvdSecCnt,保留区的扇区数,6 (通过此可计算,FAT区起始地址为 6 * 512 = 0xC00) 02:BPB_NumFATs,FATs的个数,2(一般此值为2,多一个用来做冗余备份,解决系统异常导致第一个损坏时,增大恢复的可能性,表示FAT区有两个FATs备份) 00 02:BPB_RootEntCnt,512,在FAT12/16系统中,此字段表示根目录中32字节目录条目数量,设置此值时需注意对齐,为了最大的兼容性,FAT16系统上此值应设置为512,FAT32系统上此值应设置为0 65536,所以此字段为0) F8:BPB_Media 媒体类型 ED 00:BPB_FATSz16,237,一个FAT占用的扇区数,此字段仅在FAT12/16系统使用;FAT32系统,此字段必须为0,使用BPB_FATSz32字段替代。FAT区总大小等于 BPB_FATSz?? * BPB_NumFATs 扇区(2372512=242688=0x3B400,由此可推算根目录区起始地址:0x3B400+0xC00=0x3C000)。 3F 00:BPB_SecPerTrk,每个磁道的扇区数,此字段仅与具有几何形状且仅用于 IBM PC 的磁盘 BIOS 的介质相关,不用管。 FF 00:BPB_NumHeads,头数量,此字段仅与具有几何形状且仅用于 IBM PC 的磁盘 BIOS 的介质相关,不用管。 00 00 00 00:BPB_HiddSec,0,FAT 卷之前的隐藏物理扇区数(当磁盘被分区之后,当前分区并不一定是从扇区头开始的) 00 B4 03 00:BPB_TotSec32,242688,32位大小区域描述FAT卷扇区总数(整个卷空间大小)。 FAT12/16系统,扇区总数小于0x10000时,此字段必须为0,真实值存放在BPB_FATSz16;FAT32系统,此字段一直有效。(118.5M = 512 * 242688) b) 接下来是FAT12/16特有字段(偏移值36) 80:BS_DrvNum,IBM PC 的磁盘 BIOS 使用的驱动器号,00h代表软盘,80h代表固定磁盘 00:BS_Reserved,保留字段,0 29:BS_BootSig,扩展引导签名,表示以下存在三个字段 83 3E 07 E4:BS_VolID,与 BS_VolLab 一起构成卷序列号,一般在格式化的时候结合时间生成 4E 4F 20 4E 41 4D 45 20 20 20 20:(解析为:"NO NAME “),BS_VolLab,11byte卷标,当卷标不存在时,此值应设置为"NO NAME” 46 41 54 31 36 20 20 20:(解析为:"FAT16 "),BS_FilSysType文件系统类型,支持字段有:"FAT12 ", "FAT16 " or "FAT ",注意很多人认为是通过此字段区分FAT12/16/32系统类型,实际是错误的,文件系统类型实际上是根据磁盘大小确定的,官方文档 “Determination of FAT sub-type” 章节或本博文后文有描述,不过为了最大的兼容性考虑,此字段应设置为对应文件系统的名字。 33 C9 ~ CB D8:BS_BootCode,引导启动程序,与平台有关,不使用时填充为0 55 AA:BS_BootSign,0xAA55,引导签名,指示这是一个有效的引导扇区当扇区大小大于512字节时,剩余的字段应全部使用0x0填充。 c) 如果是FAT32,则采用FAT32特有字段解析(偏移值和FAT12/16特有字段一致为36) 虽然此处我们的是FAT16格式,不过此处也将FAT的字段进行描述,方便理解。 BPB_FATSz32:一个FAT占用的扇区数,此字段仅在FAT32系统有效。FAT区总大小等于 BPB_FATSz?? * BPB_NumFATs 扇区。 BPB_ExtFlags:扩展标识字段,bit7=0,表示所有FAT都是镜像的和活跃的;bit7=1,表示只有bit3-0表示的FAT是有效的。 BPB_FSVer:FAT32版本,高字节是主版本号,低字节是次版本号。 BPB_RootClus:根目录的第一个簇号,此值通常为2,因为前两个簇一般用于保留。 BPB_FSInfo:FSInfo结构扇区与FAT32卷顶部的偏移扇区值。此值通常为1,因为其通常位于引导扇区旁边。 BPB_BkBootSec:备份引导扇区与FAT32卷顶部的偏移扇区值。此值通常为6,考虑最大的兼容性,此值不建议为其他值。 BPB_Reserved:保留 BS_DrvNum:含义与FAT12/16字段一样 BS_Reserved:含义与FAT12/16字段一样 BS_BootSig:含义与FAT12/16字段一样 BS_VolID:含义与FAT12/16字段一样 BS_VolLab:含义与FAT12/16字段一样 BS_FilSysType:始终为"FAT32 ",对FAT类型的确定没有任何影响。 BS_BootCode32:引导启动程序,与平台有关,不使用时填充为0 BS_BootSign:0xAA55,引导签名,指示这是一个有效的引导扇区当扇区大小大于512字节时,剩余的字段应全部使用0x0填充。 以上就是引导扇区内容的详细分析了,通过引导扇区的内容,我们即可知道FAT文件系统依赖的硬件存储空间大小、簇大小、扇区大小以及以及FAT系统版本等重要信息。 同时通过引导扇区的内容,我们便可计算出对应的FAT的四个区域的大小及起始偏移位置等重要信息,接下来计算FAT四个分区的起始位置及大小。 4.3 分区偏移及大小计算 FAT卷总共分为以下四个区域: 保留区 1.第一个扇区为引导扇区,存放BPB(BIOS Parameter Block)数据,存放的是FAT卷的配置参数。 2.上述参数中以 BPB_ 命名的字段都是 BPB 的一部分,而以 BS_ 标题命名的字段都不是 BPB 的一部分,而只是引导扇区的一部分 FAT区(分区表装载区) 根目录区 数据区 各分区偏移地址及大小如下: 编辑 ​ 此外,关于FAT区,通常存在一个以上的FAT,如此处所格式化的sd卡便存在两个FAT,对应的偏移地址和大小如下: 编辑 ​ 4.4 FAT子类型确认 关于FAT的类型是FAT12/16/32确认:FAT类型由数据区内簇的数量决定,除此之外无其他办法! 当一个卷,簇的数量 ≤4085 时,为FAT12 当一个卷,簇的数量 ≥4086 且 ≤65525 时,为FAT16 当一个卷,簇的数量 ≥65526 时,为FAT32 簇的数量计算公式:CountofClusters = DataSectors / BPB_SecPerClus; 如我们这里:CountofClusters = 242176 / 4 = 60544,所以为 FAT16! 当簇的大小从 512 ~ 32768字节的各种条件下,不同类型FAT对应卷的大小范围如下: 编辑 ​ 4.4 访问FAT条目 FAT区由一条条FAT条目构成,关于FAT 对应的条目具体位置计算如下: 编辑 ​ FAT16: FAT32: 编辑 ​ 格外需要注意的是,不同格式,对应的FAT条目的长度和格式不一样: 此外对于FAT32格式,高4位是保留位,只有低28位有效! 具体如下图所示: 编辑 ​ 4.5 文件与簇之间的关系 那么文件和簇之间的相互关系又是怎样的呢?我们又是如何准确的找到存放在flash上的文件的呢?接下来让我们看下文件与簇之间的关系映射。 在FAT卷上文件通过目录管理,目录是一个32字节数组组成的目录条目结构,此目录结构包含:文件名、文件大小、时间戳以及文件所在的第一个簇号。 簇号为0和1的簇被保留,由参数BPB_RootClus可知,有效簇从第2号簇开始。FAT (2号簇)对应数据区的第一个簇。 因此第N个簇的位置计算公式如下: FirstSectorofCluster = DataStartSector + (N - 2) * BPB_SecPerClus 每个条目所在的位置,对应一个簇。当文件长度大于一个簇长度时,条目内的值为下一个条目的索引,直到文件所在的最后一个簇,由此构成簇链!文件所在的最有一个簇所对应的FAT条目内的值由一个特殊的值(EOC)组成,它永远不会匹配任何有效的簇号,如下: FAT12: 0xFF8 - 0xFFF (typically 0xFFF) FAT16: 0xFFF8 - 0xFFFF (typically 0xFFFF) FAT32: 0x0FFFFFF8 - 0x0FFFFFFF (typically 0x0FFFFFFF) 存在一些特殊的值被用来做损坏簇的标记,如下: FAT12: 0xFF7 FAT16:0xFFF7 FAT32:0xFFFFFFF7 不过此处需要注意,在FAT12/16系统上,上述特殊值绝不会和任何有效簇匹配,但是在FAT32上有可能,因此为了防止混淆,你在创建FAT32系统的时候应该避免这种情况发生!因此FAT32系统上簇的上限为268435445(大于256M个簇) FAT条目初始化的时候,FAT 及以后的数据应被初始化为0,指示未被使用处于空闲状态,如果值不为0,则意味着簇被损坏或被使用状态。在FAT12/16系统上,空闲簇的数量未被记录,而在FAT32系统上,FAT32支持FSInfo结构体,里面记录了空闲簇的数量。 关于FAT 和FAT : 此两个保留的条目,没有与任何簇有联系;不过具有其他意义,如下: FAT12: FAT = 0xF??; FAT = 0xFFF; FAT16: FAT = 0xFF??; FAT = 0xFFFF; FAT32: FAT = 0xFFFFFF??; FAT = 0xFFFFFFFF; FAT 中的?? 与 BPB_Media 相同; FAT 记录了错误历史记录:卷脏标志(FAT16:bit15、FAT32:bit31),系统在启动的时候清除此位,正常关闭的时候恢复。 如果此位已经清除,表明上次未被正常关闭,可能存在逻辑卷错误;硬件错误标志(FAT16:bit14、FAT32:bit30)当出现无法恢复的读写错误时清除,表明需要进行全面检查。 关于FAT区域,有两个重点注意事项: 第一个是FAT的最后一个扇区可能没有被完全使用。在大多数情况下,FAT在扇区的中间结束。FAT驱动程序不应该对未使用的区域做出任何假设。在格式化卷时,应该用零填充它,并且在此之后不应更改它。 另一个是BPB_FATSz16/32可以指示比卷需要的值大的值。换句话说,未使用的扇区可以跟随每个FAT。这可能是数据区域对齐或其他原因导致的。同时,在格式化时这些扇区也会被用零填充。 下表展示了不同FAT类型中FAT值所对应的含义解释: 编辑 ​ 4.6 FSInfo扇区结构及备份引导扇区 此部分内容只在FAT32系统上存在,对于FAT12系统FAT区域大小最大6KB,对于FAT16系统FAT区域最大128KB,但是在FAT32系统上FAT区域通常上达数MB,这是因为FAT32系统支持FSInfo数据结构。 在FAT32系统上新增FSInfo数据结构的原因是:在FAT12/16系统上,想要知道flash上剩余的簇数需要扫描整个FAT区才能计算出来,但随着flash容量的不断扩大,扫描花费的时长越来越长,为了避免扫描浪费过多的时间,因此在FAT32系统上增加了FSInfo结构,用于记录flash上剩余的簇数。 FSInfo数据结构如下: 编辑 ​ 注意:当扇区大小大于512字节时, 剩余空间采用0x00填充 4.7 FAT目录 FAT目录分为长文件名目录(LFN)以及短文件名目录(SFN),长文件目录是在短文件名目录上的一个扩展,具体采用长文件名还是短文件名由读取FAT文件系统的操作系统决定,如windows;设置长文件名时短文件名也被设置,具有兼容性。 此外,有一个很重要的概念:在FAT文件系统上目录也是一个文件,只是此文件的属性不一样而已。 在所有目录中,有一个比较特殊的是根目录,且根目录作为顶层目录必须存在。 在FAT12/16系统中,根目录不是一个文件,且放在根目录区,根目录的最大条目数由 BPB_RootEntCnt 参数指示; 在FAT32系统中,根目录与子目录没有什么区别,且根目录的起始簇由 BPB_RootClus 参数指示。 根目录与子目录的另外一个区别是,根目录不包含 . .. 此两个点目录,且它可以包含卷标(具有ATTR_VOLUME_ID属性的条目) 4.7.1 SFN 短文件名目录 目录条目结构如下: 编辑 ​ 关于目录结构的第一个字段 DIR_Name 的第一个元素 DIR_Name 在目录表中有着特殊作用,如下: 当此值为 0xE5 时,代表此目录条目未被使用(或已废弃) 当此值为 0x00 时,也代表此目录条目未被使用;此外还提示后续目录条目也未被使用,因为后续的目录条目 DIR_Name 都会是 0x00 如果文件名的第一个字符为 0xE5 这个特殊值,则使用 0x05 替代。 这么设计的意义是什么呢?将 DIR_Name 用作特殊字符,其目录在于方便文件删除!当我们删除一个文件的时候,文件系统并不会将此文件所对应的数据全部删除,因为那样太费时间了,也没有必要,而是直接将对应文件的目录项中的 DIR_Name 修改为 0xE5 即可! 关于文件名字段 DIR_Name,在FAT文件系统中还有如下规定: DIR_Name 字段的11字节的文件名分为两个部分:8 字节的主文件名 + 3字节的扩展名; 文件名中主文件名与扩展名中间的 . 被省略,不在此记录 如果主文件名长度不够,小于8字节,则使用 0x20 空格填充 用于设置文件名的字符也有限制,支持的字符有 0~9 A~Z ! # $ % & ’ ( ) - @ ^ _ ` { } ~ 主文件名和扩展名中的(a~z)ASCII字符都会被转化成大写字符保存 以下为文件名存储示例: 编辑 ​ 4.7.2 LFN长文件名 长文件名是文件名的另外一种存储方式,由于SFN短文件名具有长度、字符等限制,在一些场景下不能很好的满足需求,因此就需要使用到长文件名,关于长文件名的具体内容如下: 长文件名是一个具有特殊属性的目录条目。长文件名目录属性 DIR_Attr 字段的值 ATTR_LONG_NAME = (ATTR_READ_ONLY | ATTR_HIDDEN | ATTR_SYSTEM | ATTR_VOLUME_ID) = 0x0F; 编辑 ​ 关于长文件名的目录属性如下: 编辑 ​ 关于长文件名,有以下几点重要概念: 一个文件一定有短文名SFN,但不一定有长文件名LFN 长文件名LFN字段中仅包含文件名信息,不包含其他内容,其他内容需要通过短文件名SFN查看 如果一个文件既有长文件名也有短文件名,则长文件名是其主要名字,而短文件名则为附加名字 长文件名LFN条目在对应的短文件名SFN条目前面 一个文件的长文件名最长255字符,对应最多20个长文件名LFN条目 长文件名简单理解起始就是存储一个字符串,因此没有类似SFN的限制,允许有空格、支持大小写、允许多个.符号等 LFN条目文件名长度不够,仍然采用0x20填充 下图是官方关于一个名为 “MultiMediaCard System Summary.pdf” 的长文件名在flash上的长文件名条目,如下所示,一眼没看明白也没关系,后文有实例说明,对长文件名有概念了就行! 编辑 ​ 关于长文件名的checksum字段和计算,算法如下: uint8_t create_sum (const DIR* entry) { int i; uint8_t sum; for (i = sum = 0; i < 11; i++) { /* Calculate sum of DIR_Name ; } return sum; } 4.7.3 LFN系统对于SFN的兼容 在使用LFN长文件名的系统中,会自动生成SFN短文件名已确保此文件在短文件名的文件系统中可使用。同时为了防止生成的短文件名冲突,SFN的生成采用 名称+数字后缀+扩展 的格式,同时采用以下规则生成SFN: 小写自动转大写 如果存在空格,则删去空格,设置有损转换标识 已.开头的文件删除头部的.,并设置有损转换标识 存在多个.的文件名,仅保留最后一个作为文件名与扩展的分隔,并设置有损转换标识 其他不支持的字符,采用_代替,并设置有损转换标识 文件名如果是Unicode编码,则转化为ANSI/OEM编码;不能转换的字符采用_代替,并设置有损转换标识 长度超过8字节的部分,截断,并设置有损转换标识 扩展名字段超过3字节的,截断,并设置有损转换标识 有损转转换标识为:~,ASCII值为0x7E,十进制126 示例如下: 编辑 ​ 至此,FAT文件系统的理论部分已经描述完了,接下来我们继续使用winhex对数据进行分析。 5. 分区分析 继续回顾我们一开始的这张布局图 编辑 ​ 5.1 保留分区分析 保留分区为第一个分区,其中引导扇区位于保留分区的第一个扇区。 根据 4.3 章节计算结果可知,保留分区起始地址为 0x00,大小 0xC00 保留分区数据如下,保留分区内最重要的内容即为引导扇区,除引导扇区外,其他剩余空间全部保留,采用0x00覆盖。关于引导扇区已在 4.2 章节详细分析,此处不再做介绍。 编辑 ​ 5.2 FAT区分析 根据 4.3 章节描述,FAT区的起始地址为0xC00,大小为0x3B400,此外存在两个FAT区,FAT1和FAT2,起始地址分别为:0xC00、0x1E600,对应地址数据如下: FAT1 数据: 编辑 ​ FAT2 数据如下: 编辑 ​ 由于此处采用FAT16格式,所以每个FAT条目占据两个字节! 根据上述数据进行分析: 确认 FAT2 为 FAT1 的备份; 存在5个FAT条目其中 FAT 和 FAT 为保留条目,FAT 的内容与 BPB_Media 媒体类型字段一致,FAT 用来记录错误历史记录 (详见 4.5 章节描述) 根据4.5章节描述,FAT (2号簇)对应数据区的第一个簇,又FAT 、FAT 、FAT 数据均为 0xFF,表明存在三个文件,且每个文件的大小小于等于一个簇的空间;且分别存放在数据区第1到第3个簇上! 此处可能大家会由疑问,刚刚格式化的sd卡为什么会存在文件内,其实这个是系统文件,格式化后自带的,默认是隐藏的,只有使用winhex才能看到,也就是对应的System Volume Information文件夹。 5.3 根目录区分析 注意,根目录区只有 FAT12 / FAT16 系统上存在,在FAT32系统上不存在此区域。 根目录区用来记录根目录下的文件内容,根据 4.3 章节计算可知,根目录区起始地址为:0x3C000,大小为0x4000,数据内容如下: 编辑 ​ 以下是对数据字段进行分析后的内容,如下图所示: 编辑 ​ 格式化之后,默认会生成一个System Volume Infomation的系统文件夹,同时此文件夹是根目录下唯一的一个文件,因此在根目录的数据如上图所示。 此文件夹为目录属性,是隐藏的系统目录 长文件名为System Volume Information,短文件名为SYSTEM~1 此目录指向存放的数据在2号簇(对应数据区第一个簇),文件大小字段,由于此文件为目录属性,此字段无意义,因此强制为0 至此,根目录区分析完了,同时根目录区的 System Volume Information文件指向数据区第一个簇(2号簇),接下来我们便进入数据区进行分析。 5.4 数据区分析 根据 4.3 章节计算可知,数据区起始地址为:0x40000,大小为242176 * 512 = 0x764 0000,数据内容如下: 编辑 ​ 对应数据字段分析如下: 编辑 ​ System Volume Information 目录下存在两个文件,分别是IndexerVolumeGuid 和 WPSettings.dat。根据上述分析可知: IndexerVolumeGuid文件的数据存放在 FAT ,3号簇上,即数据区的第3个簇(数据区的第1个簇为2号簇); WPSettings.dat 文件的数据存放在 FAT ,4号簇上,即数据区的第2个簇(数据区的第1个簇为2号簇); 首先,我们跳转到4号簇上查看IndexerVolumeGuid的数据,对应地址计算方式为: FirstSectorofCluster = DataStartSector + (N - 2) * BPB_SecPerClus = 512 + (4 - 2) * 4 = 520; 对应地址为: FirstSectorofCluster * BPB_BytsPerSec = 520 * 512 = 0x0004 1000 编辑 ​ 接着跳转到3号簇上查看WPSettings.dat的数据,对应地址计算方式为: FirstSectorofCluster = DataStartSector + (N - 2) * BPB_SecPerClus = 512 + (3 - 2) * 4 = 516; 对应地址为: FirstSectorofCluster * BPB_BytsPerSec = 520 * 512 = 0x0004 0800 编辑 ​ 5.5 新增文件测试 1.在根目录下新增 test 目录,使用winhex更新磁盘数据,观察各数据区变化 保留区无变化 FAT区变化如下: 编辑 ​ 编辑 ​ 根目录区变化如下: 编辑 ​ 数据区变化: 编辑 ​ 2.新增long file test文件夹,里面存入一个长度为 2050 Byte(占据两个簇的空间)的test.txt文件,使用winhex重新打开磁盘进行分析。 编辑 ​ 保留区无变化 FAT区变化如下: 编辑 ​ 编辑 ​ 根目录区变化如下: 数据区变化如下: long file test目录数据指向6号簇,跳转至6号簇,地址DataStartSector + (N - 2) * BPB_SecPerClus = 0x40000 + (6-2) * 4 * 512 = 0x420000 编辑 ​ test.txt文件指向 7号簇,跳转至7号簇,地址DataStartSector + (N - 2) * BPB_SecPerClus = 0x40000 + (7-2) * 4 * 512 = 0x428000,均为test.txt的实际有效数据,如下: 编辑 ​ 编辑 ​ 6. 总结 以上便是关于FAT文件系统的全部分析了,通过上述分析,外加新增文件辅助理解,对于文件在FAT文件系统下如何管理、存储,相信已经有了非常深入的了解。 FAT文件系统分为四个区: 保留区最重要的是里面包含引导扇区,引导扇区内存放着BIOS参数信息,通过此参数可以知道FAT文件系统的flash布局,以及flash大小,fat块大小、簇大小等关键信息; FAT区,记录了文件所占用簇的情况,以及对于文件大小大于一个簇的文件,在FAT区内形成簇链,记录文件由哪几个簇组成 根目录区,只有FAT12/16系统所有,记录了根目录下的文件/目录条目信息 数据区,记录数据分为两个部分,第一部分为目录信息,除根目录外,每个文件夹需要占据一个及以上的簇描述对应目录下的文件情况;第二部分为具体文件数据。两部分数据通过短文件名SFN字段进行关联! 以上就是FAT文件系统的简单概括,由于本文使用的是FAT16文件系统作为实例分析,关于FAT32文件系统,在下一篇博文中进行补充,敬请关注!
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    2023-1-6 17:30
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    文章目录 0、前言 1、目标 2、图片的预处理 3、SD NAND的预处理 4、FPGA实现 4.1、详细设计 4.2、仿真 4.3、实验结果 ·前言 在上一篇文章《基于FPGA的SD卡的数据读写实现(SD NAND FLASH)》中,我们了解到了SD NAND Flash的相关知识,并在FPGA平台上实现了对SD NAND的读写测试。SD NAND的读写测试可能会有点简单和枯燥,所以本文我们来搞点有乐趣性的----将存储在SD NAND内的两张图片通过FPGA读取,并通过VGA的方式在显示器上轮回显示。 1、目标 使用 SD NAND数据读写控制器读取事先存储在 SD NAND的图片数据,将读取的图片数据通过SDRAM 数据读写控制器暂存在 SDRAM 芯片中,通过 VGA 显示器将暂存在 SDRAM 的图片显示出来。 SD 卡内存储两张图片,其交替显示在 VGA 显示器上,分辨率为 640*480。 SD NAND在SD2.0版本协议下,SPI模式的理论最大传输速率为50Mbps,加上命令号以及等待返回响应信号的时间,实际上的传输速率还会下降。对于采用分辨率为640*480@60Hz 的显示器来说,一幅图像的数据量达到640*480*16bit = 4915200bit = 4800Kbit(1Kbit=1024bit), 每秒钟刷新60次,那么每秒钟需要传输的数据量达到4800Kbit*60 = 288000Kbit =281.25Mbit (1Mbit=1024Kbit)。由此可以看出,SD卡的读写速度完全跟不上VGA的数据发送速度,因此必须先缓存一幅图像到内部或外部存储器,再通过VGA接口显示。FPGA的片内存储资源较少,对于缓存如此大量的数据,只能使用SDRAM或DDR3缓存数据。 2、图片的预处理 首先选取要显示的图片两张,使用 Window 系统自带的画图工具对图片进行处理,将图片处理为分辨率 640*480。 VGA的显示格式为16位RGB565格式,为了使SD NAND读出的数据可以直接在VGA上显示,需要将图片通过 “ IMG2LCD ” 上位机软件转成16位的RGB565格式的bin文件,再将bin文件导入SD NAND中。 使用 “ IMG2LCD ” 上位机软件打开两张图片,按如下设置相关参数,然后点击保存,就生成了两个图片的二进制文件(像素值)。 3、SD NAND的预处理 SD NAND在经过多次存放数据与删除数据之后,存入的文件有可能不是按照连续的扇区地址存储的,为了避免图片显示错误,我们将bin文件导入SD NAND之前,需要对SD NAND进行一个格式化处理。 首先得找个读卡器,再把所用到的SD NAND开发板插到读卡器上边,通过USB接口与PC建立链接。 本次实验我依然选用的是 深圳雷龙公司 的一款SD NAND产品----CSNP32GCR01-AOW。 可以看到这款SD NAND开发板设计得很巧妙,把对外接口设计成了通用的micro接口,兼容性非常强,不管是插读卡器还是直接插FPGA开发板,都是即插即用,十分方便。 接着说回来对SD NAND的初始化处理。插上读卡器后,选择对应的磁盘,点击“格式化”,并点击“开始” 格式化完成后,将前面生成的两张图片对应的bin文件存入对应的SD NAND磁盘中: SD NAND内部的存储资源是以扇区的形式进行划分的,为了将图片的bin数据从SD NAND中读取出来,我们需要找到图片存储对应的扇区地址。扇区地址可以用“WinHex 软件”来查看。 以管理员身份运行软件 WinHex 软件,点击“工具 ”,然后点击“打开磁盘”: 双击打开对应的SD NAND,记录下两个 bin文件的第一扇区地址: 此时查询到的扇区地址就是bin文件存放的起始扇区地址,我们只需要按照这个起始扇区地址,按顺序读出SD NAND中的数据即可,直到读完一张图片中的所有数据。SD NAND中一个扇区存放512个字节,也就是256个16位数据,对于分辨率为640*480的图片来说,共需要读出1200(640*480/256)个扇区数据。 4、FPGA实现 先说下总体思路: · SD NAND中存有两幅图片,一副为雷龙公司的官网截图,另一幅则是本博客的头像 · FPGA从SD NAND中读取这两幅图片的像素信息,并缓存到SDRAM中 · 将SDRAM中的数据(两幅图片的像素信息)通过VGA接口显示在显示器上 根据这个思路,可以对应的画对应的系统框图: FPGA顶层模块例化了以下五个模块:PLL时钟模块、SD NAND读取图片控制模块、SD NAND控制器模块、SDRAM控制器模块和VGA驱动模块。 4.1、详细设计 (1) 顶层模块 顶层模块:顶层模块主要完成对其余各模块的例化,实现各模块之间的数据交互。需要注意的是,系统初始化完成是在SD NAND以及SDRAM都初始化完成后才开始拉高的,该信号控制着SD NAND读取图片控制模块的复位信号,因此SD NAND读取图片控制模块是在系统初始化完成后才工作的,防止因SD NAND或者SDRAM初始化未完成导致数据错误。 此部分代码如下: module top_sd_photo_vga( input sys_clk , //系统时钟 input sys_rst_n , //系统复位,低电平有效 //SD NAND接口 input sd_miso , //SD NANDSPI串行输入数据信号 output sd_clk , //SD NANDSPI时钟信号 output sd_cs , //SD NANDSPI片选信号 output sd_mosi , //SD NANDSPI串行输出数据信号 //SDRAM接口 output sdram_clk , //SDRAM 时钟 output sdram_cke , //SDRAM 时钟有效 output sdram_cs_n , //SDRAM 片选 output sdram_ras_n , //SDRAM 行有效 output sdram_cas_n , //SDRAM 列有效 output sdram_we_n , //SDRAM 写有效 output sdram_ba , //SDRAM Bank地址 output sdram_dqm , //SDRAM 数据掩码 output sdram_addr , //SDRAM 地址 inout sdram_data , //SDRAM 数据 //VGA接口 output vga_hs , //行同步信号 output vga_vs , //场同步信号 output vga_rgb //红绿蓝三原色输出 ); //parameter define parameter PHOTO_H_PIXEL = 24'd640 ; //设置SDRAM缓存大小 parameter PHOTO_V_PIXEL = 24'd480 ; //设置SDRAM缓存大小 //wire define wire clk_100m ; //100mhz时钟,SDRAM操作时钟 wire clk_100m_shift ; //100mhz时钟,SDRAM相位偏移时钟 wire clk_50m ; wire clk_50m_180deg ; wire clk_25m ; wire rst_n ; wire locked ; wire sys_init_done ; //系统初始化完成 wire sd_rd_start_en ; //开始写SD NAND数据信号 wire sd_rd_sec_addr ; //读数据扇区地址 wire sd_rd_busy ; //读忙信号 wire sd_rd_val_en ; //数据读取有效使能信号 wire sd_rd_val_data ; //读数据 wire sd_init_done ; //SD NAND初始化完成信号 wire wr_en ; //sdram_ctrl模块写使能 wire wr_data ; //sdram_ctrl模块写数据 wire rd_en ; //sdram_ctrl模块读使能 wire rd_data ; //sdram_ctrl模块读数据 wire sdram_init_done ; //SDRAM初始化完成 //***************************************************** //** main code //***************************************************** assign rst_n = sys_rst_n & locked; assign sys_init_done = sd_init_done & sdram_init_done; //SD NAND和SDRAM都初始化完成 assign wr_en = sd_rd_val_en; assign wr_data = sd_rd_val_data; //锁相环 pll_clk u_pll_clk( .areset (1'b0 ), .inclk0 (sys_clk ), .c0 (clk_100m ), .c1 (clk_100m_shift ), .c2 (clk_50m ), .c3 (clk_50m_180deg ), .c4 (clk_25m ), .locked (locked ) ); //读取SD NAND图片 sd_read_photo u_sd_read_photo( .clk (clk_50m), //系统初始化完成之后,再开始从SD NAND中读取图片 .rst_n (rst_n & sys_init_done), .rd_busy (sd_rd_busy), .rd_start_en (sd_rd_start_en), .rd_sec_addr (sd_rd_sec_addr) ); //SD NAND顶层控制模块 sd_ctrl_top u_sd_ctrl_top( .clk_ref (clk_50m), .clk_ref_180deg (clk_50m_180deg), .rst_n (rst_n), //SD NAND接口 .sd_miso (sd_miso), .sd_clk (sd_clk), .sd_cs (sd_cs), .sd_mosi (sd_mosi), //用户写SD NAND接口 .wr_start_en (1'b0), //不需要写入数据,写入接口赋值为0 .wr_sec_addr (32'b0), .wr_data (16'b0), .wr_busy (), .wr_req (), //用户读SD NAND接口 .rd_start_en (sd_rd_start_en), .rd_sec_addr (sd_rd_sec_addr), .rd_busy (sd_rd_busy), .rd_val_en (sd_rd_val_en), .rd_val_data (sd_rd_val_data), .sd_init_done (sd_init_done) ); //SDRAM 控制器顶层模块,封装成FIFO接口 //SDRAM 控制器地址组成: {bank_addr ,row_addr ,col_addr } sdram_top u_sdram_top( .ref_clk (clk_100m), //sdram 控制器参考时钟 .out_clk (clk_100m_shift), //用于输出的相位偏移时钟 .rst_n (rst_n), //系统复位 //用户写端口 .wr_clk (clk_50m), //写端口FIFO: 写时钟 .wr_en (wr_en), //写端口FIFO: 写使能 .wr_data (wr_data), //写端口FIFO: 写数据 .wr_min_addr (24'd0), //写SDRAM的起始地址 .wr_max_addr (PHOTO_H_PIXEL*PHOTO_V_PIXEL),//写SDRAM的结束地址 .wr_len (10'd512), //写SDRAM时的数据突发长度 .wr_load (~rst_n), //写端口复位: 复位写地址,清空写FIFO //用户读端口 .rd_clk (clk_25m), //读端口FIFO: 读时钟 .rd_en (rd_en), //读端口FIFO: 读使能 .rd_data (rd_data), //读端口FIFO: 读数据 .rd_min_addr (24'd0), //读SDRAM的起始地址 .rd_max_addr (PHOTO_H_PIXEL*PHOTO_V_PIXEL),//读SDRAM的结束地址 .rd_len (10'd512), //从SDRAM中读数据时的突发长度 .rd_load (~rst_n), //读端口复位: 复位读地址,清空读FIFO //用户控制端口 .sdram_read_valid (1'b1), //SDRAM 读使能 .sdram_pingpang_en (1'b0), //SDRAM 乒乓操作使能 .sdram_init_done (sdram_init_done), //SDRAM 初始化完成标志 //SDRAM 芯片接口 .sdram_clk (sdram_clk), //SDRAM 芯片时钟 .sdram_cke (sdram_cke), //SDRAM 时钟有效 .sdram_cs_n (sdram_cs_n), //SDRAM 片选 .sdram_ras_n (sdram_ras_n), //SDRAM 行有效 .sdram_cas_n (sdram_cas_n), //SDRAM 列有效 .sdram_we_n (sdram_we_n), //SDRAM 写有效 .sdram_ba (sdram_ba), //SDRAM Bank地址 .sdram_addr (sdram_addr), //SDRAM 行/列地址 .sdram_data (sdram_data), //SDRAM 数据 .sdram_dqm (sdram_dqm) //SDRAM 数据掩码 ); //VGA驱动模块 vga_driver u_vga_driver( .vga_clk (clk_25m), .sys_rst_n (rst_n), .vga_hs (vga_hs), .vga_vs (vga_vs), .vga_rgb (vga_rgb), .pixel_data (rd_data), .data_req (rd_en), //请求像素点颜色数据输入 .pixel_xpos (), .pixel_ypos () ); endmodule (2) PLL时钟模块 PLL时钟模块:PLL时钟模块通过调用锁相环(PLL)IP核实现,总共输出五个时钟,频率分别为100Mhz、100Mhz(相位偏移-180度)、50Mhz、50Mhz(相位偏移180度)和25Mhz。 两个100Mhz的时钟用于为SDRAM控制器模块提供驱动时钟;两个50Mhz的时钟用于为SD NAND控制器模块提供驱动时钟;25Mhz用于为VGA驱动模块提供驱动时钟。 (3) SD NAND读取图片控制模块 SD NAND读取图片控制模块:SD NAND读取图片控制模块通过控制SD NAND控制器的读接口,从SD NAND中读取图像数据,并在读完一张图片后延时一段时间,再去读取另一张图片数据,实现两张图片的循环切换读取。 此部分代码: module sd_read_photo( input clk , //时钟信号 input rst_n , //复位信号,低电平有效 input rd_busy , //SD NAND读忙信号 output reg rd_start_en , //开始写SD NAND数据信号 output reg rd_sec_addr //读数据扇区地址 ); //parameter define parameter PHOTO_SECCTION_ADDR0 = 32'd16640; //第一张图片扇区起始地址 parameter PHOTO_SECTION_ADDR1 = 32'd17856; //第二张图片扇区起始地址 //640*480/256 = 1200 parameter RD_SECTION_NUM = 11'd1200 ; //单张图片总共读出的次数 //reg define reg rd_flow_cnt ; //读数据流程控制计数器 reg rd_sec_cnt ; //读扇区次数计数器 reg rd_addr_sw ; //读两张图片切换 reg delay_cnt ; //延时切换图片计数器 reg rd_busy_d0 ; //读忙信号打拍,用来采下降沿 reg rd_busy_d1 ; //wire define wire neg_rd_busy ; //SD NAND读忙信号下降沿 //***************************************************** //** main code //***************************************************** assign neg_rd_busy = rd_busy_d1 & (~rd_busy_d0); //对rd_busy信号进行延时打拍,用于采rd_busy信号的下降沿 always @(posedge clk or negedge rst_n) begin if(rst_n == 1'b0) begin rd_busy_d0 <= 1'b0; rd_busy_d1 <= 1'b0; end else begin rd_busy_d0 <= rd_busy; rd_busy_d1 <= rd_busy_d0; end end //循环读取SD NAND中的两张图片(读完之后延时1s再读下一个) always @(posedge clk or negedge rst_n) begin if(!rst_n) begin rd_flow_cnt <= 2'd0; rd_addr_sw <= 1'b0; rd_sec_cnt <= 11'd0; rd_start_en <= 1'b0; rd_sec_addr <= 32'd0; end else begin rd_start_en <= 1'b0; case(rd_flow_cnt) 2'd0 : begin //开始读取SD NAND数据 rd_flow_cnt <= rd_flow_cnt + 2'd1; rd_start_en <= 1'b1; rd_addr_sw <= ~rd_addr_sw; //读数据地址切换 if(rd_addr_sw == 1'b0) rd_sec_addr <= PHOTO_SECCTION_ADDR0; else rd_sec_addr <= PHOTO_SECTION_ADDR1; end 2'd1 : begin //读忙信号的下降沿代表读完一个扇区,开始读取下一扇区地址数据 if(neg_rd_busy) begin rd_sec_cnt <= rd_sec_cnt + 11'd1; rd_sec_addr <= rd_sec_addr + 32'd1; //单张图片读完 if(rd_sec_cnt == RD_SECTION_NUM - 11'b1) begin rd_sec_cnt <= 11'd0; rd_flow_cnt <= rd_flow_cnt + 2'd1; end else rd_start_en <= 1'b1; end end 2'd2 : begin delay_cnt <= delay_cnt + 26'd1; //读取完成后延时1秒 if(delay_cnt == 26'd50_000_000 - 26'd1) begin //50_000_000*20ns = 1s delay_cnt <= 26'd0; rd_flow_cnt <= 2'd0; end end default : ; endcase end end endmodule (4)SD NAND控制器模块 SD NAND控制器模块:SD NAND控制器模块负责驱动SD NAND,该模块将SD NAND的读写操作封装成方便用户使用的接口。关于SD NAND读写控制器模块在上一篇文章中已经详细说明了,可参考: 基于FPGA的SD卡的数据读写实现(SD NAND FLASH) (5)SDRAM读写控制模块 SDRAM读写控制模块:SDRAM读写控制器模块负责驱动SDRAM存储器,缓存图像数据。该模块将SDRAM复杂的读写操作封装成类似FIFO的用户接口, 非常方便用户的使用。关于此部分,有详尽的系列文章供参考:相信我,SDRAM真的不难----汇总篇 (6)VGA驱动模块 VGA驱动模块根据VGA时序参数输出行、场同步信号;同时它还要输出数据请求信号用于读取SDRAM中的图片数据,并将图片通过VGA接口在显示器上显示。关于此部分,有详尽的文章供参考:如何用VGA接口乳法? 4.2、仿真 一般的测试中,我们都需要先进行仿真来观察时序等测试行为。此次实验由于找不到好的SD NAND的Verilog模型,所以仿真测试略。 4.3、实验结果 编译工程,把程序下载到FPGA开发板,通过VGA接口连接VGA线到显示器,如下: 接着观察显示器是否会交替显示我们事先保存的两幅图片。实验现象果然与预期一致: 第1幅图片: 深圳市雷龙发展有限公司 第2幅图片:本博客图像(星爷yyds) 好啦,本次实验就做完啦。 如果屏幕前的你也有存储产品方面的需求的话,你都可以试试雷龙公司的 SD NAND 产品哦。 这是一家专业做存储产品的公司,NAND Flash是其主要产品。 该公司专注NAND Flash设计研发13年,在这一块可以说是相当专业。如果你对 NAND Flash 仍有疑惑的问题,或者你想在你的设计中使用NAND Flash产品,都可以直接联系: 深圳市雷龙发展有限公司 术业有专攻,闻道有先后,专业的事就交给专业的人处理。如果你有这方面的设计需求都可以直接找他们要免费样品哦。 ———————————————— 【本文转载自CSDN,作者:孤独的单刀】
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