标签: 压敏
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压敏电阻的选用压敏电阻的选用选用压敏电阻器前，应先了解以下相关技术参数：标称电压是指在规定的温度和直流电流下，压敏电阻器两端的电压值。漏电流是指在25℃条件下，当施加最大连续直流电压时，压敏电阻器中流过的电流值。等级电压是指压敏电阻中通过8／20等级电流脉冲时在其两端呈现的电压峰值。通流量是表示施加规定的脉冲电流（8／20μs）波形时的峰值电流。浪涌环境参数包括最大浪涌电流Ipm（或最大浪涌电压Vpm和浪涌源阻抗Zo）、浪涌脉冲宽度Tt、相邻两次浪涌的最小时间间隔Tm以及在压敏电阻器的预定工作寿命期内，浪涌脉冲的总次数N等。标称电压选取一般地说，压敏电阻器常常与被保护器件或装置并联使用，在正常情况下，压敏电阻器两端的直流或交流电压应低于标称电压，即使在电源波动情况最坏时，也不应高于额定值中选择的最大连续工作电压，该最大连续工作电压值所对应的标称电压值即为选用值。对于过压保护方面的应用，压敏电压值应大于实际电路的电压值，一般应使用下式进行选择：VmA＝av／bc式中：a为电路电压波动系数，一般取1.2；v为电路直流工作电压（交流时为有效值）；b为压敏电压误差，一般取0.85；c为元件的老化系数，一般取0.9；这样计算得到的VmA实际数值是直流工作电压的1．5倍，在交流状态下还要考虑峰值，因此计算结果应扩大1．414倍。另外，选用时还必须注意：(1)必须保证在电压波动最大时，连续工作电压也不会超过最大允许值，否则将缩短压敏电阻的使用寿命；(2)在电源线与大地间使用压敏电阻时，有时由于接地不良而使线与地之间电压上升，所以通常采用比线与线间使用场合更高标称电压的压敏电阻器。压敏电阻所吸收的浪涌电流应小于产品的最大通流量。选用压敏电阻器,还要了解保护用压敏电阻的基本性能1．保护特性，当冲击源的冲击强（或冲击电流……
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压敏电阻过压保护原理及选择实例压敏电阻过压保护原理及选择实例1压敏电阻抑制雷击过电压的数学原理[pic]电路中感应到的雷击过电压可用一个冲击电压源来进行等效计算。当一个如图所示的电路遭到雷电感应时，应用冲击电压源的概念，雷击就是在原有电路中叠加一个冲击电压源VS和该高频冲击电压在线路中的等效阻抗XS（源阻抗，SourceImpedance）；由于VS>>VB，所以在分析雷击过电压时工频电压源VB可被忽略不计，如图2所示。 VB而言，设备电源线的阻抗是可以忽略不计的，但对高频率的等效雷电压冲击源VS而言，设备电源线的阻抗是不可忽略的因素，我们可以将这个阻抗看成是冲击电压源的组成部分，并称之为源阻抗XS。设备电源线的阻抗与电源线的长度和电压波的频率有关。一条长约5m的电源线，其阻抗和频率的关系如图3所示 设备的电源线存在一定的电感和分布电容，一个从电源侧侵入设备的1.2/50μs雷电压波在传播到设备的入口端时会转变成RingWave波形（假设输入阻抗无穷大且无压敏电阻保护），该波形的典型频率为100kHz，如图4所示。 压敏电阻接入电路后，如果冲击电压源VS的峰值远大于压敏电压UN，压敏电阻导通并呈低阻态。由于被保护设备的输入阻抗一般都远大于与之并联的压敏电阻的导通阻抗XV，所以流过压敏电阻的冲击电流峰值IP及其压敏电阻两端的导通电压（残压）UR均不受被保护设备的影响。压敏电阻导通时的等效电路如图5所示。[pic] 根据戴维南定理，冲击电压源的短路电流IS＝VS/XS。1）压敏……
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压敏电阻选用的基本知识压敏电阻选用的基本知识什么是压敏电阻器及其分类与参数?[pic]压敏电阻器简称VSR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。它在电路中用文字符号“RV”或“R”表示，图1-21是其电路图形符号。[pic]（一）压敏电阻器的种类压敏电阻器可以按结构、制造过程、使用材料和伏安特性分类。1．按结构分类压敏电阻器按其结构可分为结型压敏电阻器、体型压敏电阻器、单颗粒层压敏电阻器和薄膜压敏电阻器等。结型压敏电阻器是因为电阻体与金属电极之间的特殊接触，才具有了非线性特性，而体型压敏电阻器的非线性是由电阻体本身的半导体性质决定的。2．按使用材料分类压敏电阻器按其使用材料的不同可分为氧化锌压敏电阻器、碳化硅压敏电阻器、金属氧化物压敏电阻器、锗（硅）压敏电阻器、钛酸钡压敏电阻器等多种。3．按其伏安特性分类压敏电阻器按其伏安特性可分为对称型压敏电阻器（无极性）和非对称型压敏电阻器（有极性）。（二）压敏电阻器的结构特性与作用1．压敏电阻器的结构特性压敏电阻器与普通电阻器不同，它是根据半导体材料的非线性特性制成的。图1-22是压敏电阻器外形，其内部结构如图1-23所示。[pic][pic]普通电阻器遵守欧姆定律，而压敏电阻器的电压与电流则呈特殊的非线性关系。当压敏电阻器两端所加电压低于标称额定电压值时，压敏电阻器的电阻值接近无穷大，内部几乎无电流流过。当压敏电阻器两端电压略高于标称额定电压时，压敏电阻器将迅速击穿导通，并由高阻状态变为低阻状态，工作电流也急剧增大。当其两端电压低于标称额定电压时，压敏电阻器又能恢复为高阻状态。当压敏电阻器两端电压超过其最大限制电压时，压敏电阻器将完全击穿损坏……
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TVS是比压敏电阻和聚合物更好的专用ESD保护解决方案TVS是比压敏电阻和聚合物更好的专用ESD保护解决方案静电放电(ESD)会给电子设备带来破坏性的后果，但消费者对电子产品小型化和复杂功能的狂热追求正使这一问题变得更加严重。首先，外形尺寸的减小将使得集成电路(IC)更容易受到ESD损坏。其次，伴随功能复杂化不断增加的输入/输出连接器为ESD进入提供了路径。以手机为例，扬声器、键区、扩音器、充电器插口、音量键、语音键、智能键、电池接头、配件连接端口、SIM卡等都可能成为ESD的进入点。ESD会造成手机工作异常、死机，甚至损坏手机，因而当今的设计工程师必须考虑如何为设备提供最有效的ESD保护，同时满足系统尺寸和成本的要求。安森美半导体亚太区标准产品部市场营销副总裁麦满权认为，将保护器件放置在连接器或端口处是最为有效的方法，能够在ESD进入电路板之前有效抑制ESD事件的发生，这同时也是强制性ESD抑制标准IEC61000-4-2的要求。麦满权指出，有效的ESD保护已经不能完全集成到CMOS芯片当中了。这是由于半导体工艺向65nm以下转移，原来在1.5μm工艺的芯片面积上只占几十分之一(获得2kVESD保护)的ESD保护的面积已经无法容纳于现在只有几个纳米的芯片之中。在65nm工艺下，ESD保护的面积甚至超出了整个芯片的面积，因此必须考虑其它的解决办法。TVS与压敏电阻的性能比较ESD保护元件的作用是转移来自敏感元件的ESD应力，使电流流过保护元件而非敏感元件，同时维持敏感元件上的低电压；ESD保护元件还应具有低泄漏和低电容特性，不会降低电路功能；不会对高速信号造成损害，在多重应力作用下保护元件的功能不会下降。TVS(瞬态电压抑制器)、压敏电阻和聚合物器件是近几年发展起来的几种专用ESD保护元……
