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  • 热度 16
    2011-12-14 16:25
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    漏极电压Vd,从0至4V进行扫描,在每个Vd扫描之后,门极电压Vg进到下一个数值。传统的只有直流的Vds-id和通过4200-RBT偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试使用2个 SMU ,其源和本体连接到SMA的同轴电缆屏蔽层。  Vds–id-pulse测试如图7所示。由于脉冲测试是 UTMS (用户测试模块),所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。对于脉冲 Vds-id ,门极电压不是阶梯的,所以将下一个Vds-id曲线附加到图上之前,必须输入每一个门极电压。 图7.       脉冲 Vds-id UTM definition 请注意,直流和脉冲测试的参数都可以很容易的进行修改,允许对晶体管行为特性进行交互式观察。下面章节运行Pulse IV测试部分会涵盖运行Vds-id测试的程序。   了解更多信息          要想了解有关4200-PIV脉冲IV包或者吉时利其他系列数字源表的更多信息,请点击 http://www.keithley.com.cn/products/dcac/voltagesource/?mn=4200-PIV ,或者联系吉时利公司:全国免费电话800-810-1334手机用户请拨打440-650-1334。   免费索取吉时利 2011 年测试测量产品目录 CD   http://www.keithley.com.cn/promo/wb/286     吉时利2011年测试测量产品目录CD包含了完备的测试测量资源,近400页的参考资料、选型指南都包括在一张简单易用的CD中。   登录 吉时利官方微博 ( http://weibo.com/keithley )与专家进行互动。  8008101334 4006501334 010-84475556   Vds–id http://www.keithley.com.cn/products/localizedproducts/semiconductor/4200piva SMU  http://www.keithley.com.cn/products/semiconductor/reliabilitytestsolutions/4200scs/?mn=4200-SMU Vds-id http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/4200piv
  • 热度 22
    2011-6-14 09:57
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    连接DUT时,除了使用屏蔽和保护电缆,将吉时利4200-SCS的相应端子与装置的合适端子相连接也非常重要。SMU的Force HI和Force LO端子连接不合适会导致电流偏移和测量不稳定。这些误差是由于共模电流产生的。 通常情况下,总是将SMU的高阻端子(Force HI)连接至被测电路的最大电阻点。同样,总是将4200-SCS的低阻端子(Force LO)连接至被测电路的最小电阻点。最小电阻点可以是公共端子或接地。如果Force HI端子被连接至最小电阻点,共模电流就会通过测量电路。 图 14 中标出了正确和不正确的测量连接。 图 14a 中的连接是正确的,因为吉时利4200-SMU的Force HI端子被连接至晶圆上器件的栅极,而Force LO端子被连接至带有保护的吸盘。晶圆上的栅极端子为最大阻抗点,保护吸盘为低阻抗点,所以该电路的连接正确。请注意,共模电流从SMUde Force LO端子流至保护吸盘;然而,电流并不通过安培计,因此不会影响测量。   图14. 将SMU连接至保护吸盘上的器件 图14b 中的连接是不正确的,它将SMU的Force LO端子连接至高阻栅极,将SMU的Force HI端子连接至保护吸盘。在这种情况下,共模电流将通过SMU以及DUT。这会造成测量不准确,甚至不稳定。  
  • 热度 17
    2011-6-14 09:50
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    连接DUT时,除了使用屏蔽和保护电缆,将吉时利4200-SCS的相应端子与装置的合适端子相连接也非常重要。SMU的Force HI和Force LO端子连接不合适会导致电流偏移和测量不稳定。这些误差是由于共模电流产生的。 通常情况下,总是将SMU的高阻端子(Force HI)连接至被测电路的最大电阻点。同样,总是将4200-SCS的低阻端子(Force LO)连接至被测电路的最小电阻点。最小电阻点可以是公共端子或接地。如果Force HI端子被连接至最小电阻点,共模电流就会通过测量电路。 图 14 中标出了正确和不正确的测量连接。 图 14a 中的连接是正确的,因为吉时利4200-SMU的Force HI端子被连接至晶圆上器件的栅极,而Force LO端子被连接至带有保护的吸盘。晶圆上的栅极端子为最大阻抗点,保护吸盘为低阻抗点,所以该电路的连接正确。请注意,共模电流从SMUde Force LO端子流至保护吸盘;然而,电流并不通过安培计,因此不会影响测量。   图14. 将SMU连接至保护吸盘上的器件 图14b 中的连接是不正确的,它将SMU的Force LO端子连接至高阻栅极,将SMU的Force HI端子连接至保护吸盘。在这种情况下,共模电流将通过SMU以及DUT。这会造成测量不准确,甚至不稳定。
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    本期在线研讨会“现代功率半导体器件的测试需要使用现代曲线追踪仪”介绍了曲线追踪仪及其在测试功率半导体器件方面的作用。还介绍了当前市场对功率器件的需求以及现代器件如何迫使传统曲线追踪仪超越其测量极限。研讨会讨论了如何用SMU取代传统曲线追踪仪而且为什么SMU是测试当今器件的最佳仪器。最后,研讨会将讨论如何将数台SMU搭建成为现代参数曲线追踪仪并实现I-V测量和高压C-V测量。通过参加此研讨会,您将学习并理解:—传统曲线追踪仪在测试功率半导体器件的作用—市场对现代功率半导体器件的需求—为什么传统曲线追踪仪在测试当今器件上表现不足,而且为什么SMU是取代曲线追踪仪的最佳测量仪器。—如何将SMU搭建为现代参数曲线追踪仪—如何用参数曲线追踪仪进行高压C-V测量TestingModernPowerSemiconductorDevicesRequiresaModernCurveTracerSteveGuo手机:13661111444ApplicationsEngineer邮箱:steve.guo@keithley.comAGREATERMEASUREOFCONFIDENCEAgendaCurveTracerBackgroundAdvancementinPowerSemiconductorDevicesTheProblemwithCurveTracersAViableAlternativeParametricCurveTracers2012KeithleyInstruments,Inc.CurveTracerBackgroundAGREATERMEASUREOFCONFIDENCEWhatisaCurveTracer?SpecializedinstrumentdesignedforcharacterizingsemiconductordevicesTestFixturePowerSuppl……
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