标签: nvram

Features:•AMCC440EPupto533MHzand440GRupto667MHz•PCISlotforperipheralcardexpansion•256MBDDRSDRAM•32MBFlash•NVRAM32,128,or512kb;Real-TimeClock•210/100BaseTEthernetports•USB2.0DeviceInterface•USB1.1HostSupporton440EPprocessor•TwoRS-232serialports•SerialEEPROMI2C•SerialTemperatureI2C•I2C/SPIWiredtoHeaderforUserExpansion•2banksofDipswitchesforboardconfigurationanduseroptions•JTAGRISCWatchandRISCTracesupport,MictorConnectorcompatiblewithGreenhillsSuperTraceProbe•BCSRControlandStatusRegisters•5Vwallcubepowersupply•Mechanical5”x7”……

DS198X和DS199X是美国Dallas公司生产的接触式存储器，使用它可以利用特有的一线协议进行数据传输，并且电路设计和接口非常简单，文中介绍了这种新型接触式存储器芯片的电气特性、工作原理和使用方法，并给出了一个实际应用程序。……

总结-MTK平台NVRAM的使用MTK平台NVRAM的使用首先明确几个概念：1.ROM（ReadOnlyMemory\只读存储器）：通常用来存储操作系统和内置程序，相当于MTK的CodeRegion，这部分的内容是写入后不允许修改的；2.RAM（RandomAccessMemory\随机访问存储器）：相当于电脑内存了，特点是访问速度快，断电后数据会自动丢失，不会保存；3.NVRAM（NonVolatileRandomAccessMemory\非易失性随机访问存储器）：指断电后仍能保持数据的一种RAM，用来存储一些需要在断电后能够保存的数据，比如我们手机的一些相关设置就需要保存在NVRAM中；下面以给出我们ds635项目的flashmemory划分，ds635使用了一片128M的flashmemory和一片64M的RAM，在custom_memorydevice.h这个文件中如下几行决定了我们flashmemory的分区配置：///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////#defineNAND_BOOTING_NAND_FS_BASE_ADDRESS0x02000000这一行确定文件系统的起始地址，这里是0x02000000，说明我们分配的CodeRegion是32M，剩余的96M就是文件系统……

NVRAM_Configuration_Guide_User本页已使用福昕阅读器进行编辑。福昕软件（Ｃ）２００５－２００８，版权所有，仅供试用。MediaTekNon-VolatileMemoryDataServiceUser’sConfigurationGuideDocumentsNumber:PreliminaryInformationRevision:0.01bReleaseDate:December16,2002NVRAMPreliminaryInformationUser’sConfigurationGuideTableofcontentsRevisionHistory........................................................................................................................................................2Tableofcontents......................................................................................................................................................311.11.222.12.22.32.42.52.633.13.2Introduction...............................................................................................................……

MTK_NVRAM等操作MTK中nvram的读写操作定义NVRAM数据有三种方式：（一）、在nvram_editor_data_item.h、nvram_data_item.h、nvram_data_item.c三个文件中添加。1、在nvram_editor_data_item.h文件中定义自己保存在nvram中的结构体数据类型。例如：typedefstruct{Inta;Charb;}my_nvram_data_t;2、在nvram_data_item.h文件中的nvram_lid_core_enum枚举中定义自己的nvramID（建议在最后面添加，但必须添加到NVRAM_EF_LAST_LID_CORE的前面）。再定义两个宏，一个宏是前面定义的结构体的字节大小，另一个是在nvram中保存的数据个数，如果在nvram中只需要保存一个数据的话，就定义为1。例如：typedefenum{…………My_nvram_data_lid,//自己定义的nvramIDNVRAM_EF_LAST_LID_CORE}nvram_lid_core_enum;#definemy_nvram_data_sizesizeof(my_nvram_data_t)#definemy_nvram_data_total13、在nvram_data_items.c文件中的lobical_data_item_table_core……