tag 标签: question

相关资源
  • 所需E币: 4
    时间: 2020-1-10 12:53
    大小: 774.84KB
    上传者: 16245458_qq.com
    PCB(freeisbetter),PCB_Layout_All_Question……
  • 所需E币: 5
    时间: 2020-1-14 13:27
    大小: 150KB
    上传者: quw431979_163.com
    RFICQuestion发现问题解决问题发现问题解决问题1.Bipolar和MOSFET管的噪声系数分别取决于什么?Answer:(1)Bipolartransistors,whosebaseresistancetypicallydominatesthenoisefigure;MOSfetsexhibitonlyoneprimarysourceofnoise,thatgeneratedinthechannel.Thus,insubmicrontechnologies,areasonablecombinationofdeviceandbiascurrentmayprovideacceptablylownoise.(2)GateresistanceofMOSdevicesalsocontributesthermalnoise,whocanbeminimizedbylayingoutthetransistorasaparallelcombinationofmanynarrowdevice.取决于不同工艺(GaAs,CMOS,Bipolar,Bicmos)SiGe和体Si是衬底介质,应用于RFIC设计的工艺有CMOS工艺、BiCMOS工艺、双极工艺和砷化稼(GaAs)工艺等.在这些技术中,由于砷化稼技术不能集成低压大规模数字IC和D/A转换器,因此不适合系统集成芯片(SOC)的要求;尽管基于锗硅工艺的硅异质结器件……