tag 标签: 偏置

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    2022-6-17 11:09
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    低边电流放大器的设计考量
    低边电流检测器的放大部分设计 电机驱动器,或一些驱动器常常使用低边电流检测。用于测量电流的 R1 电阻在电路中会消耗功率,因而选择的阻值非常小,输出电压非常低,接近于 0 ,有时候会等于 0 。在电流衰减阶段有可能会变负。需要后级放大后,才能使用 ADC 进行采样。 直接放大的效果并不好,接近于 0 的时候非线性,且负电流时输出为 0 。而通常放大器输入动态范围不能做到 0 ,即便是输入轨到轨的运算放大器,放大接近于 0 的信号时,因为输入偏置电流和输入偏置电压的原因,误差会变大。 电路的电压放大倍数是: 1+R5/R4 在实际使用中,需要将输入进行偏置。满足运放输入动态范围的要求,同时也能放大负信号。可以在输入端增加一个直流偏置,将 0 偏置到运放运态范围的中间点。这样线性度最佳,且能测量负电流。 然而,单独产生一个偏置电压也不方便,可以用电阻分压的方式,使用运放供电电压产生偏置。 用于分压的电阻值选择是有讲究的。我们希望当输入 V1 为 0 时,输出 V4 等于 VCC*R3/(R2+R3) 。电压放大倍数等于 R5/R4 。 由 KCL 方程可得: (1) 由虚短原理可得 (2) 令 R4 = R6 , 1/R2+1/R3 = 1/R5 可以解得: V4 为输出, V1 为输入,可以看出,只要选择分压电阻并联值等于反馈电阻 R5 即可以达到目的。
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    2010-4-1 13:39
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    偏置电压 直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时,基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。 因为要使晶体管处于放大状态,其基极-射极之间的PN结应该正偏,集电极-基极之间的PN结应该反偏。因此,设置晶体管基射结正偏、集基结反偏,使晶体管工作在放大状态的电路,简称为偏置电路(可以理解为设置正反偏的电路)。而使晶体管工作在放大状态的关键是其基极电压,因此,基极电压又称为偏置电压。又由于使晶体管工作在放大状态的电压设置是由其没有信号时直流电源提供的。 因此,晶体管的直流偏置电压可以这么定义:晶体管未加信号时,其基极与发射极之间所加的直流电压称为晶体管的直流偏置电压。 偏置电流   运放是集成在一个芯片上的晶体管放大器, 偏置电流 bias current 就是第一级放大器输入晶体管的基极直流电流. 这个电流保证放大器工作在线性范围, 为放大器提供直流工作点. 因为运算放大器要求尽可能宽的共模输入电压范围, 而且都是直接耦合的, 不可能在芯片上集成提供偏置电流的电流源. 所以都设计成基极开路的, 由外电路提供电流. 因为第一级偏置电流的数值都很小, uA 到 nA 数量级, 所以一般运算电路的输入电阻和反馈电阻就可以提供这个电流了. 而运放的偏置电流值也限制了输入电阻和反馈电阻数值不可以过大, 使其在电阻上的压降与运算电压可比而影响了运算精度. 或者不能提供足够的偏置电流, 使放大器不能稳定的工作在线性范围. 如果设计要求一定要用大数值的反馈电阻和输入电阻, 可以考虑用 J-FET 输入的运放. 因为 J-FET 是电压控制器件, 其输入偏置电流参数是指输入 PN 结的反向漏电流, 数值应在 pA 数量级. 同样是电压控制的还有 MOSFET 器件, 可以提供更小的输入漏电流.   ================================================ 深圳市淮安可科技有限公司 专业 IC 销售 郑树耿    13510411597 0755-82567932    FAX: 0755-82566649 QQ: 123469644   MSN: zhengshugeng@hotmail.com 地址:广东省深圳市福田区华强新亚洲国利大厦1520 http://www.hakic.ic37.com http://forum.esm-cn.com/blog_index.jspa?blog_id=168
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    偏置设计RFARFRFICDMOS(LDMOS)MOSFETGaNFETHFETSiCABARFDCRFAB28VAB360°RFABRFALDMOSLDMOSRFRFRF(Iout)(RF()(360°CMOSFET(A)ADCLDMOSIvs.VgsACROSSTEMPERATURE5.04.528V4.03.5Id(A)AMPLIFIERINPUT3.02.52.01.5IOUTVRFRLOADId(A)@+125°CId(A)@+25°CId(A)@-40°CLDMOSRFLDMOS1)LDMOSKFETLDMOS)RFLDMOSKVthIout=K(Vgs-Vth)2Vth2ABAVBIAS+1.00.503.03.54.0Vgs(V)4.55.01.DCLDMOS182.LDMOSDS18473LDMOSICLDMOSLDMOS)AABH1REF0228VDS1847DS1847256LOOKUPTABLEDS1847DATACLOCKTEMPH0IOUTRLOADL12(L0VRF2003Development11WirelessDesign&3.DS1847LDMOS19……
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    放大器的有源偏置电路放大器的有源偏置电路概要有时候放大器的供电电压很接近器件的器件的额定电压。这样,这样对保证高低温下面的电流稳定性和器件之间稳定的偏置电压,带来了挑战。这篇文档讨论了一种有效并且低成本的解决方案。介绍为了获得稳定的偏置电流和稳定的射频性能,RFMD建议客户在供电电源上面串联一个电阻。在电阻两端存在2V电压差。这个电路的结构在图1(a)中显示。图1下面为了进一步讨论温度变化对器件的影响,我们可以把器件电压表述为Vd(T)。在电池电压操作的或者更低工作电压的环境下面,很多用户发现,要保证2V的压降,非常困难。这个问题可以用一个高稳定性的电流源解决。图1(b)显示了用于有源偏置的一种恒流源。。通过合适的元器件选择,这个电路能够实现严格稳定的电流偏置。在Vd最大接近为Vcc的情况下面,直流转换效率能够达到90%。1图1设计和性能我们选择SGA-5589为例来说明。设计的目的是为了使放大器始终偏置在额定电流260mA上面。温度范围是从-40度到+85度。供电电源是5V。设计的例子下面的一些内容就是用来探讨设计图1(b)部分的电路设计。在这里SGA-5589被选择用来做示范。设计的目标在5V电压情况下面,在高低温和不同器件之间保证稳定的偏置电流。设计过程SGA-5589的器件手册显示,60mA的电流能保证射频性能。在室温下面3.9V的器件电压能够保证电流60mA。图2显示了室温下面的器件电压和电流的变化关系。图2器件的手册说明在25度时候,保证60mA电流条件下,电压范围是从3.5V到4.3V。从上图可以看出,很少有超过4.3V上限的。所以我们可以说有源偏置图1(b)需要保证器件的电压在4.3V。图……
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    麦克风的偏置电路和滤波电路……
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    扇形微带偏置的理论和ADS详细设计过程第1章微带扇形偏置电路基本理论之一1第2章扇形微带偏置理论之二4第3章利用ADS仿真设计扇形微带偏置的整个过程63.1计算10GHz时四分之一波长高阻线(假设设计阻抗为100欧)的长度和宽度。73.2将高阻线和扇形微带放入电路中,并仿真和优化(注意优化的变量都有哪些)73.3仿真结果分析(关键)93.4生成版图103.5导出到autoCAD中并填充11第4章有助于加深理解扇形微带偏置原理的ADS仿真分析114.1单根四分之一波长微带线的仿真114.2四分之一波长微带线+扇形微带线的仿真124.3我的理解12微带扇形偏置电路基本理论之一[pic][pic][pic][pic][pic]扇形微带偏置理论之二[pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic]利用ADS仿真设计扇形微带偏置的整个过程设计目标:主信号线传输的频率为10GHz。1计算10GHz时四分之一波长高阻线(假设设计阻抗为100欧)的长度和宽度。[pic]2将高阻线和扇形微带放入电路中,并仿真和优化(注意优化的变量都有哪些)[pic]以后都按上图的拓扑方法仿真这里有几点要十分注……