标签: 硅二极管

硅二极管温度传感器是一种基于硅半导体材料特性的测温装置，其核心原理是利用硅二极管的电学参数（如正向压降或电阻）随温度变化的特性实现温度检测。以下是其工作原理、技术特点及典型应用： 一、工作原理 1、‌PN结温度特性‌ 硅二极管由PN结构成，当温度变化时，其正向电压VF与温度呈线性负相关关系。例如，温度每升高1℃，VF约下降2 mV。 2、‌电压—温度关系‌ 通过jing确测量正向电压的微小变化，可推算出环境温度值。部分型号（如SI410）在宽温域内（如1.4 K至475 K）仍能保持高线性度。 二、技术特点 特性 描述 ‌灵敏度‌ 低温区（如液氦温区）灵敏度可达0.1 K/mV，高温区灵敏度降低 ‌线性度‌ 在特定温域内（如-200℃至200℃）具有近似线性的电压-温度曲线 ‌封装形式‌ 微型化封装（如TO-18或陶瓷封装），适用于狭小空间或低温环境 ‌抗干扰性‌ 硅材料的高稳定性使其抗电磁干扰能力优于金属热电阻 三、典型应用场景 1、‌低温测量‌ 硅二极管传感器（如DT640）专用于液氮、液氦等低温环境，可测量低至1 K的温度。 2、‌工业控制‌ 集成于空调、冰箱等家电，通过监测蒸发器或压缩机的温度实现智能温控。 3、科研实验‌ 在量子计算、超导材料研究中，用于高精度温度监测与反馈调节。

DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。 DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有du特的优势。 以下是二极管温度传感器的测试程序，确保您的万用表额定测量电阻高达10兆欧。 1、验证二极管（第1部分） 将万用表的正极(+)引线置于I+或V+上，将负极(-)引线置于V-或I上。在室温下应测量大约5兆欧。 2、验证二极管（第2部分） 将万用表的负极(-)引线置于I+或V+上，将正极(+)引线置于V-或I上。您应该测量“开路”（无限大电阻）。 3、验证传感器引线：在I和V引线之间进行测量-测量I+和V+引线之间的电阻。您应该测量电线的总电阻。-测量V-和I-引线之间的电阻。您应该测量电线的总电阻。 4、验证传感器引线：隔离-将万用表的一根引线置于I+或V+，另一根引线置于系统接地端。您应该测量“开路”（无限电阻）。-将万用表的一根引线置于I-或V-上，另一根引线置于系统接地端。您应该测量“开路”（无限电阻）。

温度传感器所暴露的最常见的恶劣环境可能是磁场。磁场会导致可逆的校准偏移，从而导致错误的温度测量。这种转变不是永久性的，当磁场被移除时，传感器将返回到零磁场校准。电阻温度传感器在磁场中的作用完全取决于所选择的特定电阻温度检测器（ RTD ）。 Cernox 薄膜电阻传感器是用于磁场的推荐选择。 Cernox 传感器有多种封装，并且具有比碳玻璃更宽的温度范围。对于低于 1K 和低至 50mK 或更低的温度，氧化钌 RTD 是一个很好的选择。由于锗传感器的强磁阻和相关的定向效应，锗传感器在磁场中几乎没有用处。根据所需的精度，硅二极管可以在某些温度范围内有效使用（ 1T 场中 60K 以上的误差＜ 0.5% ）。然而，在安装二极管时必须特别小心，以确保结垂直于磁场，即电流平行于磁场。二极管具有很强的取向依赖性。 电容器非常适合在磁场环境中用作控制传感器。它们可以与另一种类型的传感器（ Cernox ™ , 碳玻璃、锗等）来控制温度。在磁场打开之前，使用另一个传感器设置温度。然后使用电容器完成控制。

DT640 系列硅二极管温度 传感器 选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有 此款 温度计都较好地遵循一个电压 - 温度（ V-T ）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。 DT64 0 -BC 型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。 特点： ※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应； ※ 符合标准曲线，具有良好的互换性； ※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装； ※ 在宽温度范围 1.4K-500K 内，可提供较好的测量精度； ※ 遵循 DT-640 标准温度响应曲线； ※ 多种可选封装方式 。 参数 ： ※ 温度范围： 3K~500K ； ※ 标准曲线： DT640 ※ 推荐激励电流： 10µA ± 0.1% ； ※ 可重复性： 10mK@4.2K ， 16mK@77K ， 75mK@273K 。 ※ 反向电压 高达 ： 75V ； ※ 损坏前电流 高达 ：长时间 200mA 或瞬间 1A ； ※ 推荐激励下的功率耗散： 20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K ； ※ BC 封装响应时间： 10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K ； ※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用； ※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用 。