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据IDC预测，全球数据圈将从2018年的33ZB增长到2025年的175ZB。数据的真正价值在于，决策者能够从相关数据中提取洞察与见解，并采取相关行动。人工智能(AI)和机器学习在数据分析中的应用预计将大幅增加。事实上，IDC表示，到2025年，认知系统所触及的分析数据量将增长100倍，高达1.4ZB。

选择正确的MOSFET：工程师所需要知道的选择正确的MOSFET：工程师所需要知道的作者：飞兆半导体公司JonathanHarper和EnriqueRodriguez随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。MOSFET的选择EDA中国门户网站B3Q3^4u.Voty{MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。EDA中国门户网站&ph8Z[pic]k/~Mf.V1^第一步：选用N沟道还是P沟道EDA中国门户网站?[pic]_Ms3`PO%c   为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压……

ap大器的四种增益-知道吗？四种增益（Gain）定义：增益又称为放大倍数，用A表示，为放大器输出量对输入量的比值，用来衡量放大器放大电信号的能力。1．四种增益根据需要处理的输入的输出电量不同，增益有四种不同的定义，分别称为电压(Voltage)增益Av、电流(Current)增益Ai、互导(Transcouductance)增益Ag和互阻(Transresistance)增益Ar,即       Av=vo/vi,Ai=io/ii,Ag=io/vi,Ar=vo/ii(4-2-4)      其中，Av和Ai为无量纲的数值，而Ag的单位为西门子(S)，Ar的单位为欧姆（Ω）。   关系：       由于vi=iiRi，vo=—ioRL(4-2-5)       因此，四种增益之间可以互相转换，例如   Av=vo/vi=—ioRL/(iLRi)=—AiRL/Ri(4-2-6)2.负载开路和短路时的增益为了表明RL对增益的影响，还往往引入负载开路或短路时的增益。例如RL开路时的电压增益定义为：   Avt=vot/vi=Av(RL→∞)(4-2-7)    利用关系式vo=votRL/(Ro+RL)    便可写出Avt和Av之间的关系式Av=AvtRL……

放大器的四种增益-知道吗？四种增益（Gain）定义：增益又称为放大倍数，用A表示，为放大器输出量对输入量的比值，用来衡量放大器放大电信号的能力。1．四种增益根据需要处理的输入的输出电量不同，增益有四种不同的定义，分别称为电压(Voltage)增益Av、电流(Current)增益Ai、互导(Transcouductance)增益Ag和互阻(Transresistance)增益Ar,即       Av=vo/vi,Ai=io/ii,Ag=io/vi,Ar=vo/ii(4-2-4)      其中，Av和Ai为无量纲的数值，而Ag的单位为西门子(S)，Ar的单位为欧姆（Ω）。   关系：       由于vi=iiRi，vo=—ioRL(4-2-5)       因此，四种增益之间可以互相转换，例如   Av=vo/vi=—ioRL/(iLRi)=—AiRL/Ri(4-2-6)2.负载开路和短路时的增益为了表明RL对增益的影响，还往往引入负载开路或短路时的增益。例如RL开路时的电压增益定义为：   Avt=vot/vi=Av(RL→∞)(4-2-7)    利用关系式vo=votRL/(Ro+RL)    便可写出Avt和Av之间的关系式Av=AvtRL……