标签: 件的

電路EMC設計與元件的選取-3维普资讯http://www.cqvip.com电Ｉ￣ＥＭＣ设计与元器件的选取（三）ＣｉｒｃｕｉｔＤｅｓｉｇｎａｎｄＣｈｏｉｃｅｏｆＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓＰａｒｔ３ＫｅｉｔｈＡｒｍｓｔｒｏｎｇ著李晓辉译（上接２００７年第５期１０９页）１、４开关电源变换器的ＥＭＣ设计取的ＥＭｃ措施就会增加产品的成本。由于有＿Ｊｆ关电源设计粗略，谐波频率高达丌关频率的ｌ０００倍，以丁不开关电源变换技术包括ＡＣ―ＤＣ变换（比如离线直流电源）、ＤＣ―ＤＣ变换（比如多种直流电压输出的电源）和Ｄｃ―ＡＣ变换（比如逆变器）。个主电源供电的逆变能通过辐射发射的测试。所以，考虑列滤波、屏蔽等相关的ＥＭＣ措施所带来的产品成本和尺Ｊ的增加，软开关技术能有效地提高电源产品的价效比。有时最佳的价效比会要求电源的效率比其所能达到的最高值低１ｆＩ２个百分点。对】ＤＣ―ＤＣ变换器，可能需曼・个１００～９３７【２尢的电阻串联到开关场效应管（ＦＥＴ）的栅极，可以有效减小传和辐射发器（比如异步电动机的变速驱动，或者低照ｕ月设备的电子变器）包含一个ＡＣ―ＤＣ变换器一个ＤＣ―ＡＣ变换器。开关电源变换的过程必然公……

机顶盒资料信源解码部分－PDF,DVB-C机顶盒信源解码部分硬件的研究……

PSpice视频教程,修改元器件的标号和参数……

下一代器件的ESD保护架构设计下一代器件的ESD保护架构设计2008年06月06日表單的頂端[pic][pic][pic][pic]表單的底部本文旨在消除对ESD保护架构的困绕，帮助设计人员采取新的措施设计出具有更高可靠性的系统。主要议题包括ESD保护器件基本原理、选取ESD保护器件的主要考虑因素以及传统ESD保护架构的缺点。最后，本文介绍了CaliforniaMicrooDevices(CMD)公司开发的具有突破性创新意义的ESD保护架构。系统设计级的ESD保护策略正在发生根本性变革，主要有两大趋势：随着系统IC向更先进工艺技术节点的转移，它们受ESD的影响越来越大；随着数据速率的不断攀升，它们对信号完整性的要求也越来越严格。处理更高数据速率的传统方法是减少ESD保护器件的电容，但这样做可能降低器件的ESD保护功能。因此系统设计师被迫在系统可靠性和信号完整性之间作出折衷。传统ESD架构已经无法提供合适的保护功能，因为它们不是针对保护这些越来越容易受ESD影响的新系统IC而设计的。前代ASIC芯片可接受的箝位电压和剩余电流值可能会损坏最新的半导体器件。另外，像USB2.0,HDMI和DisplayPort等高速数据接口的普及也增加了保持高等级信号完整性同时确保强大ESD保护性能的复杂性。不断变化的应用环境也增加了ESD的易感性。大量笔记本电脑和手持设备(如手机、MP3播放器、数码相机和其它移动设备)都是在不受控的环境中使用(即没有接地的腕带或良好导电和接地的桌面)。在这些环境中，人们在插拔电缆时经常会碰到I/O连接器引脚。另外，便携式设备在正常使用期间(比如用包携带时)会累积电荷，一旦它们连接到另外一台设备(如台式……

脉冲C类固态功率放大组件的指标分析维普资讯http://www.cqvip.com２ｏ（总ｏ２手第８第Ｏ期３期）现代电子Ｎｏ．３２００２ＭｏｄｅｒｎＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ（ＳｅｒｉｅｓＮｏ．８０）脉冲Ｃ类固态功率放大组件的指标分析ＴｈｅＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＰｕｌｓｅｄＣｌａｓｓＣＰｏｗｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒＭｏｄｕｌｅ陈俐（华东电子工程研究所，合肥２３００３１）”【摘要】对脉冲Ｃ类固态功放组件的技术指标以及影响这些指标的因素作了分析，提出了一些改进设计的方法。这些方法已在实验中得到很好的验证。关键词功放组件Ａｂｓｔｒａｃｔ：脉冲驻波ＴｈｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｐｕｌｓｅｄＣｌａＳＳＣｐｏｗｅｒａｍｐｌｉｆｉｅｒｍｏｄｕｌｅａｎｄｆａｃｔｏｒｓｅｆｆｅｅｔｉｎｇｏｎｔｈｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｍｏｄｕｌｅａｒｅｅｘｐｌａｉｎｅｄｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ．Ｓｏｍｅｍｅｔｈｏｄｓａｒｅｓｕｇｇｅｓｔｅｄ……

毫米波宽带集成本振混频组件的研究维普资讯http://www.cqvip.com第２９卷第１期电子科技大学学报ＪｏｕｍｏｆＬＴＥＳＴｏｆＣｈｉｎａ、ｂｌ２９Ｎ０Ｆｅｂ２０００２０ｏｏ年２月毫米波宽带集成本振混频组件的研究卜徐军”龙李超―――ｉ雨＝科技大学应甬；＿盘邦６１ｏ０５４）Ｖ－ｇ７７；０／／７ｚ一７【摘要】舟绍了一种蛄构紧凑的一体化混合集成本振混额组件和工程设计方法。谊组件由具有机械调谐功能的鳍线耿氏振荡器与采用墒化鳍践―微带魔蛄构制作的单平衡混额器连接构成。设计制作的工程样品在Ｋａ频段的测试指标为：本振工作在３５ＧＨｚ，射频在２６．５，－４０ＧＨｚ的频率范胃内变化时，蛆件的变额损耗为４．７￣９．５ｄＢ；中额选定为１００Ⅷｚ，射频随本振在３３―３７ＧＨｚ的４ＧＨｚ机调带宽内变化时组件的变赣损耗为４．９－－６．２ｄＢ。、．关键词鳍线：微带：苎堕；！堡；查苎！！丝：ｊ坟豸中圈分类号ＴＮ７４；ＴＮ７５。。／毫米波技术在通信、雷达、制导、电子对抗等领域已得到越来越广泛的应用在各类毫……

非线性器件的IP3、IM3及其它技术文件技术文件名称：（小四）非线性器件的IP3、IM3及相关参数技术文件编号：（小四）版本：（小四）文件质量等级：（小四）共12页（包括封面）拟制审核会签标准化批准目录非线性器件的IP3、IM3及相关参数21概述22非线性器件分析22.1非线性器件分析方法22.2非线性器件特性的幂级数分析22.3输入信号为等幅双音信号时，非线性器件输出信号分析43非线性器件的IP3、IM3及相关参数分析53.1IP3、IP2分析53.2各参数之间的关系73.3应用84多级级联非线性器件的IP3分析84.1多级级联非线性器件的IP3计算84.2两级级联非线性器件的IP3推导85试验105.1目的105.2内容105.3……

应用文档027-带封装的半导体器件的从热阻推导出结温的方法【应用文档027】根据热阻计算出结温-----------------------------------------------------------------------------------对于带封装的半导体器件的从热阻推导出结温的方法目录关键词中英文对照...................................................................................................................2热阻模型...................................................................................................................................2例子...........................................................................................................................................3条件...................................................................................................................................3计算.......................................................................................................................……

非线性器件的IP3、IM3及其它技术文参数件技术文件名称：（小四）技术文件编号：（小四）版本：（小四）非线性器件的IP3、IM3及相关文件质量等级：（小四）共12页（包括封面）拟审会制核签标准化批准目录非线性器件的IP3、IM3及相关参数.................................................................................21概述..........................................................................................................................22非线性器件分析........................................................................................................22.1非线性器件分析方法...................................................................................22.2非线性器件特性的幂级数分析.....................................................................22.3输入信号为等幅双音信号时，非线性器件输出信号分析...............................43非线性器件的IP3、IM3及相关参数分析..............................................……

可编程逻辑器件的原理,可编程逻辑器件的原理……

功率集成电路中自举元件的选择DT98-2___________________________________________________________________________________设计指南功率驱动集成电路中自举元件的选择1.自举电路工作原理Vbs(驱动电路Vb和Vs管脚之间的电压差)给集成电路高端驱动电路提供电源。该电源电压必须在10-20V之间，以确保驱动集成电路能够完全地驱动MOS栅极器件(MGT)。IR公司的部分驱动集成电路有Vbs欠压保护，当Vbs电压下降到一定值时(见数据表中Vbsuv)，将关闭高端驱动输出，这保证了MGT不会在高功耗下工作。Vbs电源是悬浮电源，附加在Vs电压上(Vs通常是一个高频的方波)。有许多方法可以产生Vbs悬浮电源，其中一种如本文中介绍的自举方式。这种方式的好处是简单、低廉，但也有局限性。占空比和开通时间受限于自举电容的再充电(长时间导通和大占空比时要求有充电泵电路支持,见AN978)，自举电源由二极管和电容组成，如图1所示。DbsVdcVccVbHoCbsVsRQ1TolowsideloadorFET图1.自举二极管和电容电路电路的工作原理如下，当Vs被拉到地时(通过下端器件或负载，视电路结构而定)，15VVcc电源通过自举二极管(Dbs)给自举电容(Cbs)充电。因此给Vbs提供一个电源。DT98-2___________________________________________________________________________________2.影响自举电源的因素有五种以下因素影响对Vds电源的要求：a)MGT栅极电荷要求。b)Iqbs：……

常用电子元器件的识别方法常用电子元器件的识别方法常用元器件的识别一、电阻电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472表示47×100Ω（即4.7K）；104则表示100Kb、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻（精密电阻）2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色有效数字倍率允许偏差（%）银色/x0.01±10金色/x0.1±5黑色0+0/棕色1x10±1红色2x100±2橙色3x1000/黄色4x10000/绿色5x100000±0.5蓝色6x1000000±0.2紫色7x10000000±0.1灰色8x100000000/白色9x1000000000/二、电容1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3 种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）其中：1法拉=103毫法=106微法=1……

石英晶体元器件的使用指南石英晶体元器件的使用指南目录1、晶体元件的主要参数1.1等效电路1.2晶体元件的频率1.3频差1.4频率温度特性1.5激励电平的影响1.6老化1.7寄生响应1.8负载电容和频率牵引2、术语3、晶体元器件在电路中的应用3.1彩电3.2电话3.3无绳电话与手机3.4PC机及单片机3.5光通信4、应用中存在的问题与分析4.1系统误差问题4.2晶体参数选择4.3电路与晶体的配合(振荡器)4.4工作环境与可靠性1、晶体元件参数1.1等效电路作为一个电气元件，晶体是由一选定的晶片，连同在石英上形成电场能够导电的电极及防护壳罩和内部支架装置所组成。晶体谐振器的等效电路图见图1。等效电路由动态参数L1、C1、R1和并电容C0组成。这些参数之间都是有联系的，一个参数变化时可能会引起其他参数变化。而这些等效电路的参数值跟晶体的切型、振动模式、工作频率及制造商实施的具体设计方案关系极大。下面的两个等式是工程上常用的近似式：角频率ω=1/[pic]品质因数Q=ωL1/R1其中L1为等效动电感，单位mHC1为等效电容，也叫动态电容，单位fFR1为等效电阻，一般叫谐振电阻，单位Ω图2、图3、图4给出了各种频率范围和各种切型实现参数L1、……

微波介质材料与器件的发展第6期2004年6月电子元件与材料ELECTRONICCOMPONENTS&MATERIALSVol.23No.6Jun.2004电子陶瓷微波介质材料与器件的发展章锦泰1，许赛卿2，周东祥3，熊兆贤4，方永汉5（１．成都宏明电子股份有限公司，四川成都６１００５８；２．浙江正原电气股份有限公司，浙江嘉兴３１４００３；３．华中科技大学，湖北武汉４３００７４；４．厦门大学，福建厦门３６１００５；５．上海大学，上海２０１８００）摘要：详细论述了微波介质材料与器件国内外现状和技术发展趋势，分析了应用前景和国内市场需求，对我国“十一・五”发展方向和重点研究课题提出了建议。关键词：微波介质材料；微波陶瓷器件；介质谐振器；介质天线；低温共烧陶瓷中图分类号：TM28；TN61文献标识码：A文章编号：1001-2028（2004）06-0006-04DevelopmentofMicrowaveDielectricMaterialsandItsApplicationsZHANGJin-tai1,XUSai-qing2,ZHOUDong-xiang3,XIONGZhao-xian4,FANGYong-han5(1.HongmingElectronicsCo.,Ltd.,Chengdu610058,China;2.ZhejiangZhengyuanElectricCo.,Ltd,Jiaxing314003,China;3.HuazhongUniversityofScienceandTechnology,Wuhan430074,China;4.……