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2024-2-20 18:55
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今天来看一下电容与二极管,晶体管的内容,个人感觉说的比较好,所以贴上来。下面看一下我在百度中找的相关内容,再看书里的。 电容: 电容器的允许偏差表示方法主要有三种,已经提到了其中的两种:罗马数字表示法和字母表示法。以下是这两种表示方法的详细解释和补充。 罗马数字表示法 : 这种表示法主要用于表示电容器的正偏差,即电容值高于标称值的情况。 罗马数字I、II、III、IV分别代表+1%、+2%、+5%、+10%的偏差。 例如,一个标称值为100uF的电容器,如果标注了“III”,那么它的实际电容值可以在100uF到105uF之间。 字母表示法 : 这种方法通过特定的字母来标识电容器的允许偏差范围。 常见的字母及其对应的偏差范围如下: F:±1% G:±2% J:±5% K:±10% M:±20% 例如,如果电容器上标注了“K”,那么它的实际电容值可以在标称值的±10%范围内。 除了您提到的两种方法外,还有一种方法是 直接表示法 : 直接表示法 : 这种方法直接在电容器上标注出具体的偏差数值或范围。 例如,电容器上可能直接标注“±5%”或“100uF ±10uF”,明确指出了电容值的允许偏差范围。 在实际应用中,电容器制造商会根据电容器的类型和用途选择合适的表示方法。对于精度要求较高的电容器,通常会使用罗马数字表示法或字母表示法来更精确地表示允许偏差;而对于一些精度要求相对较低的应用,可能会使用直接表示法来简化标注。 图片1:讲了电容的直标法,标注法。 图片2: 讲解如何用万用表检测电容器的方法。 检测无极性电容器时,万用表拨至x10kQ或x1kQ档(对于容量小的电容器选x10kQ档),测量电容器两引脚之间的阻值。如果电容器正常,表针先往右摆动,然后慢慢返回到无穷大处,容量越小,向右摆动的幅度越小,如图所示。表针摆动过程实际上就是万用表内部电池通过表笔对被测电容器充电的过程,被测电容器容量越小,充电越快,表针摆动幅度越小,充电完成后表针就停在无穷大处。若检测时表针无摆动过程,而是始终停在无穷大处,说明电容器不能充电,该电容器开路。若表针能往右摆动,也能返回,但回不到无穷大处,说明电容器能充电,但绝缘电阻小,该电容器漏电。若表针始终指在阻值小或0处不动,这说明电容器不能充电,并且绝缘电阻很小,该电容器短路。 在检测有极性电容器时,万用表拨至x1k0或x10kΩ档(对于容量很大的电容器,可选择有极性电容器的检测x100Ω档),测量电容器正、反向电阻。如果电容器正常,在测量正向电阻(黑表笔接电容器正极引脚,红表笔接负极引脚)时表针先向右做大幅度摆动,然后慢慢返回到无穷大处(用x10k档测量可能到不了无穷大处但非常接近也是正常的),如图4-15a所示;在测量反向电阻时,表针也是先向右摆动,也能返回,但一般回不到无穷大处,如图4-15b所示。也就是说,正常电解电容器的正向电阻大,反向电阻略小,它的检测过程与判别正、负极是一样的。 图片3,二极管 二极管是一种用半导体材料(如硅、硒、锗等)制成的电子器件,它具有两个电极,分别为正极(阳极)和负极(阴极)。当给二极管两极间加上正向电压时,二极管会导通;而加上反向电压时,二极管会截止。这种导通和截止的状态相当于开关的接通与断开,因此二极管具有单向导电性能。 二极管内部有一个PN结,由P型半导体和N型半导体形成。制造过程中,会先生成N型硅晶体,然后将其突变成P型晶体,最后用玻璃或塑料将这两种晶体封装在一起。当外电压加到器件上时,N型硅和P型硅中的总电荷载流子会相互作用,使得电流只能单向流动。 二极管是最早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。在各种电子电路中,二极管可以与电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,如整流电路、调制信号检波电路、限幅和钳位电路以及电源电压稳压电路等。此外,二极管还分为不同类型,如整流二极管、恒流二极管和发光二极管等。 图片4:二极管的符号,外形,特性等。 二极管的符号、外形和特性如下: 符号:二极管的电路符号通常表示为一个三角形箭头,箭头方向指向正极(阳极),而文字符号用VD表示。 外形:二极管的外形多种多样,常见的有普通二极管和发光二极管。普通二极管外观一般为黑色或棕色,有两个引脚,分别为正极(阳极)和负极(阴极)。发光二极管则有一个透明的灯珠,内部金属片面积较大的一端为负极。 特性:二极管最显著的特性是单向导电性,即电流只能从正极流向负极,不能反向流动。此外,二极管还具有正向电压降和反向截止电压等特性。当给二极管加上正向电压时,它会导通,电流可以从正极流向负极;而当加上反向电压时,它会截止,电流无法流过。 图片5,二极管的检测 二极管的检测主要包括以下几个方面: 极性的判别:对于普通二极管,可以使用万用表来判别其极性。将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。 单向导电性能的检测及好坏的判断:通过测量二极管的正向电阻和反向电阻,可以判断二极管的单向导电性能及是否损坏。正常的二极管正向电阻值较小,反向电阻值较大。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大或均为0,则说明该二极管已损坏。 反向击穿电压的检测:二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。在测量时,应将测试表的正极接二极管的负极,负极接二极管的正极,并将测试表的电压逐渐升高,直到二极管被击穿为止,此时所加的电压即为二极管的反向击穿电压。 图片6,晶体管也就是三极管,下面是讲的放大 这个在百度里找的,解析: 晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。其中,二极管是最早诞生的半导体器件之一,而三极管则被称为晶体三极管,是电子电路中最重要的器件之一。 晶体管的主要特性是单向导电性,即电流只能从正极流向负极,不能反向流动。此外,晶体管还具有电压放大作用,即当一个小信号电压加在晶体管的输入端时,可以在输出端得到一个较大的信号电压。这个特性使得晶体管成为电子电路中的核心元件,广泛应用于各种放大电路、开关电路、稳压电路、信号调制电路等中。 晶体管的发明是电子技术发展史上的重要里程碑之一。最早的晶体管是由美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿于1947年发明的,它是以锗材料为基础的点接触型晶体管。随后,晶体管的材料和结构不断得到改进和发展,出现了硅材料、合金材料、化合物材料等各种类型的晶体管,使得晶体管的应用范围更加广泛。 在现代电子设备中,晶体管已经成为不可或缺的元件之一。无论是计算机、通讯设备、家用电器还是各种电子设备中,都可以看到晶体管的身影。随着科技的不断发展,晶体管的技术也在不断进步,未来晶体管将会在更多领域发挥重要作用。 晶体管在电子电路中有着广泛的应用,其中最常见的应用是作为放大电路的核心元件。根据晶体管的不同接法,可以实现不同的电路功能。 共射放大电路:这是最基本的放大电路之一,它既能放大电压,又能放大电流。输入电阻居三种电路之中,输出电阻较大,频带较窄。这种电路适用于一般放大,即低频电压放大电路的单元电路。 共集放大电路:这种电路只能放大电流,不能放大电压。它是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路,因此从信号源索取的电流小且带负载能力强,具有电压跟随的特点。常用于电压电压放大电路的输入级和输出级。 共基放大电路:这种电路只能放大电压,不能放大电流。输入电阻小,高频特性好,适用于宽频带放大电路。