tag 标签: 电路

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    2019-9-11 21:42
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    原文地址(有视频教程):https://mp.weixin.qq.com/s/Clsw41Chrx40TAzXR5Ugew
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    2019-4-11 10:49
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    掌握这些硬件原理图中的“英文缩写”大全,看懂原理图!
    常用控制接口 EN:Enable,使能。使芯片能够工作。要用的时候,就打开EN脚,不用的时候就关闭。有些芯片是高使能,有些是低使能,要看规格书才知道。 CS:Chip Select,片选。芯片的选择。通常用于发数据的时候选择哪个芯片接收。例如一根SPI总线可以挂载多个设备,DDR总线上也会挂载多颗DDR内存芯片,此时就需要CS来控制把数据发给哪个设备。 RST:Reset,重启。有些时候简称为R或者全称RESET。也有些时候标注RST_N,表示Reset信号是拉低生效。 INT:Interrupt,中断。前面的文章提到过,中断的意思,就是你正睡觉的时候有人把你摇醒了,或者你正看电影的时候女朋友来了个电话。 PD:Power Down,断电。断电不一定非要把芯片的外部供电给断掉,如果芯片自带PD脚,直接拉一下PD脚,也相当于断电了。摄像头上会用到这根线,因为一般的摄像头有3组供电,要控制三个电源直接断电,不如直接操作PD脚来的简单。(在USB Type-C接口中有一个Power Delivery也叫PD,跟这个完全不一样,不要看错了。) CLK:Clock,时钟。时钟线容易干扰别人也容易被别人干扰,Layout的时候需要保护好。对于数字传输总线的时钟,一般都标称为xxx_xCLK,如SPI_CLK、SDIO_CLK、I2S_MCLK(Main Clock)等。对于系统时钟,往往会用标注频率。如SYS_26M、32K等。标了数字而不标CLK三个字,也是无所谓的,因为只有时钟才会这么标。 CTRL:control,控制。写CONTROL太长了,所以都简写为CTRL,或者有时候用CMD(Command)。 SW:Switch,开关。信号线开关、按键开关等都可以用SW。 PWM:PWM,这个已经很清晰了。 REF:Reference,参考。例如I_REF,V_REF等。参考电流、参考电压。 FB:Feedback。反馈。升压、降压电路上都会有反馈信号,意义和Reference是类似的,芯片根据外部采集来的电压高低,动态调整输出。外部电压偏低了,就加大输出,外部电压偏高了,就减小输出。 A/D:Analog/Digital,模拟和数字的。如DBB=Digital Baseband,AGNG=Analog Ground。 D/DATA:数据。I2C上叫做SDA(Serial DATA),SPI上叫做SPI_DI、SPI_DO(Data In,Data Out),DDR数据线上叫做D0,D1,D32等。 A/Address:地址线。用法同数据线。主要用在DDR等地址和数据分开的传输接口上。其他的接口,慢的像I2C、SPI,快的像MIPI、RJ45等,都是地址和数据放在一组线上传输的,就没有地址线了。 常用方向的标识 TX/RX:Transmit,Receive。发送和接收。这个概念用在串口(UART)上是最多的,一根线负责发送,一根线负责接收。这里要特别注意,一台设备的发送,对应另一台设备就是接收,TX要接到RX上去。如果TX接TX,两个都发送,就收不到数据了。 为了防止出错,可以标注为:UART1_MRST、UART1_MTSR。Master RX Slave TX的意思。Master就是主控芯片,Slave就是从设备。TX、RX很容易标错的,尤其是原理图有几十页的情况下。 P/N:Positive、Negative。正和负。用于差分信号线。现在除了DDR和SDIO之外,其他很少有并行数据传输接口了。USB、LAN、MIPI的LCD和Camera、SATA等等,高速数据总线几乎都变成了串行传输数据了。 串行信号线速度很高,随便就上GHz,电压很低只有几百毫伏,因此很容易被干扰,要做成差分信号,即用两根线传一个数据,一个传正的一个传负的。传到另外一边,数据相减,干扰信号被减掉,数据信号负负得正被加倍。 对于RESET_N这样的信号来讲,只起到重点标注的作用,表示这个RESET信号是拉低才生效的。大部分设备都是低有效的RESET,偶尔会有一些设备拉高RESET。 L/R:Left、Right。通常用于音频线,区分左右。有些时候如喇叭的信号是通过差分来传输的,就是SPK_L_N、SPK_L_P这样的标识。 如下图,某2.1声道智能音箱音频输出(喇叭连接器端)。TAS5751是音频功放,HF是高频High frequency(2.1音响有专门的低频输出)。P和N用 和-代替。 常用设备缩写 BB:Baseband,基带处理器。十几年前的的手机芯片只有通信功能,没有这么强大的AP(跑系统的CPU),手机里的主芯片都叫做Baseband基带芯片。后来手机性能强大了,还是有很多老工程师习惯把主芯片叫做BB,而不是叫CPU。 P(GPIO):很多小芯片,例如单片机,接口通用化比较高,大部分都是GPIO口,做什么用都行,就不在管脚上标那么清楚了,直接用P1,P2,P1_3这样的方式来标明。P多少就是第多少个GPIO。P1_3就是第1组的第3个GPIO。(不同组的GPIO可能电压域不一样) BAT:Battery,电池。所有的电池电压都可以叫做VBAT。 CHG:Charge,充电。 CAM:Camera,摄像头。 LCD:显示器 TP:Touch Panel,触摸屏。(注意不要和Test Point测试点搞混了) DC:Direct Current,直流电。用在设备上通常用作外部直流输入接口,而不是指供电方式或者供电电压什么的。例如VCC_DC_IN的含义,就是外部DC接口供电。
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    2018-9-9 21:51
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    【博客大赛】开关电源:“你好,电感!:)”
    设计一个好的开关电源,需要很多步骤,这里我们就从输出的电感着手,聊一聊电感本身,以及在设计开关电源的过程中,如何确定电感相关参数或者说如何选型一个电感。 先来老生常谈一下,说说电感的定义。电感是常用的电子元件,由于它的电压和电流相位不同,所以理想模型上损耗应该是零。电感作为储能元件,与电容一起用在输入、输出滤波电路上。电感也被称为扼流圈,特点是流过其上的电流有 “很大的惯性 ”。换句话说,由于磁通连续特性,电感上的电流必须是连续的,否则将会产生很大的 电压尖峰。 实际电感和理想电感还是有区别的,随着频率的变化,其阻抗不是线性的变化,可以从图( 1 )中感受一下,红色直线代表理想电感,紫色的曲线代表实际电感, 图(1) 很显然,实际电感随着频率的增加,其本身的特性又可以说是等效电路发生了变化,如图( 2 )。理想电感等效电路如图( 2 ) .a 。在频率较低的时候,实际电感等效电路如图( 2 ) .b ,是一个理想电感串联一个理想电阻。在高频电路分析的时候,实际电感等效电阻电路如图( 2 ) .c, 是一个理想电感串联一个理想电阻后再和一个理想电容并联。分析了实际电感的等效电路后,回过头我们去看图( 1 )中实际电感的频率响应曲线就不难理解了。 图(2) 以上是对电感的物理模型做了一些简单的分析,实际电感针对不同的应用场合,衍生出了很多形式,本文主要分析的是线圈形式的电感以及片式电感即表面贴装电感,当然变压器也是电感的一种形式,这里不做详细分析, 常见的线圈形式的电感分类如下: *按电感形式分类: 固定电感、可变电感。 * 按导磁体性质分类: 空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 * 按工作性质分类: 天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 * 按绕线结构分类: 单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 * 按工作频率分类: 高频线圈、低频线圈。 * 按结构特点分类: 磁芯线圈、可变电感线圈、色码电感线圈、无磁芯线圈等。 常见的片式电感分类如下: *绕线型: 它的特点是电感量范围广,电感量精度高,损耗小(即 Q大),容许电流大、制作工艺继承性强、简单、成本低等,但不足之处是在进一步小型化方面受到限制。 *叠层型: 它具有良好的磁屏蔽性、烧结密度高、机械强度好。不足之处是合格率低、成本高、电感量较小、Q值低。 *薄膜片式: 具有在微波频段保持高Q、高精度、高稳定性和小体积的特性。其内电极集中于同一层面,磁场分布集中,能确保装贴后的器件参数变化不大,在100MHz以上呈现良好的频率特性。 *编织型: 特点是在1MHz下的单位体积电感量比其它片式电感器大、体积小、 容易安装在基片上。用作功率处理的微型磁性元件。 在实际应用中,我们主要关注电感的这些参数:电感量( L )及允许误差、感抗( XL )、品质因数( Q 值)、分布电容、直流电阻、标称电流等。图( 3 )就是一颗典型电感的参数表,开关电源电路设计更是要仔细考虑,仿真计算以及累计的经验来选型对应的电感。 图(3) 在实际电路设计中,潮湿与干燥,环境温度的高低,高频或低频环境,要让电感表现的是感性,还是阻抗特性等,以及带不带屏蔽壳,应用时候饱不饱和,都是我们电路设计要考虑的因素。 更多好玩有趣的项目,可关注ZcorePlayer公众号哟~~ :
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    2018-5-31 15:11
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    可控硅设计经验总结
    过去的几个智能开关项目中,频繁使用可控硅作为无触点开关,期间由于个人对可控硅设计认知粗糙的原因,跳入了好几个“坑”,现在对可控硅设计知识要点进行总结,罗列如下: 可控硅类别: a.单向可控硅:门极带阻灵敏型单向可控硅、门极灵敏型单向可控硅、标准型单向可控硅······ b.双向可控硅:标准型双向可控硅、四象限双向可控硅、洗衣机专用双向可控硅、高结温双向可控硅、瞬态抑制型双向可控硅······ c.电力电子可控硅:电力电子可控硅模块芯片、电力电子可控硅模块组件 可控硅等效结构: 单向可控硅 双向可控硅 对于一个可控硅,主要看其5个参数: 额定平均电流、维持电流、控制极触发电压和电流、 正向阻断峰值电压、反向阻断峰值电压 案例1:该电路能否将灯点亮? 解析: 不能,由于控制可控硅关断的1,3引脚没有通路 案例2:该电路负载通断不受MOC3021控制? 解析: 不受控制,对于交流电,可以不经过MOC3021而直接流过可控硅的1,3引脚使其处于控制极导通状态 理解可控硅的“象限”—— 1、为何需要有“象限”这个概念?“象限”通用命名法?(个人认为:对于象限概念的提出,是为了更好地描述、理解可控硅的特性,就如同笛卡尔引入直角坐标系是为了更好地描述二维数据) 2、不同象限可控硅可靠性探究? 第一象限:MT2+ Igt+ 第二象限:MT2+ Igt- 第三象限:MT2 - Igt- 第四象限:MT2 - Igt+ 可控硅从导通到底关断的条件? 1、单独撤去控制极电压? 2、MT1,MT2电流小于导通维持电流? 解析:可控硅MT1、MT2流过的电流小于导通维持电流时,可控硅关断,但是单独撤去可控硅控制极电压时,需等到第2个条件满足时才会关断 可控硅JST24、BTA16驱动电流Igt 一个改进型的可控硅例子 可控硅设计十条黄金规则 1.为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑; 2.要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须
  • 热度 1
    2018-5-25 14:58
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    自恢复保险丝PTC是一种用于电路保护的正温度系数.在正常温度下原料紧密地将导体束缚在结晶状的结构,构成一个低阻抗的链接。然而,当大电流通过或周围环境温度升高导致元件温度高于动作温度时,在聚合物中的导体融化而变成无规律排列,体积膨胀并导致阻抗迅速提高。 在正常工作状态中此元件电阻值远小于电路中的其余的电阻。电流急速增加的时候,PTC对过流情况做出反应,从低电阻变高电阻来保护电路。阻抗的增加便限制了电流的通过,从而将电路中的电流减少为任意电路元件均可以安全承载的值。而保护设备免于损坏。 高分子PTC根据其使用场所的不同,又有不同的表现形式,有插件式的,带状的,表面贴装的等等,虽然其外观不同,但是它们的工作原理及电路中的连接方式都是相同的.下面将会对这每一种结构做一个简单的介绍. 一 插件结构 产品 插件结构的自恢复保险丝PTC有两个引脚,便于将该元件焊接在电路板上,为了增加焊接的可靠性,引脚通常是镀锡铜线.不同型号的形状也各不相同下面是几种常见的形状: 二 带状结构自恢复保险丝(电池过流保护片) 这种结构的产品通常又被称为”电池过流保护片”,一般用在镍氢/镍镉可充电电池、锂电池及聚合物锂离子电池中,对电池的过充、过放现象起到一定的预防作用 三 表面贴装(SMD)结构自恢复保险丝产品 随着工业自动化及SMT技术的不断成熟,使得电子元器件朝着微型化,小型化方向发展,我公司的SMD结构的PTC产品种类多,符合了市场的需求.
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    时间: 2019-12-22 03:42
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    电路……
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    时间: 2020-1-13 19:00
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    上传者: 二不过三
    电路1的仿真图(N一滤波器由设计样品到产品的过渡中所发生的问题主要内容:一滤波品设计样品在形成产品后合格率降低。本文分析了其发生的机理,并提出解决方法和措施。z设计要求:1.-3dB处为2.95~3MHz2.4.3MHz和9.3MHz处电平z遇到问题:在高低温测试时,由于器件的温漂引起曲线的移动,使测试数据达不到设计要求。产品合格率降低z分析:对电路作CAD仿真用RFsim99的软件进行仿真。电路1:在N=1时电路曲线良好;在N=50时,电路曲线已不再良好,仅-61dBc。说明此电路在设计时存在缺陷。而由于电感线圈是自制的,其温漂将大仿真电路中的参数,则电路的温漂特性将比仿真曲线更为严重,即产品合格率更低。z改进措施电路2:在N=1时电路曲线良好;在N=50时,电路曲线也良好,达-80dBc。说明此电路在设计时已留有足够的余量。尽管由于电感线圈是自制的,其温漂将大仿真电路中的参数,则电路的温漂特性将比仿真曲线更为严重,但其产品合格率仍将有所提高。z结论:在对产品作电路时,作统计仿真测试是必须的。电路1的仿真图(N=1)电路1的仿真图(N=50)电路2的仿真图(N=1)电路2的仿真图(N=50)……
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    时间: 2020-1-13 19:01
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    微波固态电路,微波固态电路_2……
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    时间: 2020-1-13 19:03
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    推荐电路[pic]……
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    射频电路讲义……
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    时间: 2020-1-13 19:08
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    模拟LC梯形滤波器中RC单元电路的精确调试维普资讯http://www.cqvip.comt1一%模拟LC梯形滤波器中RC单元电路的精确调试王振宇耿亚文一滕建辅李会灵-1’r、f.)l暑,{r――一―――――一提要奉文介绍一种利用示波器通过调整相位,精确调整RC有l坶滤波嚣中各RC单元电路谐振频率的5-法――相位调整法其调整精度可连00tHz。关键词:一Lc瘾波援.’蜀tic.概述随m变化剧烈,一旦频率稍撖偏离‰,其相位将发生显著变化,因此可大大提高谐振频率的调整准确度。V-…~在设计高质量的RC有源滤波器过程中,为了取得响应对元件值变化敏感度低的优点,大多数采用模拟双端接载LC梯形网络的设计方案由于电路的总特性强烈地依赣于每一RC单元电路谐振频率澜整的准确程度,因此枉调试中,需要对每一节RC单元电路分别进行精确调整。实践中我们发现用传统的调幅度的方法很难达到高精度的要求,因而也就影响了滤渡器总特性指标。下面介绍一种利用示垃器通过调整相位,能准确调整谐振频率的方法:I/”‘立.。一=∞/o二.基本原理先从无……
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    时间: 2020-1-13 19:09
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    电路包络仿真Lab_99ThischaptershowshowtouseCircuitEnvelopetomeasuretimeandfrequencyofanoutputsignalwhentheinputisamodulatedsourcesuchasGSM,CDMA,etc.Lab9:CircuitEnvelopeSimulationsLab9:CircuitEnvelopeSimulationOBJECTIVESLearnbasicCircuitEnvelopesetupandsimulationSimulatetheresponseofabehavioralampwithafilterSimulatetheMixerwiththeEnvelopeSimulatorAboutthis2partlab:PartAusesabehavioralamplifiertodemonstratebasicCircuitEnvelopesimulationusingamodulatedsignalandthenmeasurestheoutputenveloperesponseinbothtimeandfrequency.PartBusesthemixercircuitwhereyoucanapplythetechniquesandperformmorecomplexmeasurements.PROCEDUREPartA:CEbasicswithabehavioralamp1.Createanewschematicdesign:……
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    时间: 2020-1-13 19:12
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    在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析第7卷第4期2002年12月文章编号:1007-0249(2002)04-0009-04电路与系统学报JOURNALOFCIRCUITSANDSYSTEMSVol.7No.4December,2002在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析郭为,黄达诠*(浙江大学信息与电子工程学系,浙江杭州310027)摘要:本文详细分析了用于射频集成电路设计的MOS场效应管(MOSFET)的稳定特性。利用米勒(Miller)效应和y参数两种方法对MOSFET的稳定特性做了定性和定量的理论分析,并给出了理论分析和实际仿真的对比结果,从中可看出理论分析和仿真结果完全相符。最后,本文以一个工作于2.4GHz,0.5μm工艺的低噪声放大器(LNA)设计为例,给出了在具体电路设计中,提高整个电路稳定性的方法。关键词:稳定性;米勒效应;y参数;MOSFET;低噪声放大器中图分类号:TN722.3文献标识码:A1概述在射频集成电路(RFIC)的设计中,稳定性是一个关键性指标。尤其对放大器(低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA))而言,稳定性是其工作的首要前提。若不能满足稳定性指标,则整个放大电路将振荡。但就笔者目前所知,尚未有文献对稳定性,尤其是MOS场效应管(MOSFET)的稳定性进行全面的理论分析。本文的目标是在对MOS场效应管的稳定性进行充分理论分析的前提下,对整个电路的稳定性能有一个既定性又定量的理解,从而在电路设计上做到有的放矢,采取有效的措施提高稳定性。2理论分析和仿真结果在下面的分析中将首先提出在本文中所采用的MOS场效应管的分析模型,然后采用米勒效应和y参数两种方法分析了MOS场效应管的稳定……
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    时间: 2020-1-13 19:17
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    求微带电路!!,微带电路……
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    时间: 2020-1-13 19:21
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    微带电路!昨天传没传好!今天重传!好书不要错过啊!,微带电路……
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    时间: 2020-1-13 19:26
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    RF集成电路设计,RF集成电路设计……
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    时间: 2020-1-13 19:31
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    上传者: 二不过三
    射频集成电路设计基础-讲义……
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    上传者: givh79_163.com
    微波电路系统与应用,微波电路系统与应用……
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    东南大学微波射频电路讲义,东南大学微波射频电路讲义……
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    射频电路的分析与设计,射频电路的分析和设计_0……
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    用于RF微波电路的集总元件.Lumped.Elements....,用于RF微波电路的集总元件……
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    好书一本微波固体电路,微波固态电路……
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    高速GaAs集成电路,高速GaAs集成电路……
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    射频通信电路-普通高等教育“十五”国家级规划教材有介绍,射频通信电路_0……
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    单片窄带调频接收电路深圳市宇光科技开发有限公司之文档模板||版本编号|Ver1.00||||拟稿人|||||保密级别|||||所属部门|||||文件编号|||||文件归类|||||审核|||||审核日期|||深圳市宇光科技开发有限公司2004年12月17日……
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