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安规电容的使用参考X电容分类表|小类|使用时的峰值脉冲电|绝缘类型IE|应用|||压|C664||||kV||||X1|>2.5|Ⅲ|高脉冲应用|||≤4.0||||X2|≤2.5|Ⅱ|一般用途||X3|≤1.2|--|一般用途|X类电容器适用于电容器失效时不会导致电击危险的场合。Y电容分类表|小类|跨接的绝缘类型|额定电压|耐久性试验前施加的峰值脉冲||||V|电压|||||kV||Y1|双重绝缘或增强绝缘|≥250|8.0||Y2|基本绝缘或辅助绝缘|≥150|5.0|||……

扬声器常用参数的定义扬声器常用参数的物理意义扬声器的参数是指采用专用的扬声器测试系统所测试出来的扬声器具体的各种性能参数值.其常用的参数主要包括:Z,Fo,η0,    SPL,Qts,Qms,Qes,Vas,Mms,Cms,Sd,BL,Xmax,Gapgauss.以下分别是这几种参数其物理意义.    1.1Z:是指扬声器的电阻值,包括有:额定阻抗和直流阻抗.(单位:欧姆/ohm),通常指额定阻抗.    扬声器的额定阻抗Z:即为阻抗曲线第一个极大值后面的最小阻抗模值,即图1中点B所对应的阻抗值.它是计算扬声器电功率的基准.    直流阻抗DCR:是指在音圈线圈静止的情况下,通以直流信号,而测试出的阻抗值.我们通常所说的4欧或者8欧是指额定阻抗.    1.2Fo(最低共振频率)是指扬声器阻抗曲线第一个极大值对应的频率.    单位:赫兹(Hz).    扬声器的阻抗曲线图是扬声器在正常工作条件下,用恒流法或恒压法测得的扬声器阻抗模值随频率变化的曲线.    1.3η0(扬声器的效率):是指扬声器输出声功率与输入电功率的比率.    1.4SPL(声压级):是指喇叭在通以额定阻抗1W的电功率的电压时,在参考轴上与喇叭相距1m的点上产生的声压.单位:分贝(dB).    1.5Qts:扬声器的总品质因数值.    1.6Qms:扬声器的机械品质因数值.    1.7Qes:扬声器的电品质因数值.    1.8Vas(喇叭的有效容积):是指密闭在刚性容器中空气的声顺与扬声器单元的声顺相等时的容积.单位:升(L).    1.9Mms(振动质量):是指扬声器在运动过程中参与振动各部件的质量总和,包括鼓纸部分,音圈,弹波以及参与振动的空气质量等.单……

肖特基二极管原理和常用参数和检测方法肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD（SchottkyBarrierDiode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。肖特基二极管（SchottkyBarrierDiode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导……