tag 标签: 电路

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    2020-11-27 11:34
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    超简单:常见电平转换电路
    电平转换电路常用于串口电平转换,5V转3.3V 3.3V转5V mos管也是如此,上图的三极管是NPN,可以用一个N-MOS直接替换掉,pin对pin,一般GD压差4.5V完全导通,3.3V问题不大。 用光耦和电阻分压进行电平转换这里不讨论,光耦一般是用来隔离的,如果共地的话就相当于电平转换了。 有些时候需要把24V或者12V转化为单片机能够识别的ttl电平,以下电路就是通过一个肖特基二极管加一个单片机端上拉电阻完成的。 有些时候需要把ttl电平转成12V,或者24V
  • 热度 2
    2019-9-11 21:42
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    原文地址(有视频教程):https://mp.weixin.qq.com/s/Clsw41Chrx40TAzXR5Ugew
  • 热度 9
    2019-4-11 10:49
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    掌握这些硬件原理图中的“英文缩写”大全,看懂原理图!
    常用控制接口 EN:Enable,使能。使芯片能够工作。要用的时候,就打开EN脚,不用的时候就关闭。有些芯片是高使能,有些是低使能,要看规格书才知道。 CS:Chip Select,片选。芯片的选择。通常用于发数据的时候选择哪个芯片接收。例如一根SPI总线可以挂载多个设备,DDR总线上也会挂载多颗DDR内存芯片,此时就需要CS来控制把数据发给哪个设备。 RST:Reset,重启。有些时候简称为R或者全称RESET。也有些时候标注RST_N,表示Reset信号是拉低生效。 INT:Interrupt,中断。前面的文章提到过,中断的意思,就是你正睡觉的时候有人把你摇醒了,或者你正看电影的时候女朋友来了个电话。 PD:Power Down,断电。断电不一定非要把芯片的外部供电给断掉,如果芯片自带PD脚,直接拉一下PD脚,也相当于断电了。摄像头上会用到这根线,因为一般的摄像头有3组供电,要控制三个电源直接断电,不如直接操作PD脚来的简单。(在USB Type-C接口中有一个Power Delivery也叫PD,跟这个完全不一样,不要看错了。) CLK:Clock,时钟。时钟线容易干扰别人也容易被别人干扰,Layout的时候需要保护好。对于数字传输总线的时钟,一般都标称为xxx_xCLK,如SPI_CLK、SDIO_CLK、I2S_MCLK(Main Clock)等。对于系统时钟,往往会用标注频率。如SYS_26M、32K等。标了数字而不标CLK三个字,也是无所谓的,因为只有时钟才会这么标。 CTRL:control,控制。写CONTROL太长了,所以都简写为CTRL,或者有时候用CMD(Command)。 SW:Switch,开关。信号线开关、按键开关等都可以用SW。 PWM:PWM,这个已经很清晰了。 REF:Reference,参考。例如I_REF,V_REF等。参考电流、参考电压。 FB:Feedback。反馈。升压、降压电路上都会有反馈信号,意义和Reference是类似的,芯片根据外部采集来的电压高低,动态调整输出。外部电压偏低了,就加大输出,外部电压偏高了,就减小输出。 A/D:Analog/Digital,模拟和数字的。如DBB=Digital Baseband,AGNG=Analog Ground。 D/DATA:数据。I2C上叫做SDA(Serial DATA),SPI上叫做SPI_DI、SPI_DO(Data In,Data Out),DDR数据线上叫做D0,D1,D32等。 A/Address:地址线。用法同数据线。主要用在DDR等地址和数据分开的传输接口上。其他的接口,慢的像I2C、SPI,快的像MIPI、RJ45等,都是地址和数据放在一组线上传输的,就没有地址线了。 常用方向的标识 TX/RX:Transmit,Receive。发送和接收。这个概念用在串口(UART)上是最多的,一根线负责发送,一根线负责接收。这里要特别注意,一台设备的发送,对应另一台设备就是接收,TX要接到RX上去。如果TX接TX,两个都发送,就收不到数据了。 为了防止出错,可以标注为:UART1_MRST、UART1_MTSR。Master RX Slave TX的意思。Master就是主控芯片,Slave就是从设备。TX、RX很容易标错的,尤其是原理图有几十页的情况下。 P/N:Positive、Negative。正和负。用于差分信号线。现在除了DDR和SDIO之外,其他很少有并行数据传输接口了。USB、LAN、MIPI的LCD和Camera、SATA等等,高速数据总线几乎都变成了串行传输数据了。 串行信号线速度很高,随便就上GHz,电压很低只有几百毫伏,因此很容易被干扰,要做成差分信号,即用两根线传一个数据,一个传正的一个传负的。传到另外一边,数据相减,干扰信号被减掉,数据信号负负得正被加倍。 对于RESET_N这样的信号来讲,只起到重点标注的作用,表示这个RESET信号是拉低才生效的。大部分设备都是低有效的RESET,偶尔会有一些设备拉高RESET。 L/R:Left、Right。通常用于音频线,区分左右。有些时候如喇叭的信号是通过差分来传输的,就是SPK_L_N、SPK_L_P这样的标识。 如下图,某2.1声道智能音箱音频输出(喇叭连接器端)。TAS5751是音频功放,HF是高频High frequency(2.1音响有专门的低频输出)。P和N用 和-代替。 常用设备缩写 BB:Baseband,基带处理器。十几年前的的手机芯片只有通信功能,没有这么强大的AP(跑系统的CPU),手机里的主芯片都叫做Baseband基带芯片。后来手机性能强大了,还是有很多老工程师习惯把主芯片叫做BB,而不是叫CPU。 P(GPIO):很多小芯片,例如单片机,接口通用化比较高,大部分都是GPIO口,做什么用都行,就不在管脚上标那么清楚了,直接用P1,P2,P1_3这样的方式来标明。P多少就是第多少个GPIO。P1_3就是第1组的第3个GPIO。(不同组的GPIO可能电压域不一样) BAT:Battery,电池。所有的电池电压都可以叫做VBAT。 CHG:Charge,充电。 CAM:Camera,摄像头。 LCD:显示器 TP:Touch Panel,触摸屏。(注意不要和Test Point测试点搞混了) DC:Direct Current,直流电。用在设备上通常用作外部直流输入接口,而不是指供电方式或者供电电压什么的。例如VCC_DC_IN的含义,就是外部DC接口供电。
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    2018-9-9 21:51
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    【博客大赛】开关电源:“你好,电感!:)”
    设计一个好的开关电源,需要很多步骤,这里我们就从输出的电感着手,聊一聊电感本身,以及在设计开关电源的过程中,如何确定电感相关参数或者说如何选型一个电感。 先来老生常谈一下,说说电感的定义。电感是常用的电子元件,由于它的电压和电流相位不同,所以理想模型上损耗应该是零。电感作为储能元件,与电容一起用在输入、输出滤波电路上。电感也被称为扼流圈,特点是流过其上的电流有 “很大的惯性 ”。换句话说,由于磁通连续特性,电感上的电流必须是连续的,否则将会产生很大的 电压尖峰。 实际电感和理想电感还是有区别的,随着频率的变化,其阻抗不是线性的变化,可以从图( 1 )中感受一下,红色直线代表理想电感,紫色的曲线代表实际电感, 图(1) 很显然,实际电感随着频率的增加,其本身的特性又可以说是等效电路发生了变化,如图( 2 )。理想电感等效电路如图( 2 ) .a 。在频率较低的时候,实际电感等效电路如图( 2 ) .b ,是一个理想电感串联一个理想电阻。在高频电路分析的时候,实际电感等效电阻电路如图( 2 ) .c, 是一个理想电感串联一个理想电阻后再和一个理想电容并联。分析了实际电感的等效电路后,回过头我们去看图( 1 )中实际电感的频率响应曲线就不难理解了。 图(2) 以上是对电感的物理模型做了一些简单的分析,实际电感针对不同的应用场合,衍生出了很多形式,本文主要分析的是线圈形式的电感以及片式电感即表面贴装电感,当然变压器也是电感的一种形式,这里不做详细分析, 常见的线圈形式的电感分类如下: *按电感形式分类: 固定电感、可变电感。 * 按导磁体性质分类: 空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 * 按工作性质分类: 天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 * 按绕线结构分类: 单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 * 按工作频率分类: 高频线圈、低频线圈。 * 按结构特点分类: 磁芯线圈、可变电感线圈、色码电感线圈、无磁芯线圈等。 常见的片式电感分类如下: *绕线型: 它的特点是电感量范围广,电感量精度高,损耗小(即 Q大),容许电流大、制作工艺继承性强、简单、成本低等,但不足之处是在进一步小型化方面受到限制。 *叠层型: 它具有良好的磁屏蔽性、烧结密度高、机械强度好。不足之处是合格率低、成本高、电感量较小、Q值低。 *薄膜片式: 具有在微波频段保持高Q、高精度、高稳定性和小体积的特性。其内电极集中于同一层面,磁场分布集中,能确保装贴后的器件参数变化不大,在100MHz以上呈现良好的频率特性。 *编织型: 特点是在1MHz下的单位体积电感量比其它片式电感器大、体积小、 容易安装在基片上。用作功率处理的微型磁性元件。 在实际应用中,我们主要关注电感的这些参数:电感量( L )及允许误差、感抗( XL )、品质因数( Q 值)、分布电容、直流电阻、标称电流等。图( 3 )就是一颗典型电感的参数表,开关电源电路设计更是要仔细考虑,仿真计算以及累计的经验来选型对应的电感。 图(3) 在实际电路设计中,潮湿与干燥,环境温度的高低,高频或低频环境,要让电感表现的是感性,还是阻抗特性等,以及带不带屏蔽壳,应用时候饱不饱和,都是我们电路设计要考虑的因素。 更多好玩有趣的项目,可关注ZcorePlayer公众号哟~~ :
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    2018-5-31 15:11
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    可控硅设计经验总结
    过去的几个智能开关项目中,频繁使用可控硅作为无触点开关,期间由于个人对可控硅设计认知粗糙的原因,跳入了好几个“坑”,现在对可控硅设计知识要点进行总结,罗列如下: 可控硅类别: a.单向可控硅:门极带阻灵敏型单向可控硅、门极灵敏型单向可控硅、标准型单向可控硅······ b.双向可控硅:标准型双向可控硅、四象限双向可控硅、洗衣机专用双向可控硅、高结温双向可控硅、瞬态抑制型双向可控硅······ c.电力电子可控硅:电力电子可控硅模块芯片、电力电子可控硅模块组件 可控硅等效结构: 单向可控硅 双向可控硅 对于一个可控硅,主要看其5个参数: 额定平均电流、维持电流、控制极触发电压和电流、 正向阻断峰值电压、反向阻断峰值电压 案例1:该电路能否将灯点亮? 解析: 不能,由于控制可控硅关断的1,3引脚没有通路 案例2:该电路负载通断不受MOC3021控制? 解析: 不受控制,对于交流电,可以不经过MOC3021而直接流过可控硅的1,3引脚使其处于控制极导通状态 理解可控硅的“象限”—— 1、为何需要有“象限”这个概念?“象限”通用命名法?(个人认为:对于象限概念的提出,是为了更好地描述、理解可控硅的特性,就如同笛卡尔引入直角坐标系是为了更好地描述二维数据) 2、不同象限可控硅可靠性探究? 第一象限:MT2+ Igt+ 第二象限:MT2+ Igt- 第三象限:MT2 - Igt- 第四象限:MT2 - Igt+ 可控硅从导通到底关断的条件? 1、单独撤去控制极电压? 2、MT1,MT2电流小于导通维持电流? 解析:可控硅MT1、MT2流过的电流小于导通维持电流时,可控硅关断,但是单独撤去可控硅控制极电压时,需等到第2个条件满足时才会关断 可控硅JST24、BTA16驱动电流Igt 一个改进型的可控硅例子 可控硅设计十条黄金规则 1.为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑; 2.要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须
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    《数字集成电路:电路、系统与设计(第二版)》,电子工业出版社出版,外文书名:DigitalIntegratedCircuits:ADesignPerspective,SecondEdition,作者:简·M.拉贝艾(JanM.Rahaey)(作者),AnanthaChandrakasan(作者),BorivojeNikolic(作者),周润德(译者),等(译者)。本书由美国加州大学伯克利分校JanM.Rabaey教授等人所著。全书共12章,分为三部分:基本单元、电路设计和系统设计。本书在对MOS器件和连线的特性做了简要的介绍之后,深入分析了数字设计的核心——反相器,并逐步将这些知识延伸到组合逻辑电路、时序逻辑电路、控制器、运算电路以及存储器这些复杂数字电路与系统的设计中。为了反映数字集成电路设计进入深亚微米领域后正在发生的深刻变化,本书以CMOS工艺的实际电路为例,讨论了深亚微米器件效应、电路最优化、互连线建模和优化、信号完整性、时序分析、时钟分配、高性能和低功耗设计、设计验证、芯片测试和可测性设计等主题,着重探讨了深亚微米数字集成电路设计所面临的挑战和启示。《数字集成电路:电路、系统与设计(第二版)》图书目录第一部分基本单元第1章引论1.1历史回顾1.2数字集成电路设计中的问题1.3数字设计的质量评价1.3.1集成电路的成本1.3.2功能性和稳定性1.3.3性能1.3.4功耗和能耗1.4小结1.5进一步探讨期刊和会议论文集参考书目参考文献习题第2章制造工艺2.1引言2.2CMOS集成电路的制造2.2.1硅圆片2.2.3一些重复进行的工艺步骤2.2.4简化的CMOS工艺流程2.3设计规则——设计者和工艺工程师之间的桥梁2.4集成电路封装2.4.1封装材料2.4.2互连层2.4.3封装中的热学问题2.5综述:工艺技术的发展趋势2.5.1近期进展2.5.2远期展望2.6小结2.7进一步探讨参考文献设计方法插入说明A——IC版图参考文献第3章器件3.1引言3.2二极管3.2.1二极管简介——耗尽区3.2.2静态特性3.2.3动态或瞬态特性3.2.4实际的二极管——二次效应3.2.5二极管SPICE模型3.3MOS(FET)晶体管3.3.1MOS晶体管简介3.3.2静态情况下的MOS晶体管3.3.3实际的MOS晶体管——一些二阶效应3.3.4MOS管的SPICE模型3.4关于工艺偏差3.5综述:工艺尺寸缩小3.6小结3.7进一步探讨参考文献习题设计方法插入说明B——电路模拟进一步探讨参考文献第4章导线4.1引言4.2简介4.3互连参数——电容、电阻和电感4.3.1电容4.3.2电阻4.3.3电感4.4导线模型4.4.1理想导线4.4.2集总模型(LumpedModel)4.4.3集总RC模型4.4.4分布rc线4.4.5传输线4.5导线的SPICE模型4.5.1分布rc线的SPICE模型4.5.2传输线的SPICE模型4.5.3综述:展望未来4.6小结4.7进一步探讨参考文献第二部分电路设计第5章CMOS反相器5.1引言5.2静态CMOS反相器——直观综述5.3CMOS反相器稳定性的评估——静态特性5.3.1开关阈值5.3.2噪声容限5.3.3再谈稳定性5.4CMOS反相器的性能:动态特性5.4.1计算电容值5.4.2传播延时:一阶分析5.4.3从设计角度考虑传播延时5.5功耗、能量和能量延时5.5.1动态功耗5.5.2静态功耗5.5.3综合考虑5.5.4利用SPICE分析功耗5.6综述:工艺尺寸缩小及其对反相器衡量指标的影响5.7小结5.8进一步探讨参考文献习题第6章CMOS组合逻辑门的设计6.1引言6.2静态CMOS设计6.2.1互补CMOS6.2.2有比逻辑6.2.3传输管逻辑6.3动态CMOS设计6.3.1动态逻辑:基本原理6.3.2动态逻辑的速度和功耗6.3.3动态设计中的信号完整性问题6.3.4串联动态门6.4设计综述6.4.1如何选择逻辑类型6.4.2低电源电压的逻辑设计6.5小结6.6进一步探讨参考文献习题设计方法插入说明C——如何模拟复杂的逻辑电路参考文献设计方法插入说明D——复合门的版图技术进一步探讨第7章时序逻辑电路设计7.1引言7.1.1时序电路的时间参数7.1.2存储单元的分类7.2静态锁存器和寄存器7.2.1双稳态原理7.2.2多路开关型锁存器7.2.3主从边沿触发寄存器7.2.4低电压静态锁存器7.2.5静态SR触发器——用强信号直接写数据7.3动态锁存器和寄存器7.3.1动态传输门边沿触发寄存器7.3.2C2MOS——一种对时钟偏差不敏感的方法7.3.3真单相钟控寄存器(TSPCR)7.4其他寄存器类型7.4.1脉冲寄存器7.4.2灵敏放大器型寄存器7.5流水线:优化时序电路的一种方法7.5.1锁存型流水线与寄存型流水线7.5.2NORACMOS——流水线结构的一种逻辑形式7.6非双稳时序电路7.6.1施密特触发器7.6.2单稳时序电路7.6.3不稳电路7.7综述:时钟策略的选择7.8小结7.9进一步探讨参考文献第三部分系统设计第8章数字集成电路的实现策略8.1引言8.2从定制到半定制以及结构化阵列的设计方法8.3定制电路设计8.4以单元为基础的设计方法8.4.1标准单元8.4.2编译单元8.4.3宏单元、巨单元和专利模块8.4.4半定制设计流程8.5以阵列为基础的实现方法8.5.1预扩散(或掩模编程)阵列8.5.2预布线阵列8.6综述:未来的实现平台8.7小结8.8进一步探讨参考文献习题设计方法插入说明E——逻辑单元和时序单元的特性描述参考文献设计方法插入说明F——设计综合进一步探讨参考文献第9章互连问题9.1引言9.2电容寄生效应9.2.1电容和可靠性——串扰9.2.2电容和CMOS电路性能9.3电阻寄生效应9.3.1电阻与可靠性——欧姆电压降9.3.2电迁移9.3.3电阻和性能——RC延时9.4电感寄生效应9.4.1电感和可靠性——Ldidt电压降9.4.2电感和性能——传输线效应9.5高级互连技术9.5.1降摆幅电路9.5.2电流型传输技术9.6综述:片上网络9.7小结9.8进一步探讨参考文献习题第10章数字电路中的时序问题10.1引言10.2数字系统的时序分类10.2.1同步互连10.2.2中等同步互连10.2.3近似同步互连10.2.4异步互连10.3同步设计——一个深入的考察10.3.1同步时序原理10.3.2偏差和抖动的来源10.3.3时钟分布技术10.3.4锁存式时钟控制10.4自定时电路设计10.4.1自定时逻辑——一种异步技术10.4.2完成信号的产生10.4.3自定时的信号发送10.4.4自定时逻辑的实例10.5同步器和判断器10.5.1同步器——概念与实现10.5.2判断器10.6采用锁相环进行时钟综合和同步10.6.1基本概念10.6.2PLL的组成功能块10.7综述:未来方向和展望10.7.1采用延时锁定环(DLL)分布时钟10.7.2光时钟分布10.7.3同步与非同步设计10.8小结10.9进一步探讨参考文献习题设计方法插入说明G——设计验证参考文献第11章设计运算功能块11.1引言11.2数字处理器结构中的数据通路11.3加法器11.3.1二进制加法器:定义11.3.2全加器:电路设计考虑11.3.3二进制加法器:逻辑设计考虑11.4乘法器11.4.1乘法器:定义11.4.2部分积的产生11.4.3部分积的累加11.4.4最终相加11.4.5乘法器小结11.5移位器11.5.1桶形移位器11.5.2对数移位器11.6其他运算器11.7数据通路结构中对功耗和速度的综合考虑11.7.1在设计时间可采用的降低功耗技术11.7.2运行时间的功耗管理11.7.3降低待机(或休眠)模式中的功耗11.8综述:设计中的综合考虑11.9小结11.10进一步探讨参考文献习题第12章存储器和阵列结构设计12.1引言12.1.1存储器分类12.1.2存储器总体结构和单元模块12.2存储器内核12.2.1只读存储器12.2.2非易失性读写存储器12.2.3读写存储器(RAM)12.2.4按内容寻址或相联存储器(CAM)12.3存储器外围电路12.3.1地址译码器12.3.2灵敏放大器12.3.3参考电压12.3.4驱动器/缓冲器12.3.5时序和控制12.4存储器的可靠性及成品率12.4.1信噪比12.4.2存储器成品率12.5存储器中的功耗12.5.1存储器中功耗的来源12.5.2存储器的分割12.5.3降低工作功耗12.5.4降低数据维持功耗12.5.5小结12.6存储器设计的实例研究12.6.1可编程逻辑阵列12.6.24MbSRAM12.6.31GbNANDFlash存储器12.7综述:半导体存储器的发展趋势与进展12.8小结12.9进一步探讨参考文献
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    时间: 2021-1-26 14:27
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    《电路设计技术与技巧》,电子工业出版社出版,外文书名:TheCircuitDesigner’sCompanion,作者:威廉斯著。《电路设计技术与技巧》一书较全面和系统地讲述了在实际电子电路设计中常见问题和容易忽视的方方面面,涵盖了设计产品所需是的全面知识,包括印制电路板布线和接地、有源和无源器件、模拟和数字集成电路、电源、电磁兼容、安全性和可靠性设计等内容。本书是高等院校研究生有关可靠电子电路优化设计方面的教材和相关专业本科生的参考用书,也是电子电路设计人员的必备读物。电子电路的设计可以被划分为两个不同的领域:第一个领域将涉及如何设计一个可以完成所指定功能的电路,有时,这些功能的实现需要基于特定的实验室条件;而第二个领域则涉及如何设计同样的电路,以保证它的每个产品模块能完成所规定的功能,而不附加任何其他不期望和未指定的功能,在这个领域中,对产品的可靠性要求总是要高于对产品的寿命要求。当将这一划分引入到对电路的设计技能的讨论中时,这两个领域与设计工程师在学校学习的基本电路理论(欧姆定理、戴维南定理、诺顿定理、基尔霍夫定理、麦克斯韦定理等)以及在工作中学会的(应用中并没有理想的元件,印制电路并不只是布线的集合,以及电子运动有一个令人遗憾的习惯,即绝不严格按照所说明的方式运动)实际经验可以非常完好地吻合。本书试图将在模拟电路和数字电路设计中遇到的一些零碎的材料进行整合并编写在一起,在学校的教材中这些内容可能是从来就没有被提及到的,并且在其他的相关资料中也很少被证实。换句话说,本书将主要讨论在第二个领域中可能会涉及到的内容。对这些内容(第二个领域)的认识来自于,作为资深设计工程师在为公司内部的初级工程师岗位招募新人的过程中不断积累的经验,而这些被招募的新人都有相当精彩的模拟设计的基础。渐渐地,我和我的同事发现所有这些被面试的新人,尽管他们都可以提供很高的学历,但他们在电子线路设计的方面,却只是经受过一些很粗浅的训练。他们中间的许多人,能完全胜任像微处理器设计以及一些大型功能模块外围设备的设计,但却会被应用中的简单问题所难倒,例如,PN结的连接特性,或电阻器容差的变化。这样的经历在其他的工业部门中,似乎也是非常普遍的。学院和大学不会因为重点培养学生掌握处理数字电子学所必备的技能,而受到责备,毕竟数字电子学的应用越来越广泛而且也越来越普及了。但是,如果他们培养的学生不适合工业发展的需要,那么,正是这个不断发展的需求就会让他们认识到这一点,并帮助他们改正错误。遗憾的是,事情好像并非如此简单。来自伦敦“皇家学院”1989年的报告表明,在学校中很少有学生会对模拟设计产生兴趣,由于不适当的教学方式和教材,该类课程被认为“太难了”。而教学机构在不断增加的压力下,也不得不放宽他们对课程的要求,以培养出拥有更多“技能”的工程师,这样的做法,将不得不牺牲对基础性学科的更深入全面的教学。然而,现实世界就是这样顽固,并且还会这样保持下去。将模拟设计和数字设计划分为两个完全独立的学科,是一种令人不安的倾向,而且这样的做法也不利于形成好的教学效果。数字电路实际上只是模拟电路的一个极端产物,任何透彻了解模拟电路原理的人,都能很好地分析逻辑设备中非常难以掌握的运行机理。正如本书在第6章中所要阐述的,即使是对于相当简单的数字电路,也需要对设计中可能出现的模拟互感作用有正确的认识。但是,任何通过常用传感器与外部世界相互作用的产品,也都必然要包含一些信号变换和电源供给的模拟电路。而实际上,有些产品的最佳实现方式仍只能是采用完全模拟设计的方案。JimWilliams是美国著名的线性电路设计师(他和本书作者没有关系)另一位名叫JimWilliams的电路设计师——译者注。,曾经对此做过简洁描述:“被遗忘在1和0之间的角落才是最精彩的世界。那里才是真正的电子学。”由于模拟电路的设计似乎越来越不流行了,因而,真正拥有这项技能的人也会越来越少。本书希望能够为那些仍然渴望拥有这一设计技能并且抱有远大理想的设计者提供一种工具。在这里所呈现的是电子学设计中所需要掌握的基本内容;除了对基本线路理论的阐述,本书并不涉及其他的理论描述。同样,本书也不提供标准的线路设计的方案,因为,它们可以在许多其他的相关书籍中找到。取而代之的是,本书将重点讨论一些比结构化电子学更难掌握的命题:接地,温度效应,EMC,元件的组成和特性,以及设备的不完整性,并且将讨论如何进行设计,以帮助人们制作出自己的产品。我希望本书能尽可能多地为需要它的人提供帮助,这些人包括那些希望扩宽自己基础的、有经验的设计者,以及刚从学院毕业的正面对第一份工作而激动不已的新入门者。获取实践经验的传统方式是在工作中通过实践来进行学习,本书只能增强这种学习方式的效果,而不是取代这种方式。本书是为那些希望在每次完成设计任务时都能直接实现目标的人而编写的,而对于那些指望在设计开始6个月后还能再全部重新设计的人则不适合使用本书。本书并没有表明它会是绝对完整的或是绝对完善的。在电路设计中,无论是设计模拟电路还是设计数字电路,其设计结果都会包含设计者个人的设计艺术,每个设计者都有自己所最擅长的技巧和自己不愿采用的做法。当然本书的最终目标是要激励设计者并鼓励他们对优秀线路设计的追求和探索。《电路设计技术与技巧》图书目录第1章接地与布线1.1接地1.1.1单元内部的接地1.1.2机壳地1.1.3铝的传导率1.1.4接地回路1.1.5电源回馈(电源地)1.1.6输入信号接地1.1.7输出信号接地1.1.8板间接口信号1.1.9星-点接地1.1.10单元间的接地连接1.1.11屏蔽1.1.12安全地1.2导线与电缆1.2.1导线类型1.2.2电缆类型1.2.3电力电缆1.2.4数据电缆和多芯电缆1.2.5RF电缆1.2.6双绞线1.2.7串扰1.3传输线1.3.1特性阻抗1.3.2时域1.3.3频域第2章印制电路2.1板的类型2.1.1材料2.1.2结构类型2.1.3类型选择2.1.4尺寸选择2.1.5多层板的制作2.2设计规则2.2.1导线宽度和间距2.2.2孔径和焊盘尺寸2.2.3导线布线2.2.4接地和配电2.2.5铜膜电镀及其修整2.2.6阻焊层2.2.7电路终端和连接器2.3板子装配:表面安装和过孔2.3.1表面安装设计的规则2.3.2插件位置2.3.3元件标识2.4表面保护2.4.1保护2.4.2保形涂覆2.5源板和工艺图2.5.1工艺图2.5.2制板第3章无源元件3.1电阻器3.1.1电阻器的类型3.1.2容差3.1.3温度系数3.1.4功率3.1.5电阻器中的电感3.1.6脉冲处理3.1.7极端值电阻3.1.8可熔的保险电阻3.1.9电阻网络3.2电位器3.2.1电位器的类型3.2.2面板安装类型3.2.3电位器的应用3.3电容器3.3.1金属化膜和纸质电容器3.3.2多层陶瓷3.3.3单层陶瓷电容器3.3.4电解电容器3.3.5固体钽电解电容器3.3.6电容器的应用3.3.7串联电容器和直流漏电3.3.8介质吸收3.3.9电容器的自谐振3.4电感器3.4.1导磁率3.4.2电感器中的固有电容3.4.3电感器的应用3.4.4电感瞬变的危险3.5晶体和谐振器3.5.1谐振器3.5.2振荡器电路3.5.3温度3.5.4陶瓷谐振器第4章有源元件4.1二极管4.1.1正向偏置4.1.2反向偏置4.1.3漏电流4.1.4高频性能4.1.5开关时间4.1.6肖特基二极管4.1.7稳压二极管4.1.8用做箝位的稳压管4.2晶闸管和双向晶闸管4.2.1晶闸管和双向晶闸管的比较4.2.2触发特性4.2.3误触发4.2.4导通4.2.5开关4.2.6缓冲4.3双极型晶体管4.3.1泄漏4.3.2饱和4.3.3复合晶体管4.3.4安全工作区4.3.5增益4.3.6开关和高频特性4.3.7分级4.4结型场效应晶体管4.4.1夹断4.4.2应用4.4.3高阻抗电路4.5MOS场效应管4.5.1低功率MOSFET4.5.2VMOS功率场效应管4.5.3栅极驱动的阻抗4.5.4开关速度4.5.5导通状态的电阻4.6IGBT4.6.1IGBT的结构4.6.2相对于MOSFET和双极型晶体管的优点4.6.3缺点第5章模拟集成电路5.1理想运算放大器5.1.1应用分类5.2实际运算放大器5.2.1失调电压5.2.2偏置和失调电流5.2.3共模影响5.2.4输入电压范围5.2.5输出参数5.2.6交流参数5.2.7转换速率和大信号带宽5.2.8小信号带宽5.2.9建立时间5.2.10振荡放大器5.2.11开环增益5.2.12噪声5.2.13电源电流和电压5.2.14温度参数5.2.15价格和使用价值5.2.16电流反馈运算放大器5.3比较器5.3.1输出参数5.3.2交流参数5.3.3用做比较器的运放(而且反之亦然)5.3.4迟滞和振荡5.3.5输入电压限制5.3.6比较器源5.4参考电压5.4.1齐纳基准源5.4.2能隙基准源5.4.3参考说明5.5电路建模第6章数字电路6.1逻辑集成电路6.1.1抗扰性和阈值6.1.2扇出和加载6.1.3由开关电流引起的噪声6.1.4去耦6.1.5未使用的门输入6.2接口6.2.1模数混合6.2.2从模拟输入产生的数字电平6.2.3保护防止外部施加的过压6.2.4隔离6.2.5经典的接口标准6.2.6高性能数据接口标准6.3使用微控制器6.3.1微控制器是如何工作的6.3.2定时和量化约束6.3.3编程约束6.4微处理器的“看门狗”和监控6.4.1破坏的威胁6.4.2“看门狗”的设计6.4.3监控设计6.5软件保护技术6.5.1输入数据有效和平衡6.5.2数据和存储保护6.5.3重新初始化第7章电源7.1概要7.1.1线性电源7.1.2开关电源7.1.3技术说明7.1.4是购买成品还是手工自制7.2输入和输出参数7.2.1电压7.2.2电流7.2.3保险丝7.2.4开关闭合浪涌电流或瞬间起峰电流7.2.5波形失真和干扰7.2.6频率7.2.7效率7.2.8根据输出推算出输入7.2.9低负载情况7.2.10整流器和电容器的选择7.2.11负载调整率和线路调整率7.2.12纹波和噪声7.2.13瞬态响应7.3反常情况7.3.1输出过载7.3.2输入瞬态7.3.3瞬态抑制器7.3.4过压保护7.3.5接通和断开7.4机械要求7.4.1外形尺寸和构造7.4.2散热7.4.3安全认可7.5电池7.5.1初期考虑的事项7.5.2原电池组7.5.3充电电池组7.5.4充电第8章电磁兼容性8.1电磁兼容性的必要性8.1.1抗扰度8.1.2发射源8.2EMC法规和标准8.2.1EMC规程8.2.2现有标准8.3干扰耦合机制8.3.1传导耦合8.3.2辐射8.4电路设计与布局8.4.1逻辑器件的选择8.4.2模拟电路8.4.3软件8.5屏蔽8.5.1孔洞8.5.2缝隙8.6滤波8.6.1低通滤波器8.6.2电源滤波器8.6.3I/O滤波器8.6.4穿通(Feedthrough)电容和三端电容8.7电缆和连接件8.8电磁兼容性设计参考项目列表第9章产品总体设计9.1安全性9.1.1安全性的分类9.1.2绝缘类型9.1.3安全防护设计9.1.4火灾9.2产品设计9.2.1清单9.2.2静电放电的危险性9.3易测性9.3.1电路内部测试9.3.2功能测试9.3.3边界扫描和JTAG9.3.4设计技术9.4可靠性9.4.1可靠性的定义9.4.2可靠性的成本9.4.3可靠性设计9.4.4平均故障间隔时间的意义9.4.5设计故障9.5散热管理9.5.1利用热阻9.5.2散热器9.5.3功率半导体器件的安装9.5.4布局设计附录标准参考文献
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    高低频电路设计与应用的相关资料
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    一个简单的RLC电路原来有这么道道
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    详解二极管限幅电路和钳位电路
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    时间: 2020-12-29 23:44
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    电子产品日新月异,不管是硬件工程师还是软件工程师,基本的模电、数电知识也是必备的条件,从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻电容电感,每个元器件在电路中必然有其作用,有兴趣了解的网友,下载学习学习吧。
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    时间: 2020-12-28 21:28
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    1.2V转3.3V芯片电路图_超简电路
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    电路设计经验及分立元件搭电源模块及整流桥
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