考虑栅氧化层SBD，NBTI和MOSFET的SRAM稳定性分析
时间：2020-11-18
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考虑栅氧化层SBD，NBTI和MOSFET的SRAM稳定性分析
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[摘要] 对超薄栅氧化物，采用软击穿(SBD)技术 广泛研究，但没有完全集成到电路可靠性 模拟。 使用一个6T SRAM单元作为通用电路示例 时间相关的SBD被纳入电路退化 基于指数缺陷电流增长模型[1]进行分析。 SRAM细胞稳定性因个体失效机制而退化 为特征。 多重失
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