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廢舊電池的危害及回收利用……

静电冲击ESD的危害和相应的电路防护措施静电冲击ESD的危害和相应的电路防护措施李勇军静电冲击ESD对电子设备的危害极大欧洲从1996年就开始对电子设备抗静电冲击的能力提出了标准未达标的产品在欧洲很难销售半导体芯片制造商对ESD问题也倾注了很高的热情对于那些与外界有接口的电路或芯片如RS-232RS-485串行接口模拟开关等ICESD问题更显得重要本文将讨论ESD的来源造成的危害和相应的防护措施以及如何测试集成电路的防静电冲击能力ESD的来源及其危害两种不同的材料进行摩擦后可能一个带上正电荷另一个带上负电荷两者之间产生一定的电压差电压的大小取决于材料的性质空气的干燥度和其它一些因素如果带静电的物体靠近一个接地的导体会产生强烈的瞬间放电这就是静电冲击ElectroStaticDischarge一般来讲带静电的物体在理论上可以简单模拟成一个被充电到很高电压的小电容当集成电路IC经受ESD时放电回路的电阻通常都很小无法限制放电电流例如将带静电的电缆插到电路接口上时放电回路的电阻几乎为零造成可高达几十安培的瞬间放电尖峰电流流入相应的IC管脚瞬间大电流会严重损伤IC局部发热的热量甚至会融化硅片管芯ESD对IC的损伤一般还包括内部金属连接被烧断钝化层被破坏晶体管单元被烧坏ESD还会引起IC的死锁LATCHUP这种效应和CMOS器件内部的类似可控硅的结构单元被激活有关高电压可激活这些结构形成大电流通道一般是从VCC到地串行接口器件的锁死电流可高达1安培锁死电流会一直保持直到器件被断电不过到那时IC通常早已因过热而烧毁了对串行接口器件来说ESD会使IC工作不正常通讯出现误码严重的会彻底损坏为分析故障现象MAX……

手机ESD的危害和控制手机ESD的危害和控制摘要:介绍了手机的工作原理及存在的静电问题；从实现出发，重点阐述了手机的结构设计、PCB设计、电路设计中的应注意的问题，提出了手机设计中静电防护和改进的措施。关键词:ESD静电TVS静电是人们非常熟悉的一种自然现象。静电的许多功能已经应用到军工或民用产品中，如静电除尘、静电喷涂、静电分离、静电复印等。然而，静电放电ESD（Electro-Static Discharge）却又成为电子产品和设备的一种危害，造成电子产品和设备的功能紊乱甚至部件损坏。现代半导体器件的规模越来越大，工作电压越来越低，导致了半导体器件对外界电磁骚扰敏感程度也大大提高。ESD对于电路引起的干扰、对元器件、CMOS电路及接口电路造成的破坏等问题越来越引起人们的重视。电子设备的ESD也开始作为电磁兼容性测试的一项重要内容写入国家标准和国际标准。本文就ESD的形成机理、对电子产品的危害，重点就手机设计中的ESD问题及防护和设备改善做了简单研究。1．静电成因及其危害静电是两种介电系数不同的物质磨擦时，正负极性的电荷分别积累在两个物体上而形成。当两个物体接触时，其中一个从另一个吸引电子，因而二者会形成不同的充电电位。就人体而言，衣服与皮肤之间的磨擦发生的静电是人体带电的主要原因之一。静电源与其它物体接触时，依据电荷中和的原则，存在着电荷流动，传送足够的电量以抵消电压。在高速电量的传送过程中，将产生潜在的破坏电压、电流以及电磁场，严重时将其中物体击毁……