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三菱电机 Mitsubishi_集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模块
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时间: 2021-3-22 18:53
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上传者:
Goodluck2020
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考虑栅氧化层SBD,NBTI和MOSFET的SRAM稳定性分析
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时间: 2020-11-18 19:22
大小: 6.35MB
上传者:
xgp416
考虑栅氧化层SBD,NBTI和MOSFET的SRAM稳定性分析资源大小:6.35MB[摘要]对超薄栅氧化物,采用软击穿(SBD)技术广泛研究,但没有完全集成到电路可靠性模拟。使用一个6TSRAM单元作为通用电路示例时间相关的SBD被纳入电路退化基于指数缺陷电流增长模型[1]进行分析。SRAM细胞稳定性因个体失效机制而退化为特征。多重失
三菱电机 Mitsubishi_集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模块
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时间: 2020-9-26 19:08
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LGWU1995
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三菱电机【论文】集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模块
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时间: 2020-9-21 19:11
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LGWU1995
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