标签: mcu内部eeprom操作

这两天一直在纠结PIC24F单片机内部的EEPROM操作，现在终于算得上有了一定的了解，现将其写下供大家参考和指出相关的问题。   PIC24F单片机内部有256字的内存（不同的型号可能不同），它的寻址方式是字寻址，当每读写一个字后，它的地址指针好像跟外部的EEPROM有所不同，不会自动的增加，需要人为的对地址指针进行增加或减小，不过同样有数据覆盖的特点。   目前，我还没有找到完全用C代码读写EEPROM的方法，用的是行内汇编和编译器自带的函数，其实对EEPROM的操作也不是很难，就是当初没有这方面的概念，对于内部的EEPROM的读写，编译器其实就已经给我们提供了两个函数。就是在帮助文件中漫无思想的寻找很纠结。首先介绍几个概念，表读指令TBLRD，表写指令TBLWT,几个内建函数 __builtin_tblpage_  __builtin_tbloffset_ ......这些函数涉及到汇编的知识，帮助文件中有详细的说明，大家可以自己去看看。   这是编译器自带的读EEPROM操作，是用宏定义做的 #define eedata_read(src, offset, dest) {  \   register int eedata_addr;               \   register int eedata_val;                \                                           \   eedata_addr = __builtin_tbloffset(src)+offset; \   __asm__("tblrdl , %0" : "=r"(eedata_val) : "r"(eedata_addr)); \   dest = eedata_val;                      \   }   大家可能很郁闷，为什么不用函数呢？确实用函数做不是会更明了吗，后来我试了一下改写成函数的形式，发现表页地址不能当做参数来进行传递，否则编译器会报错，大家可以自己去尝试一下，具体的我也不是很明白，这个读操作找了我好久呀！ 写操作部分比较简单  uint16 __attribute__((space(eedata))) user_data ;  _prog_addressT p;   _init_prog_address(p, user_data);   _write_eedata_word(p, 0xxxxx);     _wait_eedata();   首先要在内部的EEPROM区域得到一个待写入数据的地址。写操作函数的二个参数依次为写入的地址，待写入的值，之后还有一个等待指令，用来查看操作是否已经完成，这里面的操作都有关于单片机内部存储器的，所以有点晕。还有在读写一个字节后，地址指针要移动两个单位，因为它是按照字寻址方式的。   现在算是对内部的EEPROM有了一定的了解，不过还有很多的地方并没有搞明白，暂时先写这么多吧！