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  • 2020-11-27 11:34
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    超简单:常见电平转换电路
    电平转换电路常用于串口电平转换,5V转3.3V 3.3V转5V mos管也是如此,上图的三极管是NPN,可以用一个N-MOS直接替换掉,pin对pin,一般GD压差4.5V完全导通,3.3V问题不大。 用光耦和电阻分压进行电平转换这里不讨论,光耦一般是用来隔离的,如果共地的话就相当于电平转换了。 有些时候需要把24V或者12V转化为单片机能够识别的ttl电平,以下电路就是通过一个肖特基二极管加一个单片机端上拉电阻完成的。 有些时候需要把ttl电平转成12V,或者24V
  • 热度 2
    2019-9-11 21:42
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    原文地址(有视频教程):https://mp.weixin.qq.com/s/Clsw41Chrx40TAzXR5Ugew
  • 热度 9
    2019-4-11 10:49
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    掌握这些硬件原理图中的“英文缩写”大全,看懂原理图!
    常用控制接口 EN:Enable,使能。使芯片能够工作。要用的时候,就打开EN脚,不用的时候就关闭。有些芯片是高使能,有些是低使能,要看规格书才知道。 CS:Chip Select,片选。芯片的选择。通常用于发数据的时候选择哪个芯片接收。例如一根SPI总线可以挂载多个设备,DDR总线上也会挂载多颗DDR内存芯片,此时就需要CS来控制把数据发给哪个设备。 RST:Reset,重启。有些时候简称为R或者全称RESET。也有些时候标注RST_N,表示Reset信号是拉低生效。 INT:Interrupt,中断。前面的文章提到过,中断的意思,就是你正睡觉的时候有人把你摇醒了,或者你正看电影的时候女朋友来了个电话。 PD:Power Down,断电。断电不一定非要把芯片的外部供电给断掉,如果芯片自带PD脚,直接拉一下PD脚,也相当于断电了。摄像头上会用到这根线,因为一般的摄像头有3组供电,要控制三个电源直接断电,不如直接操作PD脚来的简单。(在USB Type-C接口中有一个Power Delivery也叫PD,跟这个完全不一样,不要看错了。) CLK:Clock,时钟。时钟线容易干扰别人也容易被别人干扰,Layout的时候需要保护好。对于数字传输总线的时钟,一般都标称为xxx_xCLK,如SPI_CLK、SDIO_CLK、I2S_MCLK(Main Clock)等。对于系统时钟,往往会用标注频率。如SYS_26M、32K等。标了数字而不标CLK三个字,也是无所谓的,因为只有时钟才会这么标。 CTRL:control,控制。写CONTROL太长了,所以都简写为CTRL,或者有时候用CMD(Command)。 SW:Switch,开关。信号线开关、按键开关等都可以用SW。 PWM:PWM,这个已经很清晰了。 REF:Reference,参考。例如I_REF,V_REF等。参考电流、参考电压。 FB:Feedback。反馈。升压、降压电路上都会有反馈信号,意义和Reference是类似的,芯片根据外部采集来的电压高低,动态调整输出。外部电压偏低了,就加大输出,外部电压偏高了,就减小输出。 A/D:Analog/Digital,模拟和数字的。如DBB=Digital Baseband,AGNG=Analog Ground。 D/DATA:数据。I2C上叫做SDA(Serial DATA),SPI上叫做SPI_DI、SPI_DO(Data In,Data Out),DDR数据线上叫做D0,D1,D32等。 A/Address:地址线。用法同数据线。主要用在DDR等地址和数据分开的传输接口上。其他的接口,慢的像I2C、SPI,快的像MIPI、RJ45等,都是地址和数据放在一组线上传输的,就没有地址线了。 常用方向的标识 TX/RX:Transmit,Receive。发送和接收。这个概念用在串口(UART)上是最多的,一根线负责发送,一根线负责接收。这里要特别注意,一台设备的发送,对应另一台设备就是接收,TX要接到RX上去。如果TX接TX,两个都发送,就收不到数据了。 为了防止出错,可以标注为:UART1_MRST、UART1_MTSR。Master RX Slave TX的意思。Master就是主控芯片,Slave就是从设备。TX、RX很容易标错的,尤其是原理图有几十页的情况下。 P/N:Positive、Negative。正和负。用于差分信号线。现在除了DDR和SDIO之外,其他很少有并行数据传输接口了。USB、LAN、MIPI的LCD和Camera、SATA等等,高速数据总线几乎都变成了串行传输数据了。 串行信号线速度很高,随便就上GHz,电压很低只有几百毫伏,因此很容易被干扰,要做成差分信号,即用两根线传一个数据,一个传正的一个传负的。传到另外一边,数据相减,干扰信号被减掉,数据信号负负得正被加倍。 对于RESET_N这样的信号来讲,只起到重点标注的作用,表示这个RESET信号是拉低才生效的。大部分设备都是低有效的RESET,偶尔会有一些设备拉高RESET。 L/R:Left、Right。通常用于音频线,区分左右。有些时候如喇叭的信号是通过差分来传输的,就是SPK_L_N、SPK_L_P这样的标识。 如下图,某2.1声道智能音箱音频输出(喇叭连接器端)。TAS5751是音频功放,HF是高频High frequency(2.1音响有专门的低频输出)。P和N用 和-代替。 常用设备缩写 BB:Baseband,基带处理器。十几年前的的手机芯片只有通信功能,没有这么强大的AP(跑系统的CPU),手机里的主芯片都叫做Baseband基带芯片。后来手机性能强大了,还是有很多老工程师习惯把主芯片叫做BB,而不是叫CPU。 P(GPIO):很多小芯片,例如单片机,接口通用化比较高,大部分都是GPIO口,做什么用都行,就不在管脚上标那么清楚了,直接用P1,P2,P1_3这样的方式来标明。P多少就是第多少个GPIO。P1_3就是第1组的第3个GPIO。(不同组的GPIO可能电压域不一样) BAT:Battery,电池。所有的电池电压都可以叫做VBAT。 CHG:Charge,充电。 CAM:Camera,摄像头。 LCD:显示器 TP:Touch Panel,触摸屏。(注意不要和Test Point测试点搞混了) DC:Direct Current,直流电。用在设备上通常用作外部直流输入接口,而不是指供电方式或者供电电压什么的。例如VCC_DC_IN的含义,就是外部DC接口供电。
  • 热度 6
    2018-9-9 21:51
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    【博客大赛】开关电源:“你好,电感!:)”
    设计一个好的开关电源,需要很多步骤,这里我们就从输出的电感着手,聊一聊电感本身,以及在设计开关电源的过程中,如何确定电感相关参数或者说如何选型一个电感。 先来老生常谈一下,说说电感的定义。电感是常用的电子元件,由于它的电压和电流相位不同,所以理想模型上损耗应该是零。电感作为储能元件,与电容一起用在输入、输出滤波电路上。电感也被称为扼流圈,特点是流过其上的电流有 “很大的惯性 ”。换句话说,由于磁通连续特性,电感上的电流必须是连续的,否则将会产生很大的 电压尖峰。 实际电感和理想电感还是有区别的,随着频率的变化,其阻抗不是线性的变化,可以从图( 1 )中感受一下,红色直线代表理想电感,紫色的曲线代表实际电感, 图(1) 很显然,实际电感随着频率的增加,其本身的特性又可以说是等效电路发生了变化,如图( 2 )。理想电感等效电路如图( 2 ) .a 。在频率较低的时候,实际电感等效电路如图( 2 ) .b ,是一个理想电感串联一个理想电阻。在高频电路分析的时候,实际电感等效电阻电路如图( 2 ) .c, 是一个理想电感串联一个理想电阻后再和一个理想电容并联。分析了实际电感的等效电路后,回过头我们去看图( 1 )中实际电感的频率响应曲线就不难理解了。 图(2) 以上是对电感的物理模型做了一些简单的分析,实际电感针对不同的应用场合,衍生出了很多形式,本文主要分析的是线圈形式的电感以及片式电感即表面贴装电感,当然变压器也是电感的一种形式,这里不做详细分析, 常见的线圈形式的电感分类如下: *按电感形式分类: 固定电感、可变电感。 * 按导磁体性质分类: 空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 * 按工作性质分类: 天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 * 按绕线结构分类: 单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 * 按工作频率分类: 高频线圈、低频线圈。 * 按结构特点分类: 磁芯线圈、可变电感线圈、色码电感线圈、无磁芯线圈等。 常见的片式电感分类如下: *绕线型: 它的特点是电感量范围广,电感量精度高,损耗小(即 Q大),容许电流大、制作工艺继承性强、简单、成本低等,但不足之处是在进一步小型化方面受到限制。 *叠层型: 它具有良好的磁屏蔽性、烧结密度高、机械强度好。不足之处是合格率低、成本高、电感量较小、Q值低。 *薄膜片式: 具有在微波频段保持高Q、高精度、高稳定性和小体积的特性。其内电极集中于同一层面,磁场分布集中,能确保装贴后的器件参数变化不大,在100MHz以上呈现良好的频率特性。 *编织型: 特点是在1MHz下的单位体积电感量比其它片式电感器大、体积小、 容易安装在基片上。用作功率处理的微型磁性元件。 在实际应用中,我们主要关注电感的这些参数:电感量( L )及允许误差、感抗( XL )、品质因数( Q 值)、分布电容、直流电阻、标称电流等。图( 3 )就是一颗典型电感的参数表,开关电源电路设计更是要仔细考虑,仿真计算以及累计的经验来选型对应的电感。 图(3) 在实际电路设计中,潮湿与干燥,环境温度的高低,高频或低频环境,要让电感表现的是感性,还是阻抗特性等,以及带不带屏蔽壳,应用时候饱不饱和,都是我们电路设计要考虑的因素。 更多好玩有趣的项目,可关注ZcorePlayer公众号哟~~ :
  • 热度 6
    2018-5-31 15:11
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    可控硅设计经验总结
    过去的几个智能开关项目中,频繁使用可控硅作为无触点开关,期间由于个人对可控硅设计认知粗糙的原因,跳入了好几个“坑”,现在对可控硅设计知识要点进行总结,罗列如下: 可控硅类别: a.单向可控硅:门极带阻灵敏型单向可控硅、门极灵敏型单向可控硅、标准型单向可控硅······ b.双向可控硅:标准型双向可控硅、四象限双向可控硅、洗衣机专用双向可控硅、高结温双向可控硅、瞬态抑制型双向可控硅······ c.电力电子可控硅:电力电子可控硅模块芯片、电力电子可控硅模块组件 可控硅等效结构: 单向可控硅 双向可控硅 对于一个可控硅,主要看其5个参数: 额定平均电流、维持电流、控制极触发电压和电流、 正向阻断峰值电压、反向阻断峰值电压 案例1:该电路能否将灯点亮? 解析: 不能,由于控制可控硅关断的1,3引脚没有通路 案例2:该电路负载通断不受MOC3021控制? 解析: 不受控制,对于交流电,可以不经过MOC3021而直接流过可控硅的1,3引脚使其处于控制极导通状态 理解可控硅的“象限”—— 1、为何需要有“象限”这个概念?“象限”通用命名法?(个人认为:对于象限概念的提出,是为了更好地描述、理解可控硅的特性,就如同笛卡尔引入直角坐标系是为了更好地描述二维数据) 2、不同象限可控硅可靠性探究? 第一象限:MT2+ Igt+ 第二象限:MT2+ Igt- 第三象限:MT2 - Igt- 第四象限:MT2 - Igt+ 可控硅从导通到底关断的条件? 1、单独撤去控制极电压? 2、MT1,MT2电流小于导通维持电流? 解析:可控硅MT1、MT2流过的电流小于导通维持电流时,可控硅关断,但是单独撤去可控硅控制极电压时,需等到第2个条件满足时才会关断 可控硅JST24、BTA16驱动电流Igt 一个改进型的可控硅例子 可控硅设计十条黄金规则 1.为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑; 2.要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须
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