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MRAMFeRAMPCM技術發展分析MRAMFeRAMPCM技術發展分析|||唐鴻／DIGITIMES||2008/11/20||||目前研發中的快閃記憶體可以分為磁性隨機存取記憶體(MagneticRAM)、非揮發性鐵電記||憶體(FerroelectricRAM)及相變化記憶體(PhaseChangeMemory；PCM或稱Ovonic||UniversalMemory；OUM) 3大類。這3類記憶體分別針對更低的耗電、更多寫入次數、更||有效清除方式，及更高效能的讀取速度…等要項進行突破…||||非揮發性記憶體的技術與應用，原本在整個系統的記憶體中屬次要的非主流零組件，主因||是在切斷電源時還能保留記憶的儲存技術，通常寫入時須採更高的工作電壓與較長的寫入||時間，且讀/寫次數壽命受限。在寫入不易、次數不多狀況下，過去非揮發性記憶體只能用||於存取次數較不頻繁的功能性元件，例如，BIOS、嵌入式系統韌體…等。||不過，隨著消費性電子產品興起，需輕薄、迷你的儲存裝置，加上NAND……

非挥发性内存目前已广泛应用于存储卡和数码录音机等小型记录介质中。……