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河北工业大学 先进激光技术研究中心结合金刚石激光器功率提升的发展历程，以金刚石尺寸及其光热 性能分析 为切入点，探讨了金刚石作为 非线性 激光介质在高功率激光技术中的核心作用。揭示了被誉为“六边形战士”的 金刚石晶体 在尺寸增大过程中对推动高功率激光技术发展的巨大潜力。该前瞻性论文（Perspective）明确指出了材料生长与金刚石激光系统设计中亟待解决的关键挑战，为未来利用金刚石晶体实现 超高功率 激光输出提供了重要参考。 01 研究背景 高 光束质量 的高功率激光器在空间探索、 高能物理 及国防安全等领域具有广泛应用。通过采用大尺寸增益介质，可以实现更大的增益体积并提升 热管理 的灵活性。然而由于增益介质储能及材料热物性限制，虽然 粒子数反转 激光器利用大尺寸晶体实现了激光功率的提升，但是传统晶体尺寸的增加并不能完全解决 热积累 所导致的热效应问题。 金刚石凭借其卓越的 热导率 、高抗损伤能力和化学惰性，被广泛视为高能激光技术的理想材料。同时，作为 非线性晶体 ，金刚石凭借超高的拉曼增益和布里渊增益，在非线性光学转换领域展现了巨大的应用潜力，使其在实现高功率高光束质量激光输出方面具有无可比拟的优势。目前，人们利用通光孔径仅为 平方毫米 （mm²）的金刚石晶体，已经实现了 稳态功率 千瓦级以及峰值功率兆瓦级的高功率输出。 02 研究内容 近日，河北工业大学白振旭和 吕志伟 教授领衔的金刚石激光技术及应用团队，从高功率金刚石激光器发展的前沿视角，详细阐述了金刚石晶体尺寸对 高功率激光 输出性能的关键影响。团队基于光热分析研究和金刚石 晶体生长技术 的最新进展，提出大尺寸金刚石晶体将开启高功率激光器发展的全新领域。研究通过建立基于常用端面泵浦结构的热 分析模型 （图 1），展示了金刚石晶体的温度分布与 应力分布 。对比不同尺寸金刚石晶体与传统反转粒子晶体、传统拉曼晶体在高热负载下的温度分布与应力分布后，研究证明，大尺寸金刚石晶体能够显著缓解热效应，进一步提升高功率激光器的性能（完整对比分析图见原文）。 图1 端面泵浦结构示意图 此外，作者还深入分析了端面泵浦条件下金刚石晶体的功率负载极限。研究通过与常见 激光晶体 （如Nd:YAG、Nd:YVO₄）及拉曼晶体（如硝酸钡）进行对比发现，其他晶体由于材料特性限制，在高功率负载下易达到熔点或断裂极限。而 金刚石 凭借其卓越的热导率和抗热性能，其功率负载极限显著优于其他晶体，高出2-4个 数量级 。图2直观地展示了各类材料的光热特性参数及其对应的功率负载极限，为金刚石晶体在高功率激光应用中的独特优势提供了有力证明。 图2 不同晶体的光热参数及功率负载极限对比 03 结论与展望 在该前瞻性论文中，作者 系统回顾 了金刚石晶体作为非线性激光介质的发展历程，突出其在光热特性方面相较于其他常用激光 晶体材料 的显著优势。研究通过 模拟分析 展示了高质量大尺寸金刚石在提升激光整体效率和功率输出方面的巨大潜力。预计未来，厘米级金刚石晶体有望实现千兆瓦（GW）级高功率输出，为高功率激光器的性能突破提供新的可能性。特别是随着人工合成金刚石尺寸和质量的不断提升，这不仅将标志着材料科学的显著进步，还将进一步推动高能激光技术的发展及其在国防安全、科学研究和工业应用等领域的广泛应用，为 非线性光学 和高功率激光系统开辟全新局面。 相关成果以“Unlocking the power: how crystal size transforms diamond lasers”为题，发表在Functional Diamond期刊上。 会议推荐 “2025未来半导体产业发展大会” 2025年 4月10-12日 苏州举行 点击扩展阅读： Flink：2025 未来半导体产业发展大会 Flink未来产链 以 “ 新材料，芯未来 ”为主题 ， 从材料研发、加工工艺、装备优化、终端需求等产业难题入手。 重点聚焦 金刚石半导体 、 碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化镓、碳基电子等新型半导体技术、与封装集成、 微纳加工等方向， 挖掘未来半导体产业发展机遇。 会议话题 主题一：碳基半导体材料与器件产业发展 （一）碳基CMOS晶体管和集成电路的现状与挑战 1、碳基半导体材料设计与合成 2、碳基纳米材料在半导体中应用进展与产业化难点分析 3、碳基芯片最新进展与应用案例 （二）金刚石半导体商用化进程及难题解决方案 1、大尺寸金刚石晶圆制备技术与装备升级 2、批量化低成本金刚石晶片制备与商业化应用案例 3、金刚石薄膜热导/热阻精确测试 4、大尺寸金刚石低成本高质量磨抛 5、金刚石低温高质量键合、三维集成兼容工艺、性能测试 6、多芯粒AI芯片集成金刚石散热及可靠性 主题二：化合物半导体关键材料与功率器件 1、新型化合物半导体材料的探索与特性研究 2、化合物半导体材料的生长技术与质量控制 3、材料的掺杂技术与性能调控 4、化合物半导体功率器件的结构设计与优化 5、功率器件的制造工艺与挑战 6、化合物半导体功率器件的可靠性与寿命问题 7、高温、高压和高频应用下的功率器件性能要求与解决方案 8、化合物半导体功率器件在新能源领域的应用 9、通信与射频领域的化合物半导体功率器件需求 10、工业与医疗领域的化合物半导体功率器件应用 11、化合物半导体技术与其他先进技术的融合，如人工智能、物联网、传感器技术等 主题三：微纳加工与封装集成 1、异质融合布局 2、先进键合与封装技术 3、晶圆平坦化、等离子抛光 4、激光直写技术、激光加工（晶圆抛磨、切割等） 5、纳制造技术（纳米压印技术、刻划技术、原子操纵技术等） 说明：此文来源Functional Diamond。文章仅供行业人士交流，发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562

2024年12月，杭州镓仁半导体有限公司在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破。公司与下游客户合作携手对（010）面氧化镓半绝缘衬底进行了深入器件验证，成功制备出性能卓越的增强型晶体管。该晶体管击穿电压高达2429V，开关比大于10的7次方，器件栅漏间距30μm，栅宽3μm，关态漏电约10-7mA/mm。在同等条件下，镓仁衬底的器件指标显著优于进口衬底的器件验证结果（2080V）。 ​ 01 氧化镓的性能优势 氧化镓（Ga2O3）作为第四代超宽禁带半导体材料的杰出代表，以其卓越的性能在科技领域崭露头角。其禁带宽度高达4.8-4.9eV，远超碳化硅（3.25eV）和氮化镓（3.4eV），击穿场强理论值可达8MV/cm，是氮化镓的2.5倍、碳化硅的3倍有余。凭借出众的能效优势，氧化镓理论损耗仅为硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3，在高效能、低损耗的电力电子领域中具有巨大潜力。同时，它兼具出色的化学与热稳定性，制备工艺简洁高效，为大规模产业化应用奠定了基础。 ​ ​氧化镓存在多种晶相，其中最稳定的β‐Ga2O3最早作为可见光波导受到关注，而亚稳定相α‐Ga2O3具有更宽的带隙（5.3eV）和更高的折射率，可能在光电路平台上展现优异性能。 ​ ​ 02 技术创新与突破 杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，是一家专注于第四代半导体——氧化镓等宽禁带半导体材料的研发、生产和销售的科技型企业。公司在氧化镓单晶生长技术上不断取得创新突破。2024年3月，公司采用杨德仁院士团队自主开创的铸造法，成功制备了6英寸高质量氧化镓单晶衬底；4月，又推出了2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了自主量产，成为全球唯一的晶圆级（010）氧化镓衬底供应商；9月，公司再推首台国产氧化镓专用VB法长晶设备，填补了国内技术空白，为国产氧化镓材料行业的发展注入了新的动力。 ​ ​近期，除镓仁半导体氧化镓技术取得进展外。日本东京大学在α-Ga2O3领域也成功实现了重大突破。日本东京大学先端科学技术研究中心研究团队成功利用氧化镓的亚稳相α-Ga2O3制作了可见光区域的单模波导，并观测到了光导波。他们采用Mist-CVD法在蓝宝石衬底上生长了200nm厚的高质量α-Ga2O3薄膜，并通过PECVD法、光刻工艺和RIE刻蚀等步骤完成了波导结构的制作。波导宽度为1μm，两端配置了光栅耦合器。通过本征模式计算确认该结构为TE偏光的单模导波路，并成功观察到红光在波导中的传输，还验证了弯曲半径为20µm的弯曲波导的TE偏光光波导特性。研究人员指出，通过降低表面粗糙度可进一步抑制光损耗和散射，未来计划改进工艺提升波导性能。 ​ 显示弯曲波导中波导的CCD图像 ​ 03 资本青睐与市场前景 随着氧化镓技术的不断突破和性能优势的逐渐显现，越来越多的资本开始关注并投资于这一领域。11月14日，知名投资机构力合科创宣布圆满完成了对广州拓诺稀科技有限公司的数百万天使轮投资。拓诺稀科技作为氧化镓（Ga2O3）外延薄膜制备及高性能半导体器件研发的领先企业，一直致力于氧化镓外延薄膜的精湛制备与高性能半导体器件的创新开发。 ​ ​市场相关机构预测，至2030年，氧化镓功率元件市场规模有望突破数百亿元人民币。氧化镓作为后起之秀，正以其卓越的性能表现和广阔的应用前景，悄然改变着整个行业的格局。 ​ ​ 说明：来源未来产链，部分数据来源于网络资料。文章仅供行业人士交流，发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562

上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”），近期推出的4款1200V 60A SiC肖特基二极管（SBD）产品，是专为高效、大功率变换系统应用而设计的。其中，TO247-2封装器件产品IV2D12060T2Z以其卓越的性能，满足了车规级可靠性标准（AEC-Q101）。该产品最高工作结温可达175℃，能够承受10ms高达300A的浪涌电流冲击，确保了系统在各种极端条件下的稳定运行。此外，其正向电压（Vf）具有正温度系数，在二极管并联应用时，能有效平衡电流，提高系统的灵活性与可扩展性。 01 深耕碳化硅功率半导体 瞻芯电子是一家自2017年起便在上海临港深耕碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，始终专注于碳化硅功率半导体和芯片产品的研发。近期公布的这4款1200V 60A SiC SBD产品，是公司基于浙江瞻芯SiC晶圆厂成熟SiC SBD工艺技术而开发的成果。产品顺利通过了严苛的1000小时高压高温反偏测试（HV-HTRB）和高压高温高湿反偏测试（HV-H3TRB）。以下是产品的详细列表： 02 国内首家6英寸SiC MOSFET企业 瞻芯电子是中国首家自主开发并掌握6英寸碳化硅（SiC）MOSFET产品及工艺平台的公司，已累计交付超过1000万颗碳化硅MOSFET产品，其中约400万颗成功应用于新能源汽车市场。 汽车应用是SiC技术的关键领域，瞻芯电子早在2022年3月即完成了首批包括SiC MOSFET、SiC SBD和驱动芯片在内的3大产品的车规级认证。2023年公司又推出了第二代SiC MOSFET。通过优化栅氧化层工艺和沟道设计，新一代产品比导通电阻降低了约25%，开关损耗显著降低，系统效率得以提升。 目前，瞻芯电子已量产122款产品，其中28款为车规级产品，涵盖SiC MOSFET、SiC SBD、SiC Module和栅极驱动芯片。未来三年，瞻芯电子将大幅提升车规级产品的占比，并计划推出多款重磅车规级产品，如适用于汽车主驱的SiC功率模块、<17mΩ MOSFET晶圆以及车规级SiC专用隔离型驱动芯片等，以满足汽车应用对门类更齐全、规格更丰富的碳化硅功率器件和驱动芯片的需求。 03 七轮融资助力碳化硅半导体事业腾飞 瞻芯电子自成立以来，已经完成了多轮融资，累计融资金额数亿元。其中包括B轮、Pre-B轮、战略融资和A+轮等多轮融资。投资方涵盖了小米产投、上汽集团、小鹏汽车、广汽资本、阳光电源、锦浪科技、昱能、宁德时代等知名产业投资机构。 在2023年2月28日的B轮融资中，瞻芯电子获得了数亿元的投资，投资方包括国方创新、临港城投、临芯投资、光速中国、光合创投、国中创投、广发信德、金石投资、钟鼎资本和长石资本等多家知名投资机构。融资的成功，不仅为瞻芯电子的蓬勃发展注入了强劲的资金动力，更充分彰显了市场对瞻芯电子卓越技术与优质产品的高度认可与信赖！ 会议推荐 “2025未来半导体产业发展大会” 2025年 4月10-12日 苏州举行 点击扩展阅读： Flink：2025 未来半导体产业发展大会 Flink未来产链 以 “ 新材料，芯未来 ”为主题 ， 从材料研发、加工工艺、装备优化、终端需求等产业难题入手。 重点聚焦 金刚石半导体 、 碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化镓、碳基电子等新型半导体技术、与封装集成、 微纳加工等方向， 挖掘未来半导体产业发展机遇。 会议话题 主题一：碳基半导体材料与器件产业发展 （一）碳基CMOS晶体管和集成电路的现状与挑战 1、碳基半导体材料设计与合成 2、碳基纳米材料在半导体中应用进展与产业化难点分析 3、碳基芯片最新进展与应用案例 （二）金刚石半导体商用化进程及难题解决方案 1、大尺寸金刚石晶圆制备技术与装备升级 2、批量化低成本金刚石晶片制备与商业化应用案例 3、金刚石薄膜热导/热阻精确测试 4、大尺寸金刚石低成本高质量磨抛 5、金刚石低温高质量键合、三维集成兼容工艺、性能测试 6、多芯粒AI芯片集成金刚石散热及可靠性 主题二：化合物半导体关键材料与功率器件 1、新型化合物半导体材料的探索与特性研究 2、化合物半导体材料的生长技术与质量控制 3、材料的掺杂技术与性能调控 4、化合物半导体功率器件的结构设计与优化 5、功率器件的制造工艺与挑战 6、化合物半导体功率器件的可靠性与寿命问题 7、高温、高压和高频应用下的功率器件性能要求与解决方案 8、化合物半导体功率器件在新能源领域的应用 9、通信与射频领域的化合物半导体功率器件需求 10、工业与医疗领域的化合物半导体功率器件应用 11、化合物半导体技术与其他先进技术的融合，如人工智能、物联网、传感器技术等 主题三：微纳加工与封装集成 1、异质融合布局 2、先进键合与封装技术 3、晶圆平坦化、等离子抛光 4、激光直写技术、激光加工（晶圆抛磨、切割等） 5、纳制造技术（纳米压印技术、刻划技术、原子操纵技术等） 说明：来源未来产链，部分数据来源于网络资料。文章仅供行业人士交流，发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562

据长飞先进官微消息，12月18日，长飞先进武汉基地项目举行首批设备搬入仪式，标志着长飞先进武汉基地即将迈入工艺验证新阶段，全面投产正式进入倒计时。本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，较原定设备搬入时间大幅提前。 长飞先进总裁陈重国表示，首批设备的进驻，标志着武汉基地项目正式进入产能建设新阶段，接下来还将面临工艺验证、产品通线等更多、更难的挑战。目前，长飞先进武汉基地项目正加快推进建设并对设备进行安装调试，预计2025年5月实现量产通线。 资料显示，长飞先进与2023年8月与武汉东湖高新区管委会签署第三代半导体功率器件研发生产基地项目，该项目聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。 当前SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预测，到2028年全球SiC功率器件市场规模有望达到91.7亿美元。 会议推荐 “2025未来半导体产业发展大会” 2025年 4月10-12日 苏州举行 点击扩展阅读： Flink：2025 未来半导体产业发展大会 Flink未来产链 以 “ 新材料，芯未来 ”为主题 ， 从材料研发、加工工艺、装备优化、终端需求等产业难题入手。 重点聚焦 金刚石半导体 、 碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化镓、碳基电子等新型半导体技术、与封装集成、 微纳加工等方向， 挖掘未来半导体产业发展机遇。 会议话题 主题一：碳基半导体材料与器件产业发展 （一）碳基CMOS晶体管和集成电路的现状与挑战 1、碳基半导体材料设计与合成 2、碳基纳米材料在半导体中应用进展与产业化难点分析 3、碳基芯片最新进展与应用案例 （二）金刚石半导体商用化进程及难题解决方案 1、大尺寸金刚石晶圆制备技术与装备升级 2、批量化低成本金刚石晶片制备与商业化应用案例 3、金刚石薄膜热导/热阻精确测试 4、大尺寸金刚石低成本高质量磨抛 5、金刚石低温高质量键合、三维集成兼容工艺、性能测试 6、多芯粒AI芯片集成金刚石散热及可靠性 主题二：化合物半导体关键材料与功率器件 1、新型化合物半导体材料的探索与特性研究 2、化合物半导体材料的生长技术与质量控制 3、材料的掺杂技术与性能调控 4、化合物半导体功率器件的结构设计与优化 5、功率器件的制造工艺与挑战 6、化合物半导体功率器件的可靠性与寿命问题 7、高温、高压和高频应用下的功率器件性能要求与解决方案 8、化合物半导体功率器件在新能源领域的应用 9、通信与射频领域的化合物半导体功率器件需求 10、工业与医疗领域的化合物半导体功率器件应用 11、化合物半导体技术与其他先进技术的融合，如人工智能、物联网、传感器技术等 主题三：微纳加工与封装集成 1、异质融合布局 2、先进键合与封装技术 3、晶圆平坦化、等离子抛光 4、激光直写技术、激光加工（晶圆抛磨、切割等） 5、纳制造技术（纳米压印技术、刻划技术、原子操纵技术等） 说明：此文来源网络。文章不用于商业目的，仅供行业人士交流。发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562

12月19日，北京大学东莞光电研究院王琦研究员携手南方科技大学及香港大学精英团队，在金刚石薄膜材料制备和应用方面取得重要进展，成功研发大尺寸超光滑柔性金刚石薄膜的高效批量制备技术方法。 受该利好消息刺激，今日A股培育钻石板块逆势飙升，惠丰钻石股价飙升，录得30厘米的涨停佳绩，力量钻石强势封板20%，四方达大涨幅逼近20%，黄河旋风亦霸气涨停！ 01 金刚石薄膜技术重大突破 北京大学东莞光电研究院王琦研究员携手南方科技大学李携曦教授、香港大学Yuan Lin教授及褚智勤教授等顶尖学者，共同在金刚石薄膜领域取得里程碑式成就。团队成功研发出可批量生产大尺寸、超光滑、柔性金刚石薄膜的创新制备技术，并于2024年12月18日在《自然》（Nature）期刊发表题为'Scalable production of ultraflat and ultraflexible diamond membranes'的研究成果。此项技术能制备出面积达2英寸晶圆、厚度仅亚微米级、表面粗糙度低于纳米且可360°弯曲的超柔性金刚石薄膜。这些高品质薄膜以独特的超柔性更使其能直接应用于弹性应变工程和变形传感领域，超越了传统厚金刚石薄膜的局限性，使得应用领域大大拓宽。 02 金刚石战略属性凸显 金刚石（钻石），凭借其超宽禁带、卓越导热性、高载流子迁移率及强大的击穿电场强度，被誉为半导体材料中的'六边形战士'与'终极半导体'。随着技术革新不断突破，金刚石在半导体、量子计算、军事技术等高端科技领域的应用版图持续扩张，未来有望发挥举足轻重的角色。2024年8月，我国启动对人造金刚石设备与技术的出口管制，凸显其战略价值属性。 据市场调研机构Virtuemarket数据显示，2023年全球金刚石半导体基材市场价值已达1.51亿美元，并预计至2030年底将增长至3.42亿美元，2024年至2030年间的预测复合年增长率高达12.3%。我国人造钻石产业链凭借其突出的成本优势，在全球市场中独占鳌头，产量已稳居世界总产量的九成以上。国内力量钻石以2022年规划产能超过200万克拉，稳居行业第一。此外，中晶公司、沃尔德、国机精工、富耐克等企业也积极推进新的产能扩建项目，共同推动我国人造钻石产业的蓬勃发展。 03 金刚石散热技术引领AI时代新机遇 随着半导体技术不断遵循摩尔定律向更精细的纳米制程推进，TDP（热设计功耗）持续上升，芯片内部的热流密度也随之急剧增加，散热难题已然成为AI与高性能计算（HPC）领域亟待解决的核心挑战。当芯片表面温度攀升至70-80℃区间时，每增加1℃，其可靠性就会显著降低10%，而过热更是直接引发了超过半数的设备故障。金刚石是已知热导率最高的材料，其热导率是硅的13倍、碳化硅的4倍，以及铜和银的4-5倍，是当之无愧的理想散热材料。 相较于碳化硅，金刚石芯片在成本效益上展现出显著优势，理论上能够降低高达30%的成本。同时，其所需材料面积仅为硅基芯片的1/150，极大地节省了空间。在能效方面，金刚石芯片能够减少3倍的能量损耗，并且使芯片体积缩小至原来的1/4。金刚石的应用可使GPU、CPU性能提升3倍，温度降低60%，能耗降低40%，为数据中心节省数百万美元的冷却成本。 当前，钻石散热产业链正处于“从0到1”的临界点，全球范围内的各项应用正加速落地。美国AkashSystems 公司获得美国芯片法案支持，充分体现了美国对钻石散热前景的十分认可。英伟达已率先启动了钻石散热GPU的实验项目，其展现出的性能是普通芯片的三倍之多。此外，近日西班牙政府喜获欧洲委员会批准，将向人造金刚石制造商Diamond Foundry注资8100万欧元，以助力其在西班牙兴建金刚石晶圆厂。这座工厂预计于2025年启动单晶金刚石芯片的生产，标志着全球首座金刚石晶圆厂的诞生。 国内相关企业也正踊跃布局“钻石散热”技术，并在半导体金刚石衬底、薄膜及热沉等关键环节取得了显著突破。华为公布一项名为“一种半导体器件及其制作方法、集成电路、电子设备”的专利，其中涉及到金刚石散热技术。此外，力量钻石、沃尔德、国机精工、中兵红箭、黄河旋风、惠丰钻石及四方达等公司，在人造钻石用于半导体衬底、薄膜及热沉方面的应用取得突破。我国凭借完备的金刚石产业链优势，并通过对上游关键材料实施出口管控，正稳步推动钻石散热技术产业化进程，其发展速度与海外相比毫不逊色。 会议推荐 “2025未来半导体产业发展大会” 2025年 4月10-12日 苏州举行 点击扩展阅读： Flink：2025 未来半导体产业发展大会 Flink未来产链 以 “ 新材料，芯未来 ”为主题 ， 从材料研发、加工工艺、装备优化、终端需求等产业难题入手。 重点聚焦 金刚石半导体 、 碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化镓、碳基电子等新型半导体技术、与封装集成、 微纳加工等方向， 挖掘未来半导体产业发展机遇。 会议话题 主题一：碳基半导体材料与器件产业发展 （一）碳基CMOS晶体管和集成电路的现状与挑战 1、碳基半导体材料设计与合成 2、碳基纳米材料在半导体中应用进展与产业化难点分析 3、碳基芯片最新进展与应用案例 （二）金刚石半导体商用化进程及难题解决方案 1、大尺寸金刚石晶圆制备技术与装备升级 2、批量化低成本金刚石晶片制备与商业化应用案例 3、金刚石薄膜热导/热阻精确测试 4、大尺寸金刚石低成本高质量磨抛 5、金刚石低温高质量键合、三维集成兼容工艺、性能测试 6、多芯粒AI芯片集成金刚石散热及可靠性 主题二：化合物半导体关键材料与功率器件 1、新型化合物半导体材料的探索与特性研究 2、化合物半导体材料的生长技术与质量控制 3、材料的掺杂技术与性能调控 4、化合物半导体功率器件的结构设计与优化 5、功率器件的制造工艺与挑战 6、化合物半导体功率器件的可靠性与寿命问题 7、高温、高压和高频应用下的功率器件性能要求与解决方案 8、化合物半导体功率器件在新能源领域的应用 9、通信与射频领域的化合物半导体功率器件需求 10、工业与医疗领域的化合物半导体功率器件应用 11、化合物半导体技术与其他先进技术的融合，如人工智能、物联网、传感器技术等 主题三：微纳加工与封装集成 1、异质融合布局 2、先进键合与封装技术 3、晶圆平坦化、等离子抛光 4、激光直写技术、激光加工（晶圆抛磨、切割等） 5、纳制造技术（纳米压印技术、刻划技术、原子操纵技术等） 说明：来源未来产链，部分数据来源于网络资料。文章不用于商业目的，仅供行业人士交流。发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562