tag 标签: 的区

相关资源
  • 所需E币: 4
    时间: 2020-1-13 12:57
    大小: 26KB
    上传者: 16245458_qq.com
    LDO与DC-DC器件的区别LDO与DC-DC器件的区别应当可以这样理解:DCDC的意思是直流变(到)直流(不同直流电源值的转换),只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器,包括LDO。但是一般的说法是把直流变(到)直流由开关方式实现的器件叫DCDC。    LDO是低压降的意思,这有一段说明:低压降(LDO)线性稳压器的成本低,噪音低,静态电流小,这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少,通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标:输出噪声30μV,PSRR为60dB,静态电流6μA,电压降只有100mV。LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平,主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET,而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的,不需要电流,所以大大降低了器件本身消耗的电流;另一方面,采用PNP晶体管的电路中,为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力, 输入和输出之间的电压降不可以太低;而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由於MOSFET的导通电阻很小,因而它上面的电压降非常低。   如果输入电压和输出电压很接近,最好是选用LDO稳压器,可达到很高的效率。所以,在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用,LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长,同时噪音较低。    如果输入电压和输出电压不是很接近,就要考虑用开关型的DCDC了,应为从上面的原理可以知道,LDO的输入电流基本上是等于输出电流的,如果压降太大,耗在LDO上能量太大,效率不高。    DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小。随著集成度的提高,许多新型DC-DC转换器……
  • 所需E币: 5
    时间: 2020-1-13 16:21
    大小: 27.5KB
    上传者: 978461154_qq
    TTL与CMOS电平的区别TTL与CMOS电平的区别TTL与CMOS电平的区别2007-10-2214:10(一)TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为0.1Vcc。CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成逻辑混乱。EDA中国门户网站eqC9fQTTL电路不使用的输入端悬空为高电平,另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。因为TTL电路电源电压是5V,CMOS电路电源电压一般是12V。5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。(三)TTL电平标准输出L:2.4V。输入L:2.0VTTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。CMOS电平:输出L:0.9*Vcc。输入L:0.7*Vcc.一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连.一般情况下,同电压的是可以的,不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值,看是否能够匹配(VOL要小于VIL,VOH要大于VIH,是指一个连接当中的)。有些在一般应用中没有问题,但是参数上就是有点不够匹配,在某些情况下可能就不够稳……
  • 所需E币: 5
    时间: 2020-1-15 10:15
    大小: 22KB
    上传者: 2iot
    X电容与Y电容的区别X电容与Y电容的区别X和Y电容都是安全电容,区别是X电容接在输入线两端用来消除差模干扰,Y电容接在输入线和地线之间,用来消除共模干扰采用塑封的方形高压CBB电容,CBB电容不但有更好的电气性能,而且与电源的输入端并联可以有效的减小高频脉冲对开关电源的影响。---X电容(金属薄膜电容器);        Y电容---有高压瓷片的。Y型电容连接在相线与地线之间。为了不超过相关安全标准限定的地线允许泄漏值,这些电容的值大约在几nF。一般地,Y电容应连接到噪声干扰较大的导线上Y电容分为Y1电容和Y2电容,Y1属于双绝缘Y电容,用于跨接一二次侧.Y2则属于基本单绝缘Y电容,用于跨接一次侧对保护大地即FG线。安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全.安规电容安全等级  应用中允许的峰值脉冲电压  过电压等级(IEC664)8Ga91  v.l    X1                                >2.5kV≤4.0kV        X2                                  ≤2.5kV      X3                                  ≤1.2kV安规电容安全等级  绝缘类型  额定电压范围Y1      双重绝缘或加强绝缘        ≥250VY2      基本绝缘或附加绝缘    ≥150V≤250VY3      基本绝缘或附加绝缘    ≥150V≤250V Y4      基本绝缘或附加绝缘        X电容抑制差模干扰Y电容抑制共模干扰根据IEC60384-14,电容器分为X电容及Y电容,    1.X电容是指跨于L-N……
  • 所需E币: 0
    时间: 2020-2-13 13:49
    大小: 39KB
    上传者: 978461154_qq
    RS232与RS485的区别RS232,RS485的区别1.RS-232-C是美国电子工业协会EIA(ElectronicIndustryAssociation)制定的一种串行物理接口标准。RS是英文“推荐标准”的缩写,232为标识号,C表示修改次数。RS-232-C总线标准设有25条信号线,包括一个主通道和一个辅助通道,在多数情况下主要使用主通道,对于一般双工通信,仅需几条信号线就可实现,如一条发送线、一条接收线及一条地线。RS-232-C标准规定的数据传输速率为每秒50、75、100、150、300、600、1200、2400、4800、9600、19200波特。RS-232-C标准规定,驱动器允许有2500pF的电容负载,通信距离将受此电容限制,例如,采用150pF/m的通信电缆时,最大通信距离为15m;若每米电缆的电容量减小,通信距离可以增加。传输距离短的另一原因是RS-232属单端信号传送,存在共地噪声和不能抑制共模干扰等问题,因此一般用于20m以内的通信。2.RS-485总线,在要求通信距离为几十米到上千米时,广泛采用RS-485串行总线标准。RS-485采用平衡发送和差分接收,因此具有抑制共模干扰的能力。加上总线收发器具有高灵敏度,能检测低至200mV的电压,故传输信号能在千米以外得到恢复。RS-485采用半双工工作方式,任何时候只能有一点处于发送状态,因此,发送电路须由使能信号加以控制。RS-485用于多点互连时非常方便,可以省掉许多信号线。应用RS-485可以联网构成分布式系统,其允许最多并联32台驱动器和32台接收器。以往,PC与智能设备通讯多借助RS232、RS485、以太网等方式,主要取决于设备的接口规范。但RS232、RS485只能代表通讯的物理介质层和链路层,如果要实现数据的双向访问,就必须自己编写通讯应用程序,……
  • 所需E币: 4
    时间: 2020-1-15 11:49
    大小: 102.14KB
    上传者: 二不过三
    8080和6800接口的区别8080和6800接口的区别FS。WU8080模式:这类模式通常有下列接口信号:Vcc(工作主电源)、Vss(公共端)、Vee(偏置负电源,常用于调整显示对比度),/RES,复位线。DB0~DB7,双向数据线。D/I,数据/指令选择线(1:数据读写,0:命令读写)。/CS,片选信号线(如果有多片组合,可有多条片选信号线)。/WR,MPU向LCD写入数据控制线。/RD,MPU从LCD读入数据控制线。读写分离,两个引脚。6800模式:在这种模式下,Vcc、Vss、Vee、/RES、DB0~DB7、D/I的功能同模式80,其他信号线为:R/W,读写控制(1:MPU读,0:MPU写)。E,允许信号(多片组合时,可有多条允许信号线),读写是一个口线。……
  • 所需E币: 0
    时间: 2020-2-12 16:05
    大小: 68.5KB
    上传者: 二不过三
    FPGA与CPLD的区别FPGA与CPLD的区别作者:佚名  发布日期:2005-12-2321:11  查看数:215  出自:互联网[pic][pic] 尽管FPGA和CPLD都是可编程ASIC器件,有很多共同特点,但由于CPLD和FPGA结构上的差异,具有各自的特点:  ①CPLD更适合完成各种算法和组合逻辑,FPGA更适合于完成时序逻辑。换句话说,FPGA更适合于触发器丰富的结构,而CPLD更适合于触发器有限而乘积项丰富的结构。  ②CPLD的连续式布线结构决定了它的时序延迟是均匀的和可预测的,而FPGA的分段式布线结构决定了其延迟的不可预测性。  ③在编程上FPGA比CPLD具有更大的灵活性。CPLD通过修改具有固定内连电路的逻辑功能来编程,FPGA主要通过改变内部连线的布线来编程;FPGA可在逻辑门下编程,而CPLD是在逻辑块下编程。  ④FPGA的集成度比CPLD高,具有更复杂的布线结构和逻辑实现。  ⑤CPLD比FPGA使用起来更方便。CPLD的编程采用E2PROM或FASTFLASH技术,无需外部存储器芯片,使用简单。而FPGA的编程信息需存放在外部存储器上,使用方法复杂。  ⑥CPLD的速度比FPGA快,并且具有较大的时间可预测性。这是由于FPGA是门级编程,并且CLB之间采用分布式互联,而CPLD是逻辑块级编程,并且其逻辑块之间的互联是集总式的。  ⑦在编程方式上,CPLD主要是基于E2PROM或FLASH存储器编程,编程次数可达1万次,优点是系统断电时编程信息也不丢失。CPLD又可分为在编程器上编程和在系统编程两类。FPGA大部分是基于SRAM编程,编程信息在系统断电时丢失,每次上电时,需从器件外部将编程数据重新写入SRAM中。其优点是可以编程任意次,可在工作中快速编程,从而实现板级和系统级……
  • 所需E币: 3
    时间: 2020-1-15 12:32
    大小: 372.5KB
    上传者: 978461154_qq
    电容讲解及旁路电容和去藕电容的区别第1讲:电容的特性(隔直通交)    电容器是一种能储存电荷的容器.它是由两片靠得较近的金属片,中间再隔以绝缘物质而组成的.按绝缘材料不同,可制成各种各样的电容器.如:云母.瓷介.纸介,电解电容器等.在构造上,又分为固定电容器和可变电容器.电容器对直流电阻力无穷大,即电容器具有隔直流作用.电容器对交流电的阻力受交流电频率影响,即相同容量的电容器对不同频率的交流电呈现不同的容抗.为开么会出现这些现象呢\’这是因为电容器是依靠它的充放电功能来工作的,如图1,电源开关s未合上时.电容器的两片金属板和其它普通金属板—样是不带电的。当开关S合上时,如图2所示,电容器正极板上的自由电子便被电源所吸引,并推送到负极板上面。由于电容器两极板之间隔有绝缘材料,所以从正极板跑过来的自由电子便在负极板上面堆积起来.正极板便因电子减少而带上正电,负极板便因电子逐渐增加而带上负电。电容器两个极板之间便有了电位差,当这个电位差与电源电压相等时,电容器的充电就停上了.此时若将电源切断,电容器仍能保持充电电压。对已充电的电容器,如果我们用导线将两个极板连接起来,由于两极板间存在的电位差,电子便会通过导线,回到正极板上,直至两极板间的电位差为零.电容器又恢复到不带电的中性状态,导线中也就没电流了.电容器的放电过程如图3所示.加在电容器两个极板上的交流电频率高,电容器的充放电次数增多;充放电电流也就增强;也就是说.电容器对于频率高的交流电的阻碍作用就减小,即容抗小,反之电容器对频率低的交流电产生的容抗大.对于同一频率的交流电电.电容器的容量越大,容抗就越小,容量越小,容抗就越大.第2讲:电容器的参数与分类     在电子产品中,电容器是必不可少的电子器件,它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源的退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。由于电容器的类型和结……
  • 所需E币: 5
    时间: 2020-1-15 16:36
    大小: 45.19KB
    上传者: givh79_163.com
    变压器transformer和电感inductance的区别变压器transformer和电感inductance的区别相同点:都是用漆包线缠成的线包,内部有铁心或磁芯。不同点:变压器主要用于电压变换,其根据是电磁感应定律。电感线圈一般用在电子线路中,根据是楞次定律。前者一般有两个或三个绕组,有初级绕组和次级绕组,对于升压变压器来说,初级绕组匝数少线径粗,次级绕组匝数多而线径细,降压变压器与之相反,初级匝数多线径细,次级匝数少线径粗,广泛应用于各种用电器中当作电源使用。电感线圈在电子线路中基本用于两方面:1,与电容电阻配合用于波形产生电路或频率选择电路,2,在电流比较大且脉动比较大的场合串入电路内用作平波器。其它场合还有很多,比如日光灯中的镇流器,主要就是根据电感线圈两端电流不能突变当电流变化率过快时能产生很高反向电动势的原理做成的。……
  • 所需E币: 4
    时间: 2020-1-15 16:57
    大小: 2.67KB
    上传者: 2iot
    EMI、EMS和EMC的区别,EMI、EMS和EMC的区别……