tag 标签: 传感

相关帖子
相关博文
  • 2024-12-10 12:57
    129 次阅读|
    0 个评论
    在有电流流过的导线周围会感生出磁场,再用霍尔器件检测由电流感生的磁场,即可测出产生这个磁场的电流的量值。由此就可以构成霍尔电流、电压传感器。因为霍尔器件的输出电压与加在它上面的磁感应强度以及流过其中的工作电流的乘积成比例,是一个具有乘法器功能的器件,并且可与各种逻辑电路直接接口,还可以直接驱动各种性质的负载。因为霍尔器件的应用原理简单,信号处理方便,器件本身又具有一系列的du特优点,所以在变频器中也发挥了非常重要的作用。 在变频器中,霍尔电流传感器的主要作用是保护昂贵的大功率晶体管。由于霍尔电流传感器的响应时间短于1μs,因此,出现过载短路时,在晶体管未达到极限温度之前即可切断电源,使晶体管得到可靠的保护。 霍尔电流传感器按其工作模式可分为直接测量式和零磁通式,在变频器中由于需要精准的控制及计算,因此选用了零磁通方式。将霍尔器件的输出电压进行放大,再经电流放大后,让这个电流通过补偿线圈,并令补偿线圈产生的磁场和被测电流产生的磁场方向相反,若满足条件IoN1=IsN2,则磁芯中的磁通为0,这时下式成立: Io=Is(N2/N1) 式中,Io为被测电流,即磁芯中初级绕组中的电流,N1为初级绕组的匝数,Is为补偿绕组中的电流,N2为补偿绕组的匝数。由上式可知,达到磁平衡时,即可由Is及匝数比N2/N1得到Io。   霍尔电流传感器的特点是可以实现电流的“无电位”检测。即测量电路不必接入被测电路即可实现电流检测,它们靠磁场进行耦合。因此,检测电路的输入、输出电路是wan全电隔离的。检测过程中,检测电路与被检电路互不影响。 ​
  • 2024-12-10 11:07
    104 次阅读|
    0 个评论
    霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。 磁场中有一个霍尔半导体片,恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下,I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移,使该片在CD方向上产生电位差,这就是所谓的霍尔电压。   霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低,霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁感应强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置,利用这一工作原理,可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速低的运转情况。 霍尔效应 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。对于图一所示的半导体试样,若在X方向通以电流Is,在Z方向加磁场B,则在Y方向即试样A,A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决定于测试样品的电类型。
  • 2024-12-5 14:22
    90 次阅读|
    0 个评论
    热电偶是zui常用的温度传感器类型。它们用于工业、汽车和消费应用。热电偶是自供电的,可以在很宽的温度范围内工作,并且具有快速的响应时间。 热电偶是通过将两条不同的金属线连接在一起制成的。这会导致塞贝克效应。塞贝克效应是两种不同导体的温差在两种物质之间产生电压差的现象。正是这种电压差可以测量并用于计算温度。 有几种类型的热电偶由各种不同的材料制成,允许不同的温度范围和不同的灵敏度。不同的类型由 zhi定 的字母区分。zui常用的是K型。 热电偶的一些缺点包括测量温度可能具有挑战性,因为它们的输出电压小,需要精确放大,对长导线上的外部噪声的敏感性以及冷端。冷端是热电偶线与信号电路的铜迹线相遇的地方。这会产生另一个需要补偿的塞贝克效应,称为冷端补偿。
  • 2024-12-3 13:15
    81 次阅读|
    0 个评论
    基于半导体的温度传感器
    基于半导体的温度传感器通常集成到集成电路(IC) 中。这些传感器使用两个相同的二极管,它们具有温度敏感的电压与电流特性,用于监测温度的变化。它们提供线性响应,但在基本传感器类型中精度zui低。这些温度传感器在最窄的温度范围(-70 ° C 至150 ° C)内的响应速度也最慢。 基于半导体的温度传感器 IC 有两种不同的类型:本地温度传感器和远程数字温度传感器。本地温度传感器是通过使用晶体管的物理特性测量其自身芯片温度的IC。远程数字温度传感器测量外部晶体管的温度。 本地温度传感器可以使用模拟或数字输出。模拟输出可以是电压或电流,而数字输出可以采用多种格式,例如 IC、SMBus、1-Wire 和串行外设接口(SPI)。本地温度传感器感应印刷电路板上的温度或其周围的环境空气。MAX31875是一款极小的本地温度传感器,可用于多种应用,包括电池供电应用。 远程数字温度传感器通过使用晶体管的物理特性像本地温度传感器一样工作。不同之处在于晶体管远离传感器芯片。一些微处理器和 FPGA 包括一个双极感应晶体管,用于测量目标IC 的管芯温度。
  • 2024-12-3 11:50
    359 次阅读|
    0 个评论
    温度传感器的精度受哪些因素影响,要先看所用的温度传感器输出哪种信号,不同信号输出的温度传感器影响精度的因素也不同。 现在常用的温度传感器输出信号有以下几种:电阻信号、电流信号、电压信号、数字信号等。以输出电阻信号的温度传感器为例,还细分为正温度系数温度传感器和负温度系数温度传感器,常用的铂电阻PT100/1000温度传感器就是正温度系数,就是说随着温度的升高,输出的电阻值会增大。对于输出电阻信号的温度传感器来说,影响其精度的因素就是引线的阻值,引线的长短、截面积以及材质、几线制都可以对温度传感器的精度产生影响。 除温度传感器自身结构的因素外,环境温度是否稳定、电磁干扰、匹配仪表或者采集器的精度等因素也会影响温度传感器精度的表现。 因此,在温度传感器选型阶段就要对传感器的工作环境进行评估,跟温度传感器厂家的技术人员充分沟通,尽可能全面地考虑到各种因素,如为避免引线过长增加线阻可以选用三线或者四线制等措施,都可以有效避免影响温度传感器的精度。
相关资源